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公开(公告)号：CN102770968A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080064053.X
申请日：2010-12-17
Applicant: 现代重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02245 , H01L31/022458 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包含下面的步骤：制备具有通孔的p型硅衬底；执行扩散工艺以在整个衬底表面形成发射层；在衬底的前表面和背表面上形成蚀刻掩模以选择性地暴露部分衬底；蚀刻由蚀刻掩模暴露的区域中的部分厚度的衬底以移除相应区域中的发射层；在衬底的前表面上形成抗反射膜；以及在衬底的前表面形成格栅电极，并且在衬底的背表面上形成n电极和p电极。
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