公开(公告)号：CN102725867B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201180007151.4

申请日：2011-01-18

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 全珉星 ,  李元载 ,  赵银喆 ,  李浚诚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种背面接触太阳能电池的制造方法，其中结合离子注入工艺和热扩散工艺以在衬底背表面形成p+区域和n+区域，从而最小化工艺数量。根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包括下面的步骤：制备n型晶体硅衬底；在衬底的前表面、背表面和侧表面上形成热扩散控制膜；将p型杂质离子注入到衬底背表面以形成p型杂质区域；图案化热扩散控制膜从而选择性地暴露衬底背表面；以及执行热扩散工艺从而在暴露的衬底背表面区域形成高浓度背场层(n+)和在衬底的前表面区域形成低浓度前场层(n-)，并且激活p型杂质区域来形成p+发射区。

公开(公告)号：CN102725867A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007151.4

申请日：2011-01-18

Applicant: 现代重工业株式会社

Inventor： 全珉星 ,  李元载 ,  赵银喆 ,  李浚诚

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种背面接触太阳能电池的制造方法，其中结合离子注入工艺和热扩散工艺以在衬底背表面形成p+区域和n+区域，从而最小化工艺数量。根据本发明的背面接触太阳能电池的制造方法包括下面的步骤：制备n型晶体硅衬底；在衬底的前表面、背表面和侧表面上形成热扩散控制膜；将p型杂质离子注入到衬底背表面以形成p型杂质区域；图案化热扩散控制膜从而选择性地暴露衬底背表面；以及执行热扩散工艺从而在暴露的衬底背表面区域形成高浓度背场层(n+)和在衬底的前表面区域形成低浓度前场层(n-)，并且激活p型杂质区域来形成p+发射区。