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公开(公告)号:CN111865104A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201910979165.0
申请日:2019-10-15
IPC: H02M7/00
Abstract: 本申请涉及电源模块及使用电源模块的逆变器。一种逆变器包括:上模块,具有定义三相逆变器的三个电极的开关元件之中的连接至第一基板上的正电极的三个开关元件;以及下模块,具有定义三相逆变器的三个电极的开关元件之中的连接至第二基板上的负电极的三个开关元件。上模块和下模块被配置为彼此堆叠,并且上模块的正极端子和下模块的负极端子被堆叠成与放置在其间的绝缘体彼此相对。
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公开(公告)号:CN111916418A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN201911175465.X
申请日:2019-11-26
IPC: H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 一种隔离件结构及其制造方法,该隔离件结构连接绝缘基板和双面冷却功率模块的半导体芯片,包括:由复合材料构成的导电材料层;底镀层,设置在导电材料层上;以及铜镀层,设置在底镀层上,其中,铜镀层与将隔离件接合到半导体芯片和绝缘基板的接合材料接触。
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公开(公告)号:CN107030427A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201610680450.9
申请日:2016-08-17
Applicant: 现代自动车株式会社 , 现代奥特劳恩株式会社
CPC classification number: B23K3/085 , B23K1/0016 , B23K3/087 , H01L2224/33 , B23K37/0443 , B23K37/003
Abstract: 本发明提供一种用于双面冷却的功率模块的焊接夹具,包括:下夹具板,其布置在下基板下方,并且被配置成固定下基板的位置;上夹具板,其布置在上基板上方,并且被配置成朝向下基板对上基板加压;连接器,其被配置成使下夹具板和上夹具板联接;以及插入件,其布置在连接器上,并且位于上基板与下基板之间,其中插入件被配置成在焊接过程中使上基板与下基板之间保持大致恒定的距离,其中,焊接夹具被配置成提供双面冷却功率模块,以便在半导体芯片被布置并焊接到上基板与下基板之间时固定上基板和下基板的位置。
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公开(公告)号:CN118116905A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202310522451.0
申请日:2023-05-10
IPC: H01L23/538 , H01L23/14 , H01L23/16
Abstract: 本发明涉及功率模块,所述功率模块包括:上部基板;下部基板;第一半导体芯片;第一间隔件,其配置为将第一金属层电连接至第二金属层;第二间隔件,其配置为将第一半导体芯片电连接至第一金属层;第一连接层,其具有导电性,并且布置在所述上部基板与所述下部基板之间,并且配置为使得第一间隔件和第二间隔件穿过所述第一连接层;以及功率引线。
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公开(公告)号:CN107546199A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201611007190.5
申请日:2016-11-16
Applicant: 现代自动车株式会社
IPC: H01L23/367 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供了一种功率模块。功率模块包括基板,设置在基板上的功率转换芯片,以及在其中功率转换芯片设置在基板上的结构上形成的绝缘膜。另外,功率模块包括包封涂覆有绝缘膜的结构的金属模。另外,与传统的功率模块相比,功率模块提供了简化的结构和改进的散热性能。
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公开(公告)号:CN119561393A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202410442511.2
申请日:2024-04-12
Abstract: 本公开涉及一种功率模块,该功率模块包括:至少一个半导体芯片;至少一个基板,支撑至少一个半导体芯片;以及第一引线。第一引线包括:(i)延伸部分,延伸部分的第一端连接到至少一个基板,并且延伸部分的第二端从至少一个基板向外突出;以及(ii)电阻部分,设置在延伸部分的第一端和第二端之间。
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公开(公告)号:CN119170595A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202311633018.0
申请日:2023-12-01
IPC: H01L23/498 , H01L23/64 , G01R19/00
Abstract: 本发明涉及功率模块,其包括:第一基板和第二基板、半导体芯片、过孔间隔件,所述过孔间隔件电连接第一基板和第二基板;其中,所述过孔间隔件包括:第一部分,其与第一基板电连接;第二部分,其与第二基板电连接;电阻器部分,其电阻值大于第一部分及第二部分的电阻值,并且布置在第一部分与第二部分之间。
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公开(公告)号:CN115547948A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202210553579.9
申请日:2022-05-20
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本公开提供一种功率模块,该功率模块包括:半导体芯片,被配置为产生热;金属层,电连接到半导体芯片以允许电流流过金属层;冷却通道,面对金属层以将半导体芯片的热散发到外部;以及树脂层,插设在金属层和冷却通道之间并且一体地形成在功率模块的内部空间中。
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