公开(公告)号：CN104541364A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042569.8

申请日：2013-08-08

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 加藤宙光 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  竹内大辅 ,  山崎聪 ,  波多野睦子 ,  岩崎孝之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。

公开(公告)号：CN104541364B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201380042569.8

申请日：2013-08-08

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 加藤宙光 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  竹内大辅 ,  山崎聪 ,  波多野睦子 ,  岩崎孝之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。