公开(公告)号：CN115803890A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180049650.3

申请日：2021-07-13

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 大内澄人 ,  川村启介

IPC: H01L29/778

Abstract: 提供一种既能够抑制栅极泄漏又能够抑制阻挡层的表面粗糙的化合物半导体衬底和化合物半导体衬底的制造方法。化合物半导体衬底的制造方法，具备如下工序：形成由第1氮化物半导体形成的电子传输层的工序；在电子传输层上，形成由具有比第1氮化物半导体的带隙宽的带隙的第2氮化物半导体形成的阻挡层的工序；与阻挡层接触而在阻挡层上，使用有机金属气相生长法形成帽层的工序。帽层具有5×1017个/cm3以上且1×1020个/cm3以下的C浓度，由氮化物半导体形成。在形成帽层的工序中，将构成帽层的氮化物半导体的原料气体和烃气导入到阻挡层的上表面。

公开(公告)号：CN110402484A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017653.7

申请日：2018-03-07

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 生川满久 ,  大内澄人 ,  铃木悠宜 ,  川村启介

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

Abstract: 化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；在SiC层上形成的AlN(氮化铝)缓冲层；在AlN缓冲层上形成的Al(铝)氮化物半导体层；在Al氮化物半导体层上形成的复合层；在复合层上形成的作为电子渡越层的GaN(氮化镓)层；以及在GaN层上形成的作为阻挡层的Al氮化物半导体层。复合层包括：在上下方向上层叠的多个C-GaN层；以及在多个C-GaN层之间形成的AlN层。

公开(公告)号：CN113227467B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN201980086082.7

申请日：2019-12-10

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 大内澄人 ,  铃木悠宜 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Abstract: 提供能够降低含Al(铝)的氮化物半导体层内的穿透位错的化合物半导体基板。一种化合物半导体基板，具备：Si(硅)基板；第1的Al氮化物半导体层，其被形成于Si基板之上，是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层；GaN(氮化镓)层，其被形成于第1的Al氮化物半导体层之上，具有比第1的Al氮化物半导体层的平均Al浓度低的平均Al浓度；第2的Al氮化物半导体层，其被形成于GaN层之上，具有比GaN层的平均Al浓度高的平均Al浓度。第2的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度比第1的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度低。

公开(公告)号：CN116157904A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180051895.X

申请日：2021-08-19

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 川村启介 ,  大内澄人 ,  菱木繁臣

IPC: H01L21/338

Abstract: 本发明提供具有高品质的化合物半导体基板及化合物半导体装置。化合物半导体基板具备：具有3×1017个/cm3以上3×1018个/cm3以下的O浓度的Si基板；形成于Si基板上的SiC层；第1氮化物半导体层，其形成于SiC层上，包含绝缘性或半绝缘性的层，由AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)所形成；第2氮化物半导体层，其形成于第1氮化物半导体层上，包含C‑GaN层；和形成于第2氮化物半导体层上，由AlzGa1‑zN(0≤z

公开(公告)号：CN107408511B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201680013366.X

申请日：2016-01-14

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 深泽晓 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种能够提高耐压和结晶品质的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：Si(硅)基板、在Si基板的表面形成的SiC(碳化硅)层、在SiC层的表面形成的AlN(氮化铝)层、在AlN层的表面形成的复合层、以及在复合层的表面形成的GaN(氮化镓)层。复合层包含AlN(氮化铝)层以及在AlN层的表面形成的GaN层。在至少1个复合层中，GaN层中的C和Fe的平均浓度高于AlN层中的C和Fe的平均浓度。

公开(公告)号：CN111433889A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880077878.1

申请日：2018-12-06

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 大内澄人 ,  铃木悠宜 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 提供一种能够容易地控制翘曲的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；AlN(氮化铝)缓冲层，形成于SiC层上；下部复合层，形成于AlN缓冲层上；以及上部复合层，形成于下部复合层上。下部复合层包括：沿上下方向层叠的多个下部Al(铝)氮化物半导体层；以及形成于多个下部Al氮化物半导体层各自之间的下部GaN(氮化镓)层。上部复合层包括沿上下方向层叠的多个上部GaN层；以及形成于多个上部GaN层各自之间的上部Al氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN108026638A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054414.X

申请日：2016-10-17

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 生川满久 ,  深泽晓 ,  铃木悠宜 ,  川村启介

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种具有期望品质的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；在SiC层上形成的AlN(氮化铝)缓冲层；在AlN缓冲层上形成的Al(铝)氮化物半导体层；在Al氮化物半导体层上形成的第一GaN(氮化镓)层；与第一GaN层接触且在第一GaN层上形成的第一AlN中间层；以及与第一AlN中间层接触且在第一AlN中间层上形成的第二GaN层。

公开(公告)号：CN110402484B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201880017653.7

申请日：2018-03-07

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 生川满久 ,  大内澄人 ,  铃木悠宜 ,  川村启介

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

Abstract: 化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；在SiC层上形成的AlN(氮化铝)缓冲层；在AlN缓冲层上形成的Al(铝)氮化物半导体层；在Al氮化物半导体层上形成的复合层；在复合层上形成的作为电子渡越层的GaN(氮化镓)层；以及在GaN层上形成的作为阻挡层的Al氮化物半导体层。复合层包括：在上下方向上层叠的多个C‑GaN层；以及在多个C‑GaN层之间形成的AlN层。

公开(公告)号：CN113302345A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009392.1

申请日：2020-01-08

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 铃木悠宜 ,  大内澄人 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34

Abstract: 提供一种能够提高纵向的电流‑电压特性的面内均匀性的化合物半导体基板。在俯视观察的情况下，化合物半导体基板具备中心和作为与中心相距开71.2mm的位置的边缘。在将化合物半导体基板的GaN层中的中心的膜厚设为膜厚W1、将GaN层中的边缘的膜厚设为膜厚W2的情况下，由ΔW(％)＝|W1‑W2|×100/W1表示的膜厚误差ΔW大于0且为8％以下。GaN层的中心处的深度方向的平均碳浓度为3×1018个/cm3以上且5×1020个/cm3以下。在将GaN层的中心处的深度方向的中心位置处的碳浓度设为浓度C1、将GaN层的边缘处的深度方向的中心位置处的碳浓度设为浓度C2的情况下，由ΔC(％)＝|C1‑C2|×100/C1表示的浓度误差ΔC为0以上且50％以下。

公开(公告)号：CN107408511A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680013366.X

申请日：2016-01-14

Applicant: 爱沃特株式会社

Inventor： 深泽晓 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种能够提高耐压和结晶品质的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：Si(硅)基板、在Si基板的表面形成的SiC(碳化硅)层、在SiC层的表面形成的AlN(氮化铝)层、在AlN层的表面形成的复合层、以及在复合层的表面形成的GaN(氮化镓)层。复合层包含AlN(氮化铝)层以及在AlN层的表面形成的GaN层。在至少1个复合层中，GaN层中的C和Fe的平均浓度高于AlN层中的C和Fe的平均浓度。