-
公开(公告)号：CN113777142B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111084124.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
IPC: G01N27/30 , G01N27/26 , C23C16/27 , C23C14/18 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/44 , C23C18/44 , C23C18/16
Abstract: 本发明公开了一种碳材料/金属修饰的掺杂金刚石颗粒集成传感器及其制备方法和应用，包括工作电极、对电极、参比电极，基底，所述工作电极由至少一颗掺杂金刚石颗粒组成，所述掺杂金刚石颗粒由内至外包含载体颗粒、包覆层，修饰层，所述载体颗粒为含硼金刚石颗粒或纯金刚石颗粒，所述包覆层为掺杂金刚石薄膜，其中掺杂元素选自为硼、氮、磷中的一种或多种，所述修饰层选自碳材料修饰或金属修饰中的至少一种；本发明提供的一种碳材料/金属修饰的掺杂金刚石颗粒集成传感器，可在基底上设置多个工作电极，任意一个工作电极可以通过不同的修饰方式实现多种电活性物质的检测，且具有良好的线性响应，检测灵敏度高。
-
公开(公告)号：CN117684146A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833919.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述复合涂层材料是以半导体硅作为基体，在基体表面设置梯度硼掺杂Si半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层；所述梯度硼掺杂Si半导体过渡层，由上至下硼含量梯度降低；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度降低，通过在硅表面设置梯度硼掺杂Si半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的半导体复合涂层材料具有良好的导电性、膜基结合性能和高稳定性。
-
公开(公告)号：CN117684142A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833912.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钽基体，设置于钽基体表面的Ta‑B化合物梯度过渡层以及设置于Ta‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ta‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层中还含有Ta元素掺杂。本发明所提供的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，优异的导电性，高稳定性和良好的电化学性能。
-
公开(公告)号：CN117684144A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833917.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料的制备方法和应用，所述锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由锆基体，设置于锆基体表面的Zr‑B化合物梯度过渡层以及设置于Zr‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Zr‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明通过在锆基体表面设置Zr‑B化合物梯度过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能和高稳定性。
-
公开(公告)号：CN113106413B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110417962.7
申请日：2021-04-19
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CVD金刚石涂层前基体预处理工艺，包括如下步骤，将基体进行碱蚀处理，然后进行酸蚀处理，然后使用金刚石微纳米复合粉末对经酸蚀处理的基体进行干法喷砂、然后再使用含金刚石微纳米复合粉末的砂浆进行湿法喷砂，获得经喷砂处理的基体，再将经喷砂处理的基体置于含金刚石粉末的悬浊液中种植籽晶，最后进行热处理。本发明中首先采用酸碱二步法对基体表面进行初步清洗和刻蚀，随后采用干湿法混合喷砂处理，提高基体表面粗糙度，加强涂层和金刚石之间的机械锁和效果，并消除应力集中，缓解残余应力，从而提高膜基结合力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117737688A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311560656.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种高致密金刚石涂层复合材料及其制备方法与应用，包括如下步骤：步骤一将纳米金刚石颗粒通过预处理进行端基的氢化或氧化改性，获得改性纳米金刚石，所述预处理为热处理和/或等离子体辅助处理；步骤二将改性纳米金刚石、表面活性剂分散在水中，获得纳米籽晶悬浊液，将金属基体，置于纳米金刚石籽晶悬浊液中种植籽晶，获得种植籽晶的金属基体，步骤三将种植籽晶的金属基体进行化学气相沉积生长金刚石涂层或掺杂金刚石涂层，即获得高致密金刚石涂层复合材料，本发明所提供的高致密金刚石涂层复合材料，金刚石涂层致密且均匀性好，性能优异。
-
公开(公告)号：CN117684145A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833918.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钛基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法与应用，所述钛基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钛基体，设置于钛基体表面的Ti‑B化合物梯度过渡层以及设置于Ti‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ti‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明通过在钛基体表面设置Ti‑B化合物梯度过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，高稳定性，优异的导电性和电化学性能。
-
公开(公告)号：CN113149149A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110449854.8
申请日：2021-04-25
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
IPC: C02F1/461
Abstract: 本发明公开了一种废水污染物电化学降解装置，旨在实现废水的充分电解矿化。为此，本申请提供的废水电化学处理装置，包括反应槽和设置于所述反应槽内的电极模组，所述电极模组包括阳极板和阴极板，所述阳极板和阴极板在所述反应槽内自下到上平行交替分布，将所述反应槽内分隔成左右往复弯折延伸呈蛇形设置的废水处理流道，所述反应槽的上部设有与所述废水处理流道的顶端连通的出水口，下部设有与所述废水流道的底端连通的进水口。
-
公开(公告)号：CN113804734B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111078508.X
申请日：2021-09-15
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掺杂金刚石颗粒传感器及其制备方法和应用，所述掺杂金刚石颗粒传感器包括工作电极、对电极和参比电极，所述工作电极由玻璃管、封装于玻璃管中的铜丝，以及与铜丝相连并暴露在外的掺杂金刚石颗粒构成；所述掺杂金刚石颗粒包括载体颗粒、包覆层，所述载体颗粒为含硼金刚石颗粒或纯金刚石颗粒，所述包覆层为掺杂金刚石薄膜，其中掺杂元素选自为硼、氮、磷中的一种或多种，本发明以高温高压合成的单晶结构的金刚石颗粒或含硼金刚石颗粒作为载体颗粒，在其表面生长多晶的掺杂金刚石薄膜，最终所得掺杂金刚石颗粒具有优异的导电性，所制作的传感器具有良好的线性响应，检测灵敏度高。
-
公开(公告)号：CN113845183B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202111106654.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 湖南新锋科技有限公司
IPC: C02F1/461 , C23C16/27 , C23C16/44 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C28/00 , C23F1/28 , C23C16/54
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂金刚石颗粒的水处理三维电极及其制备方法，以掺硼金刚石平板电极为阳极电极，钛板为阴极电极，掺杂金刚石颗粒为填料，填料通过组装构成填料模组；所述掺杂金刚石颗粒包含核心材料，以及包覆核心材料的掺杂金刚石薄膜，其中掺杂元素选自为硼、氮、磷、锂中的一种或多种，所述核心材料选自金刚石颗粒、掺硼金刚石颗粒、金属颗粒、陶瓷颗粒中的至少一种，本发明中，以掺杂金刚石颗粒为填料，其具有疏松多孔结构，极大的增加了电化学活性面积和可吸附面积，另外由于阴极和阳极之间的电极化导致的填料产生微电流，从而使得本三维电极可以在较低的电压下获得较高的电流密度，从而提高了电催化产生活性中间体的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.031 seconds)
