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公开(公告)号：CN117964062A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410077710.8
申请日：2024-01-18
申请人： 湖南新锋科技有限公司
IPC分类号： C02F1/467 , C02F101/30
摘要： 本发明提供了一种桶式电化学水处理设备、水处理系统及运行方法，设备包括反应桶以及若干的BDD电解模组；所述反应桶包括桶底、桶身和桶盖；若干的所述BDD电解模组围绕设置在所述桶身上，且所述BDD电解模组的电极部分伸入所述桶身的内部，所述桶身的内部中心设置有导流内筒；所述桶盖上设置有排气口；所述桶底上设置有外循环出水口；若干的所述BDD电解模组下方的所述桶身上设置有外循环回水口，若干的所述BDD电解模组上方的所述桶身上设置有废水进水口。本发明的桶式电化学水处理设备借助于BDD电解模块产生的气体和热量，并通过在反应桶内布置导流内筒，实现了反应桶内的上下循环流，无需另外增加动力，降低了能耗。
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公开(公告)号：CN117902687A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410070556.1
申请日：2024-01-17
申请人： 湖南新锋科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有自动除垢功能的电化学水处理系统及其运行方法，电化学水处理系统包括废水罐、循环泵、BDD电解模组以及换向电源；其中，所述废水罐、所述循环泵和所述BDD电解模组通过管道依次循环连接；所述换向电源用于对所述BDD电解模组的阴极板和阳极板供电，以及适时对调正负极输出以使所述阴极板和所述阳极板的极性跟随对调实现自动除垢。本发明的电化学水处理系统使用了换向电源对BDD电解模组进行供电，当BDD电解模组的极板间因为结垢影响电解效率时可以通过对调换向电源的负极输出以使附着在极板上的污垢重新溶解或脱落，实现了BDD电解模组的自动除垢。
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公开(公告)号：CN117735675A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311769028.7
申请日：2023-12-20
申请人： 湖南新锋科技有限公司
IPC分类号： C02F1/461
摘要： 本发明公开了一种基于BDD电极处理有机废水的模块化电解槽，包括若干组并联的电解槽组件，若干组电解槽组件的主进水口均连接于一主进水管路，若干组电解槽组件的主出水口均连接于一主出水管路；任一组电解槽组件包括并联的两电解槽，两电解槽的进水口分别通过一副进水管路与主进水管路连接，两电解槽的出水口分别通过一副出水管路与主出水管路连接；还包括用于对电解槽模组进行供电和控制的电源控制器，电解槽之间电性串联设置；任一电解槽连接有用于对其电压进行感应的电压传感器，且任一电解槽并联一继电器，电压传感器和继电器与电源控制器连接。本发明解决了现有的电解槽模组极板使用寿命和利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN117684146A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833919.4
申请日：2023-12-28
申请人： 湖南新锋科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述复合涂层材料是以半导体硅作为基体，在基体表面设置梯度硼掺杂Si半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层；所述梯度硼掺杂Si半导体过渡层，由上至下硼含量梯度降低；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度降低，通过在硅表面设置梯度硼掺杂Si半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的半导体复合涂层材料具有良好的导电性、膜基结合性能和高稳定性。
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公开(公告)号：CN117684142A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833912.2
申请日：2023-12-28
申请人： 湖南新锋科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钽基体，设置于钽基体表面的Ta‑B化合物梯度过渡层以及设置于Ta‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ta‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层中还含有Ta元素掺杂。本发明所提供的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，优异的导电性，高稳定性和良好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN116354556B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202310367290.2
申请日：2023-04-07
申请人： 湖南新锋科技有限公司
IPC分类号： C02F9/00 , C02F1/467 , C02F1/461 , C02F1/04 , C02F101/30
摘要： 本发明公开了一种太阳能增强电化学处理高盐废水的资源循环利用方法，包括以下步骤：步骤S1：将高盐废水通过离子膜电解法生成强氧化性盐溶液；步骤S2：将所述强氧化性盐溶液与有机废水混合，并通过光热耦合活化降解系统对混合后的溶液进行降解，得到降解后的溶液；步骤S3：将所述活化降解后的溶液通过电化学氧化降解系统降解，得到高盐溶液；步骤S4：将所述高盐溶液进行蒸发浓缩，得到高盐浓缩液；步骤S5：将所述高盐浓缩液再次通过离子膜电解法生成强氧化性盐溶液；步骤S6：重复步骤S2至步骤S5。本申请的太阳能增强电化学处理高盐废水的资源循环利用方法，实现对高盐废水的资源化利用，降解难降解的有机废水。
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公开(公告)号：CN117945511A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311830613.3
申请日：2023-12-27
申请人： 湖南新锋科技有限公司
IPC分类号： C02F1/461
摘要： 本发明提供了一种螺旋内循环式电化学废水处理设备及其运行方法，其中，设备包括槽体以及设置在槽体内的配水室、反应室和排水室；在槽体内配水室和排水室位于两端；反应室衔接在配水室和排水室之间；反应室与配水室之间设置有带有第一水流开口的第一隔板；排水室与反应室之间设置有带有第二水流开口的第二隔板；反应室内分割成第一升流区、中间沉流区以及第二升流区；第一升流区和第二升流区内均容置有BDD电解模组；第一升流区与中间沉流区之间形成第一废水环流，第二升流区与所述中间沉流区之间形成第二废水环流。本发明设备反应室内集成了2侧BDD电解模组，废水螺旋行进，结构紧凑，电解更加充分。
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公开(公告)号：CN117721504A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410067251.5
申请日：2024-01-16
申请人： 湖南新锋科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种微蚀废液再生过硫酸钠及回收铜的处理系统，包括通过管道依次循环连通的微蚀槽、微蚀废液收集槽、微蚀废液储罐、硫酸铜冷却结晶机、结晶后稀溶液中转罐、电化学再生过硫酸钠及铜回收一体化设备、再生微蚀液调配罐以及再生微蚀液存储罐；所述电化学再生过硫酸钠及铜回收一体化设备包括电解槽，所述电解槽包括阴极室和阳极室，所述阳极室采用金刚石电极板做阳极板，所述阴极室内采用纯钛板做阴极板，所述阳极室与所述阴极室之间采用阳离子膜和阳极布隔开。本发明可以在阳极室将微蚀废液中被蚀刻铜还原的硫酸钠采用金刚石电极板氧化再生过硫酸钠并在阴极室回收电解铜，实现微蚀废液再生循环使用。
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公开(公告)号：CN117684147A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833923.0
申请日：2023-12-28
申请人： 湖南新锋科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅/硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料的制备方法和应用，所述复合涂层材料是以半导体碳化硅作为基体，在基体表面设置梯度硼掺杂SiC半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层；所述梯度硼掺杂SiC半导体过渡层，由上至下硼含量梯度降低；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度降低。本发明通过在碳化硅表面设置梯度硼掺杂SiC半导体过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的半导体复合涂层材料具有良好的导电性、膜基结合性能和高稳定性。
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公开(公告)号：CN117684143A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311833913.7
申请日：2023-12-28
申请人： 湖南新锋科技有限公司
摘要： 本发明公开了氧化镓基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述氧化镓基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料从下至上依次由氧化镓基体，设置在氧化镓基体表面的梯度硼掺杂Ga2O3半导体过渡层，设置于梯度硼掺杂Ga2O3半导体过渡层表面的硼掺杂SiO2缓冲层，以及设置于硼掺杂SiO2缓冲层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述梯度硼掺杂Ga2O3半导体过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明所制得的半导体复合涂层材料具有良好的电学性能、膜基结合性能和高稳定性。
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