公开(公告)号：CN114371194B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202210032100.7

申请日：2022-01-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 翟东媛 ,  蔡轶薇 ,  卢继武 ,  沈义松 ,  李琦

IPC: G01N27/04 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比例关系以及掺杂杂质能级与费米能级差为定值关系，计算解得初始电导曲线的表面势，从而能够算出初始的耗尽区宽度和掺杂杂质浓度，两者耗尽区宽度的差为此浓度距离界面的位置。随着栅极电压继续向深度耗尽区移动，基于第一条电导曲线的运算逻辑可以计算出其位置的掺杂浓度与分布，获得掺杂浓度随深度变化的曲线。本发明利用低温电(56)对比文件程佩红 等.Ge／Si 量子阱结构的C-V 特性的模拟《.半导体学报》.2008,第29卷(第1期),第110-115页.

公开(公告)号：CN114371194A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202210032100.7

申请日：2022-01-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 翟东媛 ,  蔡轶薇 ,  卢继武 ,  沈义松 ,  李琦

IPC: G01N27/04 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比例关系以及掺杂杂质能级与费米能级差为定值关系，计算解得初始电导曲线的表面势，从而能够算出初始的耗尽区宽度和掺杂杂质浓度，两者耗尽区宽度的差为此浓度距离界面的位置。随着栅极电压继续向深度耗尽区移动，基于第一条电导曲线的运算逻辑可以计算出其位置的掺杂浓度与分布，获得掺杂浓度随深度变化的曲线。本发明利用低温电导法不仅能够精确表征掺杂杂质的分布，还能够节省成本和时间。

公开(公告)号：CN113629148A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110706987.9

申请日：2021-06-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 卢继武 ,  沈义松 ,  翟东媛 ,  张齐毫 ,  蔡轶薇 ,  刘敏 ,  罗建平 ,  李卉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种双栅极增强型氧化镓MESFET器件，包括衬底，衬底底部固定有漏极电极，衬底顶部两侧凹陷形成凹槽，凹槽底部固定有双栅极电极；两个凹槽之间为鳍型结构，鳍型结构顶部固定有源极电极。本发明使用Ga2O3作为晶圆衬底材料制作氧化镓垂直型MESFET，并结合鳍型结构形成鳍型Ga2O3MESFET，通过优化器件结构获得高击穿电压的长关型器件，实现高击穿电压的增强型Ga2O3MESFET。