公开(公告)号：CN113629148A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110706987.9

申请日：2021-06-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 卢继武 ,  沈义松 ,  翟东媛 ,  张齐毫 ,  蔡轶薇 ,  刘敏 ,  罗建平 ,  李卉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种双栅极增强型氧化镓MESFET器件，包括衬底，衬底底部固定有漏极电极，衬底顶部两侧凹陷形成凹槽，凹槽底部固定有双栅极电极；两个凹槽之间为鳍型结构，鳍型结构顶部固定有源极电极。本发明使用Ga2O3作为晶圆衬底材料制作氧化镓垂直型MESFET，并结合鳍型结构形成鳍型Ga2O3MESFET，通过优化器件结构获得高击穿电压的长关型器件，实现高击穿电压的增强型Ga2O3MESFET。

公开(公告)号：CN110323232A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910630970.2

申请日：2019-07-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 卢继武 ,  张齐毫 ,  何敏 ,  肖靖 ,  翟东媛

IPC: H01L27/142 ,  H01L21/82

Abstract: 本申请提供了一种能量收集器及终端设备，其中，能量收集器包括：第一钝化层、互补金属氧化物半导体CMOS芯片和铜铟镓硒薄膜太阳能电池CIGS层；第一钝化层位于CMOS芯片上；CIGS层位于第一钝化层远离CMOS芯片的一侧；其中，第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离。本申请将CIGS层集成在CMOS芯片上，并利用第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离，防止CMOS芯片被CIGS层中的钠离子污染，且阻止了CIGS层作等离子处理时可能的发生的等离子体充电损伤，实现了利用太阳能电池CIGS对CMOS芯片的不间断供电，且确保CMOS芯片正常运行。