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公开(公告)号：CN108491933B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201810062085.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度，在室温下，可以测量量子信号，这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管，可以大规模集成制造，有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。
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公开(公告)号：CN111064973A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911192298.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H04N21/2187 , H04N21/233 , H04N21/2343 , H04N21/238 , H04N21/488 , H04N21/643 , H04N21/845 , H04N21/8543
Abstract: 本发明涉及一种基于IPV9的直播系统，包括音视频采集模块：实现对主播的PC端的音视频信息采集、实时编码，然后通过流媒体协议把音视频流推送到服务器。服务器模块：接收主播推送的音视频信息，把音视频信息转码切片成TS格式以用于HLS协议拉流。网页播放器模块：用户通过浏览器访问服务器上的网页资源，然后在网页上选择想要观看的正在直播的主播的直播间，进入直播间会自动播放主播的实时视频。推流端：主要通过摄像头采集视频数据和麦克风采集音频数据，经过一系列前处理、编码、封装，然后推流到CDN进行分发。因此，本发明充分发挥了HTML5原生播放环境在多媒体播放上的硬件加速能力，从而极大提升播放性能。
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公开(公告)号：CN110937346A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911352371.5
申请日：2019-12-23
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明属于运输机器人技术领域，提供了一种基于图像处理的运输机器人，包括载物台，所述载物台的底部设有行走机构和重量感应机构，所述载物台上设有货物固定机构，所述货物固定机构设置有两个，对称设置于载物台的两侧；所述载物台顶部的一侧固定安装有支撑台，所述支撑台的内部设有容纳腔，所述容纳腔内固定安装有控制器和主处理器，所述支撑台的两侧对称设有抓取机构，所述抓取机构与所述支撑台铰接，所述支撑台的顶端设有支撑杆，所述支撑杆的顶端设置有图像采集机构，所述支撑杆的底端通过带座轴承与所述支撑台活动连接。本发明提供的一种基于图像处理的运输机器人，自主完成运输和装卸等流水线操作，方便灵活。
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公开(公告)号：CN107546377B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710664990.2
申请日：2017-08-07
Applicant: 湖北工业大学
Inventor： 张洪涛
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/984 , C01B32/977 , C01B32/956
Abstract: 本发明提供一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法，以及使用该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极、全碳化硅锂二次电池。该制备方法所用原料包括非晶碳化硅粉、聚硅氧烷、锂化聚乙炔和混合粉末，所述混合粉末由锂稀土合金粉末、硅粉末和石墨烯粉末混合而成，所述锂稀土合金粉末包括金属锂粉、金属钕粉和金属镧粉，并同时采用介质阻挡放电等离子体工艺和高能超快激光技术，所得到的米碳化硅材料中金属含量高；由该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极组装而成的全碳化硅锂二次电池的寿命长、容量高、循环性能好，电池的首次库伦效率达到99.98％，放电平台为3.0～2.0V，比容量达到2400mAh/g，放电能量密度达到1700～2200Wh/kg，功率密度达到1400～2600W/kg，循环周期达到20000次以上。
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公开(公告)号：CN108762724A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810478825.2
申请日：2018-05-18
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G06F7/58
CPC classification number: G06F7/588
Abstract: 本发明公开了一种基于光量子学的真随机数发生装置及方法，所述装置包括光脉冲发生模块、光学器件、透射光电探测模块、反射光电探测模块、光电信号处理模块、FPGA单元；所述方法包括1)产生光脉冲；2)将光脉冲转换为单光子序列；3)将单光子序列经过光偏振，处于叠加态的每个光子以50％：50％的几率透射或者反射；4)分别检测透射或者反射的光子数，以其差值的正负性产生高低电平序列；5)将所述高低电平序列生成随机数“0”和“1”序列，作为随机数结果。本发明提出基于光量子学的真随机数发生装置及方法，能够很好地消除因激光光源或系统误差而带来的不能等概率地生成“0”与“1”的问题，并能通过校正程序保证生成随机数的随机性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108491933A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810062085.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G06N99/00
Abstract: 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度，在室温下，可以测量量子信号，这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管，可以大规模集成制造，有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。
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公开(公告)号：CN108346740A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810064170.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg，共接源极和漏极，组成一对称的环状电路，环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接，另一端为输出端，在栅极电压Vg超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化，形成顺时针和逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后，基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
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公开(公告)号：CN108344956A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810064664.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路，包括由自激励单电子自旋电磁晶体管和环路电阻R1组成的squit环，自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与源漏极电压Vds1连接，栅极与栅极电压Vg连接，squit环的右侧与射频电路形成互感，左侧通过栅极电压Vg与待测电压Vs连接，自激励单电子自旋电磁晶体管包括设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极的衬底，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明具有灵敏度高、测量准确的特点。
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公开(公告)号：CN107546377A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710664990.2
申请日：2017-08-07
Applicant: 湖北工业大学
Inventor： 张洪涛
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/984 , C01B32/977 , C01B32/956
Abstract: 本发明提供一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法，以及使用该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极、全碳化硅锂二次电池。该制备方法所用原料包括非晶碳化硅粉、聚硅氧烷、锂化聚乙炔和混合粉末，所述混合粉末由锂稀土合金粉末、硅粉末和石墨烯粉末混合而成，所述锂稀土合金粉末包括金属锂粉、金属钕粉和金属镧粉，并同时采用介质阻挡放电等离子体工艺和高能超快激光技术，所得到的米碳化硅材料中金属含量高；由该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极组装而成的全碳化硅锂二次电池的寿命长、容量高、循环性能好，电池的首次库伦效率达到99.98％，放电平台为3.0～2.0V，比容量达到2400mAh/g，放电能量密度达到1700～2200Wh/kg，功率密度达到1400～2600W/kg，循环周期达到20000次以上。
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公开(公告)号：CN1688026A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510018700.4
申请日：2005-05-13
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合各种半导体技术工艺，用纳米线碳化硅构造碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管可以分为单纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管和多纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管具有耐高温、耐苛刻环境、耐高电压和低导通电阻等一系列特点，广泛用于电力电子领域。
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