-
公开(公告)号：CN108344956B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201810064664.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路，包括由自激励单电子自旋电磁晶体管和环路电阻R1组成的squit环，自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与源漏极电压Vds1连接，栅极与栅极电压Vg连接，squit环的右侧与射频电路形成互感，左侧通过栅极电压Vg与待测电压Vs连接，自激励单电子自旋电磁晶体管包括设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极的衬底，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明具有灵敏度高、测量准确的特点。
-
公开(公告)号：CN108470216A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810062046.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G06N99/00
Abstract: 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个也是一个自旋电子电荷。本发明的量子位可以在保持长达150ms以上的Rabi干涉。本发明的晶体管是量子计算机处理器的关键元件，将开启人类历史上室温量子计算的时代。本发明工艺简单，易于集成，可用于开发大规模量子计算处理器芯片。
-
公开(公告)号：CN108336136B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810064983.3
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/82 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺，所述晶体管包括衬底，衬底上设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明通过设置由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成的纳米碳化硅薄膜结构形成的纳米线或带，作为晶体管有源区，源漏极用Pd作为接触金属，形成肖特基势垒，其中出现隧穿。在室温下，本发明基于自激励单电子自旋电磁晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
-
公开(公告)号：CN108346740B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201810064170.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg，共接源极和漏极，组成一对称的环状电路，环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接，另一端为输出端，在栅极电压Vg超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化，形成顺时针和逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后，基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
-
公开(公告)号：CN111064972A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911192032.5
申请日：2019-11-28
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H04N21/2187 , H04N21/443 , H04N21/4782 , H04N21/858 , H04N21/8543 , H04N21/81
Abstract: 本发明涉及一种基于IPV9的视频直播控制方法，包括：实现对主播的PC端的音视频信息采集、实时编码，然后通过流媒体协议把音视频流推送到服务器。接收主播推送的音视频信息，把音视频信息转码切片成TS格式以用于HLS协议拉流。用户通过浏览器访问服务器上的网页资源，然后在网页上选择想要观看的正在直播的主播的直播间，进入直播间会自动播放主播的实时视频。主要通过摄像头采集视频数据和麦克风采集音频数据，经过一系列前处理、编码、封装，然后推流到CDN进行分发。因此，本发明充分发挥了HTML5原生播放环境在多媒体播放上的硬件加速能力，从而极大提升播放性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108336136A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810064983.3
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/82 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/82 , H01L29/66068 , H01L29/66984
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管及制作工艺，所述晶体管包括衬底，衬底上设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明通过设置由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成的纳米碳化硅薄膜结构形成的纳米线或带，作为晶体管有源区，源漏极用Pd作为接触金属，形成肖特基势垒，其中出现隧穿。在室温下，本发明基于自激励单电子自旋电磁晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
-
公开(公告)号：CN108491933B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201810062085.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度，在室温下，可以测量量子信号，这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管，可以大规模集成制造，有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。
-
公开(公告)号：CN111064973A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911192298.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 湖北工业大学
IPC: H04N21/2187 , H04N21/233 , H04N21/2343 , H04N21/238 , H04N21/488 , H04N21/643 , H04N21/845 , H04N21/8543
Abstract: 本发明涉及一种基于IPV9的直播系统，包括音视频采集模块：实现对主播的PC端的音视频信息采集、实时编码，然后通过流媒体协议把音视频流推送到服务器。服务器模块：接收主播推送的音视频信息，把音视频信息转码切片成TS格式以用于HLS协议拉流。网页播放器模块：用户通过浏览器访问服务器上的网页资源，然后在网页上选择想要观看的正在直播的主播的直播间，进入直播间会自动播放主播的实时视频。推流端：主要通过摄像头采集视频数据和麦克风采集音频数据，经过一系列前处理、编码、封装，然后推流到CDN进行分发。因此，本发明充分发挥了HTML5原生播放环境在多媒体播放上的硬件加速能力，从而极大提升播放性能。
-
公开(公告)号：CN108491933A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810062085.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
IPC: G06N99/00
Abstract: 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度，在室温下，可以测量量子信号，这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管，可以大规模集成制造，有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。
-
公开(公告)号：CN108346740A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810064170.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 湖北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg，共接源极和漏极，组成一对称的环状电路，环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接，另一端为输出端，在栅极电压Vg超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化，形成顺时针和逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后，基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.035 seconds)
