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公开(公告)号:CN116234428A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310371857.3
申请日:2023-04-10
Applicant: 湖北大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于选通管器件技术领域,公开了一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件,从下至上依次为:底电极,转换层,顶电极;底电极的材料为Pt,转换层的材料为硅掺杂的碲化锗薄膜,顶电极的材料为Ti;转换层中硅和碲化锗的摩尔比为1:40~50;本发明还公开了上述基于硅掺杂碲化锗的选通管器件的一种制备方法。本发明适用于制备基于硅掺杂碲化锗的选通管器件,经硅掺杂碲化锗的选通管器件具有Forming‑free特性,由于免除了Forming过程选通管器件的稳定性和耐受性都得到改善。
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公开(公告)号:CN116169954A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202211550976.7
申请日:2022-12-05
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域,公开了一种变压器,包括相同的第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3和第四电感L4,所述第一电感L1和第二电感L2相对,第一电感L1和第三电感L3相邻,第三电感L3和第四电感L4相对,第二电感L2和第四电感L4相邻;本发明还公开了基于上述变压器的磁耦合增强型压控振荡器。本发明的变压器具有较强的磁耦合性能、轴对称性,且结构紧凑,适用于通过变压器实现压控振荡器的宽调谐范围。
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