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公开(公告)号：CN116234428A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310371857.3
申请日：2023-04-10
Applicant: 湖北大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于选通管器件技术领域，公开了一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，从下至上依次为：底电极，转换层，顶电极；底电极的材料为Pt，转换层的材料为硅掺杂的碲化锗薄膜，顶电极的材料为Ti；转换层中硅和碲化锗的摩尔比为1:40~50；本发明还公开了上述基于硅掺杂碲化锗的选通管器件的一种制备方法。本发明适用于制备基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，经硅掺杂碲化锗的选通管器件具有Forming‑free特性，由于免除了Forming过程选通管器件的稳定性和耐受性都得到改善。
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