公开(公告)号：CN116169954A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211550976.7

申请日：2022-12-05

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  王晶晶 ,  饶毅恒 ,  李振东 ,  万厚钊 ,  马国坤 ,  吕琳 ,  余明珠 ,  刘长江 ,  任朝阳

IPC: H03B5/12 ,  H01F19/04 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种变压器，包括相同的第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3和第四电感L4，所述第一电感L1和第二电感L2相对，第一电感L1和第三电感L3相邻，第三电感L3和第四电感L4相对，第二电感L2和第四电感L4相邻；本发明还公开了基于上述变压器的磁耦合增强型压控振荡器。本发明的变压器具有较强的磁耦合性能、轴对称性，且结构紧凑，适用于通过变压器实现压控振荡器的宽调谐范围。

公开(公告)号：CN217934177U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202222444769.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 湖北大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 饶毅恒 ,  韩旭 ,  成炳麟 ,  王浩 ,  任朝阳 ,  马国坤 ,  万厚钊

IPC: H01P3/10

Abstract: 本实用新型属于微波、毫米波频段无源电路设计领域，公开了一种基于接地共面波导结构抑制缺陷地非理想谐振的模型，包括介质层、上参考地平面、下参考地平面，信号线位于介质层上表面的中心，上参考地平面包括两个顶层金属接地板，两个顶层金属接地板分别位于信号线的两侧，与信号线之间留有缝隙，两个顶层金属接地板靠近信号线的一边均刻蚀有上缺陷地结构，下参考地平面与上参考地平面上的上缺陷地结构相对应的位置刻蚀有下缺陷地结构，两个顶层金属接地板靠近信号线的一边设置有第一通孔，第一通孔贯穿上参考地平面、介质层和下参考地平面。本实用新型避免了引入非理想高阶模响应。本实用新型适用于接地共面波导中抑制缺陷地非理想谐振。