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公开(公告)号：CN105839156B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610243114.8
申请日：2016-04-19
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种在导电基底上制备有序一维纳米阵列的方法，包括以下步骤：S1：准备通孔阳极氧化铝模板；S2：将磁控溅射金膜的导电基底放入巯基硅烷溶液浸泡后，再放入盐酸中浸泡；S3：将所述通孔阳极氧化铝模板贴在经步骤S2处理后的所述导电基底的金膜上，并进行高温脱水处理；S4：在贴在所述导电基底的金膜上的所述通孔阳极氧化铝模板上电化学沉积合成一维纳米阵列；S5：除去所述通孔阳极氧化铝模板后，并将所述一维纳米阵列表面的水分清洗掉得到站立在所述导电基底上的有序一维纳米阵列。本发明通过将通孔阳极氧化铝模板贴在处理过的导电基底的金膜上，并经电化学沉积后得到高度有序的一维纳米阵列。
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公开(公告)号：CN108675258B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810379756.X
申请日：2018-04-25
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔氧化铝的薄膜组件及其制备方法，包括一薄膜基体，所述薄膜基体其中至少一表面上具有微阵列结构，所述微阵列结构是凸出于所述薄膜基体表面的多孔氧化铝微柱阵列，所述微柱阵列的每个柱状体的端部都具有多个纳米孔；所述微阵列结构是对一双面氧化的多孔氧化铝薄膜进行光刻和湿法刻蚀而形成；其中，光刻时涂覆负性光刻胶并通过一具有微孔阵列的掩膜板进行曝光。制备方法包括对多孔氧化铝薄膜进行光刻，得到样片，放入刻蚀液中，以使刻蚀液沿显影后去除光刻胶而暴露出的纳米孔流入，进行垂直于多孔氧化铝薄膜表面的各向异性刻蚀，得到具有所述微阵列结构的所述薄膜组件。
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公开(公告)号：CN105699331A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610211591.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 清华大学深圳研究生院
CPC classification number: G01N21/41 , G01N21/55 , G01N2021/557
Abstract: 本发明公开了一种光波导传感芯片及其制备方法以及应用，制备方法包括以下步骤：1)在基底材料上制备金膜得到金膜基底，将金膜基底进行处理：浸入巯基硅烷溶液中处理后用酸溶液处理；或者，浸入巯基烷醇溶液中处理；2)将金膜基底直接浸入温度为60～70℃的溶液中静置48～120h，至生长出所需厚度的二氧化硅薄膜；所述液为十六烷基三甲基溴化铵、水、乙醇、质量分数为25％的浓氨水和正硅酸乙酯的混合溶液；其中，乙醇：水：浓氨水：正硅酸乙酯的体积比为(18～20):(30～32):(0.004～0.032):(0.032～0.048)，每50mL的混合溶液中包含0.08～0.12g的十六烷基三甲基溴化铵；3)干燥处理。本发明的制备过程简单，且易于控制生成的二氧化硅薄膜的厚度从而达到超高灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101792147A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010042772.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种二氧化硅粒子的制备方法、用该方法制备的二氧化硅粒子用于潜指纹显示的方法和用该方法制备的二氧化硅粒子，所述制备方法包括以下步骤：在有机溶剂中使质量比为1∶2至10∶1或50∶1至1000∶1的二氧化硅粒子和硅烷偶联剂充分反应。本发明提供的改性二氧化硅粒子，因其良好的亲油性能，与指纹中的残留物质具有较好的结合力，可作为指纹检测和/或分析的刷粉试剂。本发明的另一方面提供的双亲性二氧化硅粒子，可分散于水中得到稳定的悬浮液。该悬浮液能够在液体介质中应用于潜指纹或表面以确定指纹是否存在。
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公开(公告)号：CN108675258A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810379756.X
申请日：2018-04-25
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔氧化铝的薄膜组件及其制备方法，包括一薄膜基体，所述薄膜基体其中至少一表面上具有微阵列结构，所述微阵列结构是凸出于所述薄膜基体表面的多孔氧化铝微柱阵列，所述微柱阵列的每个柱状体的端部都具有多个纳米孔；所述微阵列结构是对一双面氧化的多孔氧化铝薄膜进行光刻和湿法刻蚀而形成；其中，光刻时涂覆负性光刻胶并通过一具有微孔阵列的掩膜板进行曝光。制备方法包括对多孔氧化铝薄膜进行光刻，得到样片，放入刻蚀液中，以使刻蚀液沿显影后去除光刻胶而暴露出的纳米孔流入，进行垂直于多孔氧化铝薄膜表面的各向异性刻蚀，得到具有所述微阵列结构的所述薄膜组件。
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公开(公告)号：CN105699331B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610211591.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了种光波导传感芯片及其制备方法以及应用,制备方法包括以下步骤:1)在基底材料上制备金膜得到金膜基底,将金膜基底进行处理:浸入巯基硅烷溶液中处理后用酸溶液处理;或者,浸入巯基烷醇溶液中处理;2)将金膜基底直接浸入温度为60~70℃的溶液中静置48~120h,至生长出所需厚度的二氧化硅薄膜;所述液为十六烷基三甲基溴化铵、水、乙醇、质量分数为25%的浓氨水和正硅酸乙酯的混合溶液;其中,乙醇:水:浓氨水:正硅酸乙酯的体积比为(18~20):(30~32):(0.004~0.032):(0.032~0.048),每50mL的混合溶液中包含0.08~0.12g的十六烷基三甲基溴化铵;3)干燥处理。本发明的制备过程简单,且易于控制生成的二氧化硅薄膜的厚度从而达到超高灵敏度。
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公开(公告)号：CN105839156A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610243114.8
申请日：2016-04-19
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种在导电基底上制备有序一维纳米阵列的方法，包括以下步骤：S1：准备通孔阳极氧化铝模板；S2：将磁控溅射金膜的导电基底放入巯基硅烷溶液浸泡后，再放入盐酸中浸泡；S3：将所述通孔阳极氧化铝模板贴在经步骤S2处理后的所述导电基底的金膜上，并进行高温脱水处理；S4：在贴在所述导电基底的金膜上的所述通孔阳极氧化铝模板上电化学沉积合成一维纳米阵列；S5：除去所述通孔阳极氧化铝模板后，并将所述一维纳米阵列表面的水分清洗掉得到站立在所述导电基底上的有序一维纳米阵列。本发明通过将通孔阳极氧化铝模板贴在处理过的导电基底的金膜上，并经电化学沉积后得到高度有序的一维纳米阵列。
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公开(公告)号：CN101792147B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010042772.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种二氧化硅粒子的制备方法、用该方法制备的二氧化硅粒子用于潜指纹显示的方法和用该方法制备的二氧化硅粒子，所述制备方法包括以下步骤：在有机溶剂中使质量比为1∶2至10∶1或50∶1至1000∶1的二氧化硅粒子和硅烷偶联剂充分反应。本发明提供的改性二氧化硅粒子，因其良好的亲油性能，与指纹中的残留物质具有较好的结合力，可作为指纹检测和/或分析的刷粉试剂。本发明的另一方面提供的双亲性二氧化硅粒子，可分散于水中得到稳定的悬浮液。该悬浮液能够在液体介质中应用于潜指纹或表面以确定指纹是否存在。
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