公开(公告)号：CN105839156B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201610243114.8

申请日：2016-04-19

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 孙树清 ,  王传举 ,  王桂强

IPC: C25D5/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种在导电基底上制备有序一维纳米阵列的方法，包括以下步骤：S1：准备通孔阳极氧化铝模板；S2：将磁控溅射金膜的导电基底放入巯基硅烷溶液浸泡后，再放入盐酸中浸泡；S3：将所述通孔阳极氧化铝模板贴在经步骤S2处理后的所述导电基底的金膜上，并进行高温脱水处理；S4：在贴在所述导电基底的金膜上的所述通孔阳极氧化铝模板上电化学沉积合成一维纳米阵列；S5：除去所述通孔阳极氧化铝模板后，并将所述一维纳米阵列表面的水分清洗掉得到站立在所述导电基底上的有序一维纳米阵列。本发明通过将通孔阳极氧化铝模板贴在处理过的导电基底的金膜上，并经电化学沉积后得到高度有序的一维纳米阵列。

公开(公告)号：CN105839156A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610243114.8

申请日：2016-04-19

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 孙树清 ,  王传举 ,  王桂强

IPC: C25D5/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C25D5/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种在导电基底上制备有序一维纳米阵列的方法，包括以下步骤：S1：准备通孔阳极氧化铝模板；S2：将磁控溅射金膜的导电基底放入巯基硅烷溶液浸泡后，再放入盐酸中浸泡；S3：将所述通孔阳极氧化铝模板贴在经步骤S2处理后的所述导电基底的金膜上，并进行高温脱水处理；S4：在贴在所述导电基底的金膜上的所述通孔阳极氧化铝模板上电化学沉积合成一维纳米阵列；S5：除去所述通孔阳极氧化铝模板后，并将所述一维纳米阵列表面的水分清洗掉得到站立在所述导电基底上的有序一维纳米阵列。本发明通过将通孔阳极氧化铝模板贴在处理过的导电基底的金膜上，并经电化学沉积后得到高度有序的一维纳米阵列。