公开(公告)号：CN105699331B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201610211591.6

申请日：2016-04-06

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 孙树清 ,  张亚飞 ,  王桂强

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/55

Abstract: 本发明公开了种光波导传感芯片及其制备方法以及应用,制备方法包括以下步骤:1)在基底材料上制备金膜得到金膜基底,将金膜基底进行处理:浸入巯基硅烷溶液中处理后用酸溶液处理;或者,浸入巯基烷醇溶液中处理;2)将金膜基底直接浸入温度为60~70℃的溶液中静置48~120h,至生长出所需厚度的二氧化硅薄膜;所述液为十六烷基三甲基溴化铵、水、乙醇、质量分数为25%的浓氨水和正硅酸乙酯的混合溶液;其中,乙醇:水:浓氨水:正硅酸乙酯的体积比为(18~20):(30~32):(0.004~0.032):(0.032~0.048),每50mL的混合溶液中包含0.08~0.12g的十六烷基三甲基溴化铵;3)干燥处理。本发明的制备过程简单,且易于控制生成的二氧化硅薄膜的厚度从而达到超高灵敏度。

公开(公告)号：CN105699331A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610211591.6

申请日：2016-04-06

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 孙树清 ,  张亚飞 ,  王桂强

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/55

CPC classification number: G01N21/41 ,  G01N21/55 ,  G01N2021/557

Abstract: 本发明公开了一种光波导传感芯片及其制备方法以及应用，制备方法包括以下步骤：1)在基底材料上制备金膜得到金膜基底，将金膜基底进行处理：浸入巯基硅烷溶液中处理后用酸溶液处理；或者，浸入巯基烷醇溶液中处理；2)将金膜基底直接浸入温度为60～70℃的溶液中静置48～120h，至生长出所需厚度的二氧化硅薄膜；所述液为十六烷基三甲基溴化铵、水、乙醇、质量分数为25％的浓氨水和正硅酸乙酯的混合溶液；其中，乙醇：水：浓氨水：正硅酸乙酯的体积比为(18～20):(30～32):(0.004～0.032):(0.032～0.048)，每50mL的混合溶液中包含0.08～0.12g的十六烷基三甲基溴化铵；3)干燥处理。本发明的制备过程简单，且易于控制生成的二氧化硅薄膜的厚度从而达到超高灵敏度。

公开(公告)号：CN104991088A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510338950.X

申请日：2015-06-17

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 孙树清 ,  丁宇 ,  张亚飞

IPC: G01Q30/02

Abstract: 一种光波导传感芯片的制备方法，包括：将金膜基底浸入巯基硅烷的有机溶液中处理；将处理后的金膜基底用酸溶液处理；将多孔的阳极氧化铝薄膜粘贴于金膜表面；将粘贴于金膜表面的多孔的氧化铝膜浸入十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、水、乙醇、浓氨水和正硅酸乙酯(TEOS)的混合溶液中，静置一段时间；将处理后的产品用酸溶液处理以去除多孔的氧化铝膜。一种光波导传感芯片及其用于非标记光学生物检测或重金属离子检测的用途，该光波导传感芯片是所述方法制备的基于纳米柱阵列薄膜的光波导传感芯片。该光波导传感芯片可用于进行高灵敏度的非标记光学生物检测或重金属离子检测。