一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构

    公开(公告)号:CN112133808B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202010775492.7

    申请日:2020-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构,包括安装座、固定座和芯片板,安装座的底部贯穿固定座的顶部并延伸至固定座的内腔,固定座的内腔开设有与安装座的表面适配的安装槽,安装座的内腔与芯片板的表面活动连接,本发明涉及芯片封装结构技术领域。该全彩氮化镓基芯片立式封装结构,在对芯片板进行安装时,将芯片板和固定架均插接进安装座内,然后在固定架与安装座之间的缝隙里填充封装胶,将固定架和安装座之间胶合住,然后将支撑架套设在芯片板表面,将支撑架插接进支撑槽内,通过支撑架对芯片板进行支撑限位,可以快速对芯片板进行封装,使得封装效率大大提高,封装工艺简化,操作简单,使用效果好。

    一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构

    公开(公告)号:CN112133808A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202010775492.7

    申请日:2020-08-05

    Abstract: 本发明公开了一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构,包括安装座、固定座和芯片板,安装座的底部贯穿固定座的顶部并延伸至固定座的内腔,固定座的内腔开设有与安装座的表面适配的安装槽,安装座的内腔与芯片板的表面活动连接,本发明涉及芯片封装结构技术领域。该全彩氮化镓基芯片立式封装结构,在对芯片板进行安装时,将芯片板和固定架均插接进安装座内,然后在固定架与安装座之间的缝隙里填充封装胶,将固定架和安装座之间胶合住,然后将支撑架套设在芯片板表面,将支撑架插接进支撑槽内,通过支撑架对芯片板进行支撑限位,可以快速对芯片板进行封装,使得封装效率大大提高,封装工艺简化,操作简单,使用效果好。

    一种氮化镓基大功率芯片散热结构

    公开(公告)号:CN111968952A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202010774407.5

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构,包括散热底板、安装底座,所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层,所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆,四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板,所述顶板上设置有移动散热机构,散热底板上设置有卡紧安装机构,本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构,通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合,便于带动回形框左右往复运动,进一步可带动移动风扇左右运动,能对芯片整体进行散热,且通过移动风扇的左右移动,可防止芯片表面积累灰层,使得散热效果更佳。

    面向多种应用需求的光储微电网容量配置方法及系统

    公开(公告)号:CN119298127A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411325922.X

    申请日:2024-09-23

    Abstract: 一种面向多种应用需求的光储微电网容量配置方法及系统,涉及电网技术领域,多种应用需求包括经济指标、环境保护指标和可靠性指标;所述多种应用需求关注包括光伏发电和净负荷功率在内的不确定性变量的功率输出、功率波动和极端情况;基于所述多种应用需求,通过场景生成和聚类构建包括正常场景、波动场景和极端场景的场景集合;构建多种应用需求的储能容量配置模型,所述经济指标设为目标,其他应用需求建模为约束,考虑极端场景下的储能性能,目标是最小化系统总规划和运行成本,约束包括电力系统运行约束和应用需求约束。本发明的有益效果是通过对储能最优容量以及输出功率的高效决策,有效减少了储能运行周期内的总经济成本。

    一种氮化镓基大功率芯片散热结构

    公开(公告)号:CN111968952B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202010774407.5

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构,包括散热底板、安装底座,所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层,所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆,四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板,所述顶板上设置有移动散热机构,散热底板上设置有卡紧安装机构,本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构,通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合,便于带动回形框左右往复运动,进一步可带动移动风扇左右运动,能对芯片整体进行散热,且通过移动风扇的左右移动,可防止芯片表面积累灰层,使得散热效果更佳。

    一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置

    公开(公告)号:CN111979514A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010775602.X

    申请日:2020-08-05

    Abstract: 本发明提供了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置,属于真空溅射领域技术领域。该用于快速制备氮化镓薄膜的装置包括供气组件、制备组件、溅射电解组件以及冷却组件。所述隔板连接在所述第一罐体的内部,所述氩气收集腔的一侧与所述氮气收集腔的底端设置有出气口,所述第一管道和所述第二管道的一端与所述出气口连通,所述第一吸气泵的输入端与所述第一管道和所述第二管道连接。所述电机固定在所述第二罐体的上端,所述转轴设置在所述第二罐体的内部,所述转轴的一端与所述电机的输出端转动连接,所述固定板与所述转轴的另一端固定连接,有利于控制氮气和氩气注入量,稳固了镓的形态,提高了氮化镓薄膜制备的质量。

Patent Agency Ranking