一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器

    公开(公告)号:CN103399349A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310320137.0

    申请日:2013-07-26

    Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器,涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本发明包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极,聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表,其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管;碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接,并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面;所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接;太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明,当太赫兹波照射在该异质结上时,回路中即可产生显著的电流。本发明器件结构简单,制作方便,其响应时间为毫秒量级。

    一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器

    公开(公告)号:CN203365697U

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201320452503.3

    申请日:2013-07-26

    Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器,涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本实用新型包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极,聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表,其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管;碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接,并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面;所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接;太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明,当太赫兹波照射在该异质结上时,回路中即可产生显著的电流。本实用新型器件结构简单,制作方便,其响应时间为毫秒量级。

    便携式电磁波安检设备及安全检测方法

    公开(公告)号:CN118377058A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410444944.1

    申请日:2024-04-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本公开涉及安全检测领域,尤其涉及一种便携式电磁波安检设备及安全检测方法。所述设备包括设备本体内部的数据处理模块、设置在设备本体上的电磁波发射源和电磁波探测器;电磁波发射源用于发射电磁波至被测区域;电磁波探测器用于接收被测区域反射的电磁波,将反射的电磁波转换为电信号,将电信号输入至数据处理模块;数据处理模块用于根据输入的电信号确定被测区域是否包括异常对象。本公开实施例提供的便携式电磁波安检设备没有采用成像检测方法,这种非成像式的电磁波安检设备大大降低了制造成本、能耗、设备质量和体积,可以便捷地近距离扫描人体的任何区域,对金属和非金属目标均可探测,极大提升了设备的使用便捷性和安检准确度。

    一种探测装置和实现太赫兹波探测的方法

    公开(公告)号:CN113175991A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110298258.4

    申请日:2021-03-19

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本文公开一种探测装置和实现太赫兹波探测的方法,本发明实施例探测装置包括:构成电磁谐振阵列的两个以上探测单元,探测单元包括:沟道、正金属电极、负金属电极和电磁谐振结构;其中,正金属电极和负金属电极欧姆接触于沟道的两端,且仅通过沟道电连接;电磁谐振结构用于产生电磁谐振。本发明实施例基于构成电磁谐振阵列的两个以上探测单元实现了探测单元的阵列排布设计,通过阵列排布的探测单元提升了太赫兹波探测的灵敏度。

    毫米波太赫兹成像质量提升方法及成像系统

    公开(公告)号:CN112184607A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011032520.2

    申请日:2020-09-27

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种毫米波太赫兹成像质量提升方法及成像系统,包括:获得被测对象的毫米波太赫兹成像的水平极化图像和垂直极化图像;将所述水平极化图像和垂直极化图像进行图像特征提取,转换得到联合特征图像;对所联合特征图像进行检测处理,得到倒影区域图像;将倒影区域像素替换为毫米波太赫兹成像的背景像素。所述方法及系统能够提高目标检测能力和图像视觉感知度。

    一种基于红外和太赫兹的体温测量方法、装置及安检设备

    公开(公告)号:CN111297336A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010112143.7

    申请日:2020-02-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请实施例提供一种基于红外和太赫兹的体温测量方法、装置及安检设备,所述方法包括:获取被测人体的第一部位的红外亮温;其中,所述第一部位为裸露的部位;获取所述被测人体的第一部位的太赫兹亮温和所述被测人体的第二部位的太赫兹亮温;其中,所述第二部位是与所述第一部位是不相同的部位;根据所述第一部位的红外亮温和所述第一部位的太赫兹亮温,对所述第二部位的太赫兹亮温进行校准,获得所述被测人体的体温。如此,能够提高人体温度的测量准确度。

    超宽带光谱探测装置和方法

    公开(公告)号:CN110864805A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201911017236.5

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 本发明提供一种超宽带光谱探测装置和方法,其中的装置包括基底以及设置在基底上的至少一个探测单元;其中,探测单元包括设置在基底上的沟道材料层以及间隔设置在沟道材料层上的两个金属电极;两个金属电极包括源极电极和漏极电极;两个金属电极分别与沟道材料层的纵向方向的两端进行欧姆接触,金属电极与沟道材料层形成异质结。利用上述发明能够实现紫外至太赫兹波段的超宽带光谱探测,灵敏度高、响度速度快。

    一种转角二维材料的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120015704A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510067615.4

    申请日:2025-01-15

    Abstract: 本发明属于二维材料技术领域,具体涉及一种转角异质结的制备方法。所述制备方法在制备二维材料薄片时,基于亲水性聚合物层表面平整、粘性强的特点,可以实现在有亲水性聚合物薄膜层的硅衬底上剥离出大面积的二维材料,且剥离过程干净,对二维材料无损伤;在制备转角异质结时,基于范德瓦尔斯力拾取的转移方法,并通过调节转移介质的形状和大小,使得中间二维材料或活性界面在整个转移过程中不会接触任何聚合物,从而大大减少了异质界面的污染,实现了高效快捷、无聚合物残留、界面无气泡的范德瓦尔斯异质结构的制备。

    局部多发多收天线阵列、实时成像系统和实时安检装置

    公开(公告)号:CN114646975B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202210225255.2

    申请日:2022-03-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请涉及一种局部多发多收天线阵列、实时成像系统和实时安检装置,所述天线阵列包括:多个发射天线模块、多个接收天线模块和光波收发机,其中,多个发射天线模块和多个接收天线模块分别与光波收发机连接,多个发射天线模块与多个接收天线模块在一条直线上间隔排列。光波收发机用于产生第一光波束,发射天线模块用于发射第一光波束,第一光波束被待测目标反射形成第二光波束,光波收发机还用于控制与发射天线模块相邻的接收天线模块接收第二光波束。采用上述局部多发多收天线阵列、实时成像系统和实时安检装置可以得到更全面的待测目标的图像信息,提高成像系统的图像清晰度。

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