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公开(公告)号：CN103399349A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310320137.0
申请日：2013-07-26
Applicant: 清华大学 , 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器，涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本发明包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极，聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表，其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管；碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接，并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面；所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接；太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明，当太赫兹波照射在该异质结上时，回路中即可产生显著的电流。本发明器件结构简单，制作方便，其响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN203365697U
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201320452503.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 清华大学 , 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器，涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本实用新型包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极，聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表，其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管；碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接，并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面；所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接；太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明，当太赫兹波照射在该异质结上时，回路中即可产生显著的电流。本实用新型器件结构简单，制作方便，其响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN100483769C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710064947.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L49/00
Abstract: 基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。
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公开(公告)号：CN100356149C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510011175.3
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 多壁碳纳米管束-金属异质结的光电子传感器和成像仪探头，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的多壁碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束一金属异质结，并从金属导电薄膜和碳纳米管束的另一端分别引出电极，构成基本的光电子传感器元件。将若干个光电子传感器排列成一维阵列或二维阵列，可分别构成线阵扫描式动态成像仪探头和面阵静态成像仪探头。工作时，用导线把两电极和电信号检测设备相连接构成回路，当有光束照射在异质结上时，回路中即可产生光致电流，当光强增加时，光致电流会增加，反之，光致电流会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快，光电响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN1327202C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510011171.5
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于无序多壁碳纳米管-金属异质结的温度传感器，涉及一种基于无序多壁碳纳米管-金属异质结的温度传感器及其制作方法。该温度传感器包括绝缘绝热管，填充在绝缘绝热管内的多壁碳纳米管粉末柱，设置在多壁碳纳米管粉末柱一端且与碳纳米管粉末柱紧密接触形成碳纳米管-金属异质结的金属温度探头以及封压在碳纳米管粉末柱另一端的导电金属块。工作时，先把电极和外电路测量仪表相连接，然后将金属温度探头与被测物体相接触，这样，由于碳纳米管-金属异质结的存在，电路中会产生随温度变化的热致电流。该温度传感器不仅结构简单，制作方便，成本低廉，而且可测量温度范围宽，在大范围内均能保证同样的测量精度，对温度的响应时间快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1632477A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510011175.3
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 多壁碳纳米管束—金属异质结的光电子传感器和成像仪探头，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的多壁碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束—金属异质结，并从金属导电薄膜和碳纳米管束的另一端分别引出电极，构成基本的光电子传感器元件。将若干个光电子传感器排列成一维阵列或二维阵列，可分别构成线阵扫描式动态成像仪探头和面阵静态成像仪探头。工作时，用导线把两电极和电信号检测设备相连接构成回路，当有光束照射在异质结上时，回路中即可产生光致电流，当光强增加时，光致电流会增加，反之，光致电流会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快，光电响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN102694051B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210182614.7
申请日：2012-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线；透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置；透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜；双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜，双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列；绝缘层中部含有一个透光窗口，碳纳米管薄膜通过透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触；电子接收层采用钛薄片；上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连；钛薄片下表面与下电极引线相连接。本发明具有较高的光电响应灵敏度，其结构简单且制作方便。
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公开(公告)号：CN100470242C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410101814.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种基于光致电导变化率的碳纳米管检测及定性分类方法，涉及碳纳米管分类及检测技术。本发明是将具有宏观长度的碳纳米管束构成的细丝的两端分别与金属电极相连接，然后再将电极与测量源表相连接构成回路。检测时，用光束直接照射在碳纳米管束丝的中部，回路中的总电导会发生显著变化，其光致电导变化率(Δσ)的符号对应于不同的碳纳米管可正可负，依此将光致电导变化率为负值(Δσ＜0)的一类碳纳米管叫阴性碳纳米管，反之，将光致电导变化率为正值(Δσ＞0)的一类碳纳米管叫阳性碳纳米管，实验数据表明，光致电导变化率的符号和绝对值的大小反应了碳纳米管的直径、管壁层数以及纯净度等特性。
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公开(公告)号：CN1327201C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510011170.0
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于有序多壁碳纳米管束-金属异质结的温度传感器，涉及一种碳纳米管束-金属异质结的温度传感器。它是将具有宏观长度有序的碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束-金属异质结，然后，从金属导电薄膜和碳纳米管束的尾端分别引出电极，构成温度传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接构成回路，当异质结上的温度相对于碳纳米管束尾端的温度变化时，回路中即可产生热致电流，该电流的强度依赖于碳纳米管束两端表面的温差，即当温差增加时，热致电流也会增加，反之，温差减小时，热致电流也会减小。该温度传感器具有结构简单，制作方便，其响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN1640810A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410101815.5
申请日：2004-12-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于宏观长多壁碳纳米管束的正光控电导器件，涉及一种光电子学器件。该器件是由一根多壁碳纳米管束丝、两个金属电极以及石英玻璃罩组成，即把多壁碳纳米管细丝的两端分别与两个金属电极相连接，然后将其封装在石英玻璃罩内。工作时，将金属电极和外电路相连接，然后用一光束通过石英玻璃罩直接照射在碳纳米管丝的中部，实验表明，当光束强度增加时，器件的总电导会增加；当光束强度减小时，器件的总电导会下降。但无论入射光束强度大小如何，该器件的总电导变化率始终大于或等于零。本发明结构简单，制作方便；而且入射光波长响应范围宽，可响应405nm～1064nm波长的光，其光电响应时间小于5秒，是一种新型的光控电导器件。
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