一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法

    公开(公告)号:CN103792842B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410031124.6

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法,属于化学气相沉积技术领域。在基台金属基底上设置若干个绝缘层,绝缘层将基台金属基底分成不同直径的环形或扇形区域;在基台金属基底内部、各绝缘层分隔的环形或扇形区域内,分别设置若干个可调电阻电容和阻抗检测单元;可调电阻电容用于对功率场空间分布进行调节,阻抗检测单元用于对该区域功率空间分布进行检测;控制模块能够对功率空间分布进行精准控制,使其逼近预期功率空间分布要求。通过绝缘层,减小相邻区域间的导电性,使得不同区域间的控制更加独立。进而通过在不同区域设置独立可控的功率调节装置,实现对功率场空间分布具有灵活和精细化的调控能力。

    一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头

    公开(公告)号:CN103789748A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201410031238.0

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积设备领域,特别涉及一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头。该喷淋头上设置若干个台阶形的喷淋孔,喷淋孔由上部直径较大的圆孔和下部直径较小的圆孔构成;通过使台阶深度、大孔孔径、小孔孔径中的一个或多个参数从喷淋头板面中心到边缘逐渐增大,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大,实现了喷淋头板面阻抗分布的调整,进而实现了对工艺腔室内气流分布的调节。本发明的设计方案廉价、高效,仅通过对喷淋头小孔配置进行连续性设计,即实现了对工艺腔室内气流分布的精细化调节,进而实现了对工艺品质分布精细化调节。

    用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法

    公开(公告)号:CN103726034A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201410029395.8

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法。其中所述托盘包括:绝缘隔热层,绝缘隔热层在同一平面上组成多个相互绝缘和/或隔热的子区域;多个子基底,多个子基底分别设置在多个相互绝缘和/或隔热的子区域中,其中,多个子基底由具有阻抗性能的介质材料构成。所述基台包括:绝缘隔热层,绝缘隔热层在同一平面上组成多个相互绝缘和/或隔热的子区域;多个子基底,多个子基底分别设置在多个相互绝缘和/或隔热的子区域中;控制装置,用于对多个子基底的温度和/或功率进行控制。本发明实施例的阻抗型托盘及阵列控制型基台,均可实现晶片上多个子区域相互独立的温度及功率控制,从而实现温度场与功率分布的精细化调控。

    一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头

    公开(公告)号:CN103789748B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201410031238.0

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积设备领域,特别涉及一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头。该喷淋头上设置若干个台阶形的喷淋孔,喷淋孔由上部直径较大的圆孔和下部直径较小的圆孔构成;通过使台阶深度、大孔孔径、小孔孔径中的一个或多个参数从喷淋头板面中心到边缘逐渐增大,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大,实现了喷淋头板面阻抗分布的调整,进而实现了对工艺腔室内气流分布的调节。本发明的设计方案廉价、高效,仅通过对喷淋头小孔配置进行连续性设计,即实现了对工艺腔室内气流分布的精细化调节,进而实现了对工艺品质分布精细化调节。

    调节温度场和/或等离子场的阻抗可控模块

    公开(公告)号:CN104947088A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510334029.8

    申请日:2015-06-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种调节温度场和/或等离子场的阻抗可控模块,所述阻抗可控模块被设置于化学气相沉积设备基台与衬底之间,所述阻抗可控模块平面区域内不同位置处具有不同的导热特性以改变化学气相沉积设备工艺腔室内的温度场分布,和/或所述阻抗可控模块平面区域内不同位置处具有不同的介电常数,以改变化学气相沉积设备工艺腔室内的等离子场分布。利用本发明的调节温度场和/或等离子场的阻抗可控模块,能够实现温度场和/或等离子场空间分布的灵活、精细化调控,低成本而高效,为实现大面积精细调控温度场和/或等离子场的空间分布技术提供了一种有效的解决方案。

    用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法

    公开(公告)号:CN103726034B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410029395.8

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于工艺腔室的基台及其控制方法、托盘及其设计方法。其中所述托盘包括:绝缘隔热层,绝缘隔热层在同一平面上组成多个相互绝缘和/或隔热的子区域;多个子基底,多个子基底分别设置在多个相互绝缘和/或隔热的子区域中,其中,多个子基底由具有阻抗性能的介质材料构成。所述基台包括:绝缘隔热层,绝缘隔热层在同一平面上组成多个相互绝缘和/或隔热的子区域;多个子基底,多个子基底分别设置在多个相互绝缘和/或隔热的子区域中;控制装置,用于对多个子基底的温度和/或功率进行控制。本发明实施例的阻抗型托盘及阵列控制型基台,均可实现晶片上多个子区域相互独立的温度及功率控制,从而实现温度场与功率分布的精细化调控。

    一种用于调节温度和功率空间分布的梯度阻抗模块

    公开(公告)号:CN103757608B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201410030834.7

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于化学气相沉积工艺腔室物理场耦合技术领域,特别涉及一种用于调节温度和功率空间分布的梯度阻抗模块。该阻抗模块设置在化学气相沉积设备的基台和衬底之间,阻抗模块由阻抗模块绝缘隔热层分隔为若干个阻抗介质区;阻抗模块一侧为平面,另一侧为空间曲面,通过改变阻抗模块空间曲面一侧的外形,或者各个阻抗介质区采用不同的填充介质,使得阻抗模块的阻抗在法平面内具有一定的分布梯度,进而实现透过该模块的能量在法平面内具有一定分布梯度。本发明无需改变原有设备结构,只需增加一个阻抗模块,且针对不同的调控需求,仅需更换不同的阻抗模块,该方案运用模块化思想,廉价、高效,为实现多物理场空间分布的调控提供了一种有效的解决方案。

    一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法

    公开(公告)号:CN103792974B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201410031142.4

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法,属于加热盘的精细控制技术领域。在加热盘金属基体上设置若干个隔热层,隔热层将加热盘金属机体分成不同直径的环形或扇形区域;在加热盘金属基体内部、各隔热层分隔的环形或扇形区域内,分别设置若干个温度传感器、加热棒及冷却装置;由控制模块控制加热棒加热或冷却装置制冷,对温度空间分布进行精准控制,使其逼近预期温度空间分布要求。本发明通过隔热层,减小相邻区域间的热扩散效应,使得不同区域间的控制更加独立,进而通过在不同区域设置独立可控的加热与冷却装置,实现对该区域温度的双向快速调节,最终实现对温度场空间分布双向、快速、灵活及精细化的调控能力。

    一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法

    公开(公告)号:CN103792974A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201410031142.4

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法,属于加热盘的精细控制技术领域。在加热盘金属基体上设置若干个隔热层,隔热层将加热盘金属机体分成不同直径的环形或扇形区域;在加热盘金属基体内部、各隔热层分隔的环形或扇形区域内,分别设置若干个温度传感器、加热棒及冷却装置;由控制模块控制加热棒加热或冷却装置制冷,对温度空间分布进行精准控制,使其逼近预期温度空间分布要求。本发明通过隔热层,减小相邻区域间的热扩散效应,使得不同区域间的控制更加独立,进而通过在不同区域设置独立可控的加热与冷却装置,实现对该区域温度的双向快速调节,最终实现对温度场空间分布双向、快速、灵活及精细化的调控能力。

    一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法

    公开(公告)号:CN103792842A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201410031124.6

    申请日:2014-01-22

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法,属于化学气相沉积技术领域。在基台金属基底上设置若干个绝缘层,绝缘层将基台金属基底分成不同直径的环形或扇形区域;在基台金属基底内部、各绝缘层分隔的环形或扇形区域内,分别设置若干个可调电阻电容和阻抗检测单元;可调电阻电容用于对功率场空间分布进行调节,阻抗检测单元用于对该区域功率空间分布进行检测;控制模块能够对功率空间分布进行精准控制,使其逼近预期功率空间分布要求。通过绝缘层,减小相邻区域间的导电性,使得不同区域间的控制更加独立。进而通过在不同区域设置独立可控的功率调节装置,实现对功率场空间分布具有灵活和精细化的调控能力。

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