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公开(公告)号：CN101022217A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710063246.3
申请日：2007-01-05
IPC: H02H9/02
Abstract: 故障限流器直流控制系统，属于饱和铁芯型电力线路故障限流器技术领域，具特征在于含有：磁能释放回路、快速开关IGBT1、励磁恢复回路、恒流回路以及快速开关IGBT2。磁能释放回路由压敏电阻箝位、大电容C1吸收能量，可控高电压电源来解决磁能释放时间。励磁恢复回路通过快速开关2的导通来提供恢复励磁的能量，利用可控中电压源来调整励磁恢复时间。恒流回路在正常状态维持磁通。本发明用一个与上位机具有通信接口的单片机来实现全自动地完成，三个典型运行状况：限流器稳态运行、限流状态、重合闸状态。
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公开(公告)号：CN102170719B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110058329.X
申请日：2011-03-10
IPC: H02M7/5387 , H03L7/06 , H05B6/06
Abstract: 具有开关器件反压限制功能的感应加热电源相位跟踪系统，属于感应加热电源的相位跟踪技术领域。本发明在PLL锁相跟踪电路中，在鉴相器的输入端在对实际负载电压进行采样、第一整形电路、调整延时、第二整形电路后加入一个开关器件反压限制电路，该电路包括：自动调整延时的负载电压相位方波信号形成电路，感应加热电源中开关器件所串联二极管承受的反向电压的峰值采样电路以及PID控制电路，以便根据所述的反向电压的大小自动调整负载电压相位方波信号(u)的延时补偿时间，去改变负载电压相位信号(u0)和开关器件开关换流相位信号(i0)之间的相位差，改善相位跟踪特性，以避免开关器件所串联二极管所承受负载反向电压过高引起的损坏。
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公开(公告)号：CN100470991C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710063246.3
申请日：2007-01-05
IPC: H02H9/02
Abstract: 故障限流器直流控制系统，属于饱和铁芯型电力线路故障限流器技术领域，其特征在于含有：磁能释放回路、第一快速开关IGBT1、励磁恢复回路和恒流回路。磁能释放回路由压敏电阻箝位、第一电容C1吸收能量、可控高压电压源来解决磁能释放时间控制。第一快速开关IGBT1断开时，磁能释放回路起磁能释放作用。励磁恢复回路通过第二快速开关IGBT2的导通来提供恢复励磁的能量，利用可控中压电压源来调整励磁恢复时间。恒流回路在正常状态时维持磁通。本发明用一个与上位机具有通信接口的单片机来实现全自动地完成，三个典型运行状况：限流器稳态运行、限流状态、重合闸状态。
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公开(公告)号：CN102820225A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210285197.9
申请日：2012-08-10
IPC: H01L21/329 , H01L21/225
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，其后在二次磷扩散和硼铝扩散过程中，一次磷扩散的结深继续推进，最终一次磷扩散比二次磷扩散的结深深出20μm左右，一次磷扩散前沿浓度小于1×1015/cm－3区域的深度不少于15μm；采用无缺陷区熔硅单晶和扩散型缓冲层，可以大幅提高快速软恢复二极管的电压和电流水平。
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公开(公告)号：CN102170719A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110058329.X
申请日：2011-03-10
IPC: H05B6/06
Abstract: 具有开关器件反压限制功能的感应加热电源相位跟踪系统，属于感应加热电源的相位跟踪技术领域。本发明在PLL锁相跟踪电路中，在鉴相器的输入端在对实际负载电压进行采样、第一整形电路、调整延时、第二整形电路后加入一个开关器件反压限制电路，该电路包括：自动调整延时的负载电压相位方波信号形成电路，感应加热电源中开关器件所串联二极管承受的反向电压的峰值采样电路以及PID控制电路，以便根据所述的反向电压的大小自动调整负载电压相位方波信号(u)的延时补偿时间，去改变负载电压相位信号(u0)和开关器件开关换流相位信号(i0)之间的相位差，改善相位跟踪特性，以避免开关器件所串联二极管所承受负载反向电压过高引起的损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117945671A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410008320.5
申请日：2024-01-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种降低封接层气孔率的方法及其应用。一种降低封接层气孔率的方法，将封接玻璃作为焊料置于焊接处进行封接处理，包括：将玻璃焊料源在预设温度下烧结形成熔融态玻璃焊料；对所述熔融态玻璃焊料施加微观穿透动能，所述熔融态玻璃焊料中的气泡移溢，再经过冷却、固化得到低气孔率的封接层，所述微观穿透动能包括向所述熔融态玻璃焊料施加磁场及振动动能中的至少一者形成的微观穿透动能；所述熔融态玻璃焊料添加有平均粒径为10nm‑100μm的磁性金属颗粒。根据本申请实施例，能够快速、高效地排出封接玻璃中的气泡，降低气孔率，从而节约成本。
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公开(公告)号：CN116364316A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310415148.0
申请日：2023-04-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 提供了一种电气贯穿件及其制造方法，该电气贯穿件包括导针、壳体、玻璃以及内引导面和/或外引导面。壳体位于导针的径向外侧。玻璃位于导针和壳体之间，使导针和壳体彼此绝缘。玻璃与导针限定轴向内异质界面，玻璃与壳体限定轴向外异质界面。内引导面与玻璃限定内裂纹面，内裂纹面从玻璃的轴向端面延伸至轴向内异质界面。外引导面与玻璃限定外裂纹面，外裂纹面从玻璃的轴向端面延伸至轴向外异质界面。这样，电气贯穿件能够具有较好的稳定性和耐久性。
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公开(公告)号：CN112786263A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110035104.6
申请日：2021-01-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于核反应堆工程领域，特别涉及一种具有可调参数绝缘介质的电气贯穿件，包括主绝缘结构、辅助绝缘结构、导体、法兰、玻璃、硅胶层和固定螺钉。主绝缘结构位于导体与法兰之间，在导体方向上延伸，超出法兰的长度，主绝缘结构远离导体的一侧有一个凸台。辅助绝缘结构位于主绝缘结构远离导体的另一侧。主绝缘结构的材料是介电常数小、电阻率高、电导率低的材料，主绝缘结构采用聚醚醚酮，用于降低绝缘介质表面场强。辅助绝缘结构的材料是可变电导材料，辅助绝缘结构在绝缘材料中掺杂金属氧化物获得可变电导材料，用于改善绝缘介质表面电场的不均匀分布，防止局部出现电场高点。
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公开(公告)号：CN104637998B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510065280.9
申请日：2015-02-06
Applicant: 清华大学 , 北京卅普科技有限公司
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了属于功率半导体器件可靠性技术的一种提高晶闸管抗干扰能力的方法。首先对现有结构的晶闸管进行解析，通过解析来得到提高晶闸管门极触发参数的途径；本发明采用引信电路中一种常用的TO‑252封装外形；以及采用在晶闸管门极串联或反串联稳压二极管的方式，并将晶闸管芯片与稳压二极管芯片集成在同一封装管壳内部；由此既提高了晶闸管的门极触发电压，又保证了二极管与门极之间的引线足够短，保证了晶闸管的可靠触发，解决了引信由于爆轰干扰而产生的误动作问题，从而有效提高晶闸管的抗干扰能力；大大提高了武器装备的精准度和可靠性，对我国武器装备的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105514152A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510883963.5
申请日：2015-12-04
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了功率金属氧化物半导体场效应晶体管，该功率MOSFET包括：衬底、外延区、阱区、源区、沟道区、栅介质、栅、隔离介质及源极金属，其中，沟道区的掺杂量不低于2e18/cm3。该功率MOSFET可以有效提高器件的抗单粒子烧毁能力，且器件的导通电阻几乎不会增加，最大限度的保持了器件的电性能。
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