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公开(公告)号：CN1327459C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410009791.0
申请日：2004-11-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有可控磁各向异性的磁性颗粒薄膜及其制备方法，涉及一种在高频通讯芯片中用于集成电感器件的纳米颗粒型磁性薄膜及其制备工艺。本发明使用非连续多层膜交替磁控溅射法，得到坡莫合金-SiO2磁性纳米颗粒薄膜，所述的坡莫合金在薄膜中的体积分数xj′在50%～80%之间，且坡莫合金在非晶绝缘介质SiO2基体中以颗粒状存在并连通成复杂的网络或镶嵌于SiO2基体中，其结构单元的直径为1～10nm。该薄膜具有高饱和磁化强度和高磁导率、高电阻率、可调节的合适的磁各向异性以及可精确控制的金属体积分数，并且制备过程与半导体集成电路制造工艺相兼容并适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN1195096C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02155411.0
申请日：2002-12-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于光增强材料范围中的一种含锑纳米复合薄膜及其制备方法。本发明是利用磁控溅射方法，采用复合靶和多层制法，在基板上沉积一层含锑纳米复合薄膜，该薄膜由金属锑的纳米级颗粒在绝缘体内按一定的体积分数比呈无序分布。具有许多块体金属或块体绝缘体都不具备的特殊性质，如可以产生巨大的光场起伏，起光增强作用，即在光学近场的范围内局域场的强度可能大大超过入射场的强度。该薄膜可应用于光储存，光电子器件，光学显微技术以及光谱分析中提高局域光强或提高分辨率。
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公开(公告)号：CN1415778A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02155411.0
申请日：2002-12-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于光增强材料范围中的一种含锑纳米复合薄膜及其制备方法。本发明是利用磁控溅射方法，采用复合靶和多层制法，在基板上沉积一层含锑纳米复合薄膜，该薄膜由金属锑的纳米级颗粒在绝缘体内按一定的体积分数比呈无序分布。具有许多块体金属或块体绝缘体都不具备的特殊性质，如可以产生巨大的光场起伏，起光增强作用，即在光学近场的范围内局域场的强度可能大大超过入射场的强度。该薄膜可应用于光储存，光电子器件，光学显微技术以及光谱分析中提高局域光强或提高分辨率。
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公开(公告)号：CN1188725C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02155412.9
申请日：2002-12-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于光学显微技术范围的一种提高远场光学显微镜分辨率的方法。本方法是利用均匀的照明光穿过无序金属-绝缘膜层时产生巨大的光起伏，相当于无数亚波尺度光源同时进行近场照明的效果，以及无序金属-绝缘体介质与样品之间的光耦合作用，使显微镜的分辨能力大大提高这一原理，在现有光学显微镜的光路中的载物台上放置一表面涂覆有无序金属-绝缘膜层的载玻片，使该显微镜在最优条件下的可分辨的最小距离减小到原来的2/5。本发明应用于提高光学显微镜的分辨率，简便有效、改造成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1412593A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02155412.9
申请日：2002-12-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于光学显微技术范围的一种提高远场光学显微镜分辨率的方法。本方法是利用均匀的照明光穿过无序金属一绝缘膜层时产生巨大的光起伏，相当于无数亚波尺度光源同时进行近场照明的效果，以及无序金属一绝缘体介质与样品之间的光耦合作用，使显微镜的分辨能力大大提高这一原理，在现有光学显微镜的光路中的载物台上放置一表面涂复有无序金属一绝缘膜层的载玻片，使该显微镜在最优条件下的可分辨的最小距离减小到原来的2/5。本发明应用于提高光学显微镜的分辨率，简便有效、改造成本低。
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公开(公告)号：CN1395241A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02123649.6
申请日：2002-07-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 含有无序纳米复合薄膜的光存储介质及其应用，属于光存储器技术领域，其特征在于它含有：第一间隔层；第二间隔层；夹于第一间隔层和第二间隔层之间的无序纳米复合薄膜结构层，它含有以下组分：透光能力较好的绝缘体或宽能隙半导体；金属、半金属或半导体的任何一种或多种，它的体积分数为0.3～0.7；上述两种组分的分散方式是随机无序分布的颗粒或分形结构，它们的单元直径在0.5～50nm之间。相应地，提出了用上述光存储介质制造的可擦写光盘和只读光盘的结构。这种光存储介质具有光学近场范围内的局域表面等离子体光增强以及超衍射分辨的作用，可以实现超高密度光存储，同时这种光存储介质还具有热稳定性高，透光性好，光能利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN1632892A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410009791.0
申请日：2004-11-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种具有可控磁各向异性的磁性颗粒薄膜及其制备方法，涉及一种在高频通讯芯片中用于集成电感器件的纳米颗粒型磁性薄膜及其制备工艺。本发明使用非连续多层膜交替磁控溅射法，得到玻莫合金－SiO2磁性纳米颗粒薄膜，所述的玻莫合金在薄膜中的体积分数xV在50％～80％之间，且玻莫合金在非晶绝缘介质SiO2基体中以颗粒状存在并连通成复杂的网络或镶嵌于SiO2基体中，其结构单元的直径为1～10nm。该薄膜具有高饱和磁化强度和高磁导率、高电阻率、可调节的合适的磁各向异性以及可精确控制的金属体积分数，并且制备过程与半导体集成电路制造工艺相兼容并适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN1157722C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02123649.6
申请日：2002-07-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 含有无序纳米复合薄膜的光存储介质及其应用，属于光存储器技术领域，其特征在于它含有：第一间隔层；第二间隔层；夹于第一间隔层和第二间隔层之间的无序纳米复合薄膜结构层，它含有以下组分：透光能力较好的绝缘体或宽能隙半导体；金属、半金属或半导体的任何一种或多种，它的体积分数为0.3～0.7；上述两种组分的分散方式是随机无序分布的颗粒或分形结构，它们的单元直径在0.5～50nm之间。相应地，提出了用上述光存储介质制造的可擦写光盘和只读光盘的结构。这种光存储介质具有光学近场范围内的局域表面等离子体光增强以及超衍射分辨的作用，可以实现超高密度光存储，同时这种光存储介质还具有热稳定性高，透光性好，光能利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN1352456A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01139830.2
申请日：2001-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: G11B7/24
Abstract: 具有多层可重写相变记录层的多层多阶光盘属于光学数据存储技术领域,其特征在于:盘有透明的衬底,激光从该衬底入射。该衬底支承着至少两个空间上被此隔开但紧靠的多层记录叠层,也可只支承一个多层记录叠层。每个叠层中都包括可重写相变材料制的有效记录层。所有记录叠层都位于光盘系统的物镜焦深范围内,通过调节激光的功率而在不同的记录叠层和记录叠层的组合上记录数据,就可实现多层多阶存储。它具有分层结构简单、存取读出容易、制造工艺简便等优点。
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