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公开(公告)号：CN115274836A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210766713.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN113721444B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111042505.0
申请日：2021-09-06
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法，涉及冷原子频标技术领域，本发明装置由内向外包括中心部分，中心部分为冷原子物理部分，外部为所需的光电部分和微波部分，其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔；所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器；本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案，交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术，突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题，显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113050404B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN111653618A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010378923.6
申请日：2020-05-07
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ-高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ-高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ-高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm-2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ-高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。
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公开(公告)号：CN110190508A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910446995.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S5/068
Abstract: 本发明涉及为了解决法拉第原子滤光器小型化问题，特公开本发明：一种小型化窄线宽半导体激光器，包括半导体激光发射头、准直透镜、小型化法拉第原子滤光器、外腔镜和电路控制单元；其中，半导体激光发射头、小型化法拉第原子滤光器和外腔镜均与电路控制单元电连接；控制电路单元包括控制半导体激光发射头的电流，控制小型化法拉第原子滤光器的温度，控制外腔镜的位移量；半导体激光发射头用于发射激光。本发明以原子跃迁谱线为基准频率，并且同时使用电反馈和光反馈，激光输出频率稳定性高，在此基础上提出了小型化方案，此发明可以大为缩减激光器的体积，节约产生和使用成本，不仅易于使用，还能拓展更多的应用场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113745123B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010461418.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L21/66 , G06F30/337
Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。
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公开(公告)号：CN111653618B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202010378923.6
申请日：2020-05-07
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ‑高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm‑2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ‑高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。
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公开(公告)号：CN113721444A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111042505.0
申请日：2021-09-06
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法，涉及冷原子频标技术领域，本发明装置由内向外包括中心部分，中心部分为冷原子物理部分，外部为所需的光电部分和微波部分，其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔；所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器；本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案，交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术，突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题，显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113050404A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN111707870A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010585876.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化，从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应，热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征，这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。
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