公开(公告)号：CN113720485A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111039609.6

申请日：2021-09-06

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 王秀梅 ,  陈景标 ,  何进 ,  王亮 ,  刘亚轩 ,  高连山 ,  李春来 ,  胡国庆

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了一种漫反射激光冷却冷原子弥散探测的装置和方法，涉及激光冷却技术领域。本发明包括冷原子团、注入光纤和圆柱形腔体，圆柱形腔体为空腔结构，冷原子团设置在圆柱形腔体内部，注入光纤放置在圆柱形腔体一侧，圆柱形腔体一侧设置有第一开口，注入光纤的位置与第一开口的位置相适应，注入光纤一端发散出若干弥散探测光。本发明利用弥散吸收探测技术，有效地增大了冷原子与探测光的相互作用区域，提高了可以被探测到的冷原子数目，实现了提高冷原子利用率的目标，不仅可增大冷原子与探测光的相互作用区域，并解决现有技术中所存在的冷原子利用率低等问题，而且装置结构简单、易实现，且材料和加工成本低。

公开(公告)号：CN113721444A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111042505.0

申请日：2021-09-06

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 王秀梅 ,  陈景标 ,  何进 ,  王亮 ,  刘亚轩 ,  高连山 ,  李春来 ,  胡国庆

IPC: G04F5/14

Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法，涉及冷原子频标技术领域，本发明装置由内向外包括中心部分，中心部分为冷原子物理部分，外部为所需的光电部分和微波部分，其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔；所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器；本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案，交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术，突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题，显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。

公开(公告)号：CN113721444B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202111042505.0

申请日：2021-09-06

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)

Inventor： 王秀梅 ,  陈景标 ,  何进 ,  王亮 ,  刘亚轩 ,  高连山 ,  李春来 ,  胡国庆

IPC: G04F5/14

Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法，涉及冷原子频标技术领域，本发明装置由内向外包括中心部分，中心部分为冷原子物理部分，外部为所需的光电部分和微波部分，其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔；所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器；本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案，交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术，突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题，显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。

公开(公告)号：CN115666191A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211012677.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 秦来香 ,  何进 ,  李春来 ,  魏益群 ,  王秀梅 ,  衣法臻 ,  徐张伟

IPC: H10K71/00 ,  H10K30/80 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40

Abstract: 本发明公开了提高钙钛矿太阳能电池器件稳定性的方法，包括以下步骤：步骤一，设计电池结构；步骤二，制备阴极；步骤三，制备电子传输层；步骤四，制备钙钛矿吸光层；步骤五，制备h‑BN保护层；步骤六，制备空穴传输层；步骤七，制备金属阳极；所述步骤二中，FTO导电玻璃的形状为1.5×2cm的方块，电阻为9‑10Ω，透光率为90％以上；本发明相较于现有的钙钛矿太阳能电池，通过将生长在衬底上的单层或多层的h‑BN二维材料进行图形化处理，然后采用干法转移的方式将其转移到钙钛矿薄膜表面，可以确保h‑BN薄膜完全且均匀的覆盖钙钛矿吸光层，从而有效地隔绝钙钛矿材料和空气中氧和水的接触，因而可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。

公开(公告)号：CN115274836A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210766713.3

申请日：2022-07-01

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 秦来香 ,  魏益群 ,  何进 ,  李春来 ,  王秀梅 ,  胡国庆 ,  岳玉涛

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。