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公开(公告)号：CN118363258B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410797921.9
申请日：2024-06-20
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
IPC分类号： G03F1/80
摘要： 本申请公开了一种掩模版刻蚀方法、装置、设备以及存储介质，本申请涉及半导体制造技术领域，所述掩模版刻蚀装置包括：掩模版支撑台，掩模版固定在掩模版支撑台上方；遮蔽装置，遮蔽装置设置于掩模版支撑台上方，遮蔽装置包括遮蔽器和遮蔽器移动控制模块，遮蔽器移动控制模块用于检测到遮蔽器的信号时，检测掩模版的预设目标区域和遮蔽器形成的开窗区域，并将开窗区域与预设目标区域进行比较；当开窗区域与预设目标区域一致时，对掩模版进行刻蚀。本申请能够解决如何提高掩模版刻蚀的效率和精度的技术问题。
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公开(公告)号：CN117270317B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311542929.2
申请日：2023-11-20
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形辅助的干法刻蚀装置及方法，其中，图形辅助的干法刻蚀装置包括基板、光发射器、CCD图像传感器和显示部件，基板包括自上至下依次层叠设置的光阻层、遮光层和透明基底，遮光层包括图形区和辅助区，辅助区上制备有辅助图形；辅助图形包括两个沿第一方向间隔分布的线条区，各线条区朝向另一线条区的一侧设置有多个第一格点组成的第一格点区，两个第一格点区之间设置有多个第二格点组成的第二格点区，第二格点的尺寸小于第一格点的尺寸。本发明通过在基板的辅助区制备辅助图形，将遮光层厚度方向的刻蚀进度转化为二维的透光图像，通过显示部件观察图像，以对刻蚀进度进行实时监控，从而可以精确的控制遮光层的反应终点。
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公开(公告)号：CN117663990A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410139101.0
申请日：2024-02-01
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
IPC分类号： G01B11/00 , G01N21/95 , G01B11/02 , G01B11/06 , G01B11/16 , G01B11/28 , G03F1/44 , B29C65/78
摘要： 本发明公开了一种掩膜版与薄膜贴合度检测方法、装置、设备以及存储介质，属于掩膜版技术领域。本发明通过将薄膜与掩膜版贴合后固定于所述定位转台，所述掩膜版与所述定位转台几何中心对齐；根据预设方向和速度转动所述定位转台并接收所述信号发射器发射的检测信号得到信号遮挡区数据，所述检测信号平行穿过所述薄膜与所述掩膜版之间的贴合面，并在所述信号接收器中形成信号遮挡区；基于预设的贴合度模板与所述信号遮挡区数据检测所述掩膜版与薄膜的贴合度，通过这种检测信号覆盖贴合面的所有边和角的方式检测Pellcile薄膜与掩膜版之间的贴合度，从而提高了检测的准确度和效率。
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公开(公告)号：CN116107156A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310379779.1
申请日：2023-04-11
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算机可读存储介质，所述掩模版刻蚀设备包括真空装置，所述真空装置包括至少一通道孔；抽真空装置，所述抽真空装置设置于所述通道孔，且所述抽真空装置的两侧分别位于所述真空装置的内侧和外侧；显影蚀刻装置，所述显影蚀刻装置设置于所述真空装置的另一通道孔，其中，所述抽真空装置用于抽取所述真空装置内的空气，所述显影蚀刻装置用于对放置在所述真空装置内的待刻蚀目标物进行显影与蚀刻。本申请降低了蚀刻后掩模版铬层的侧壁角度。
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公开(公告)号：CN118363258A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410797921.9
申请日：2024-06-20
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
IPC分类号： G03F1/80
摘要： 本申请公开了一种掩模版刻蚀方法、装置、设备以及存储介质，本申请涉及半导体制造技术领域，所述掩模版刻蚀装置包括：掩模版支撑台，掩模版固定在掩模版支撑台上方；遮蔽装置，遮蔽装置设置于掩模版支撑台上方，遮蔽装置包括遮蔽器和遮蔽器移动控制模块，遮蔽器移动控制模块用于检测到遮蔽器的信号时，检测掩模版的预设目标区域和遮蔽器形成的开窗区域，并将开窗区域与预设目标区域进行比较；当开窗区域与预设目标区域一致时，对掩模版进行刻蚀。本申请能够解决如何提高掩模版刻蚀的效率和精度的技术问题。
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公开(公告)号：CN117311079A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311398106.7
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种EAPSM掩模版及其制造方法，其中，EAPSM掩模版的制造方法包括以下步骤：提供基材，在第一光刻胶层上形成第一预设图案，露出第一预设图案下方的相移层；沿第一预设图案刻蚀相移层，以形成多个间隔设置的pattern区域；去除第一光刻胶层；在相移层上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层，在第二光刻胶层上形成第二预设图案，在第二预设图案处沉积遮光层；去除第二光刻胶层，获得EAPSM掩模版。在本发明通过采用仅由透明基板、相移层和第一光刻胶层组成的基材，在沿第一预设图案刻蚀相移层时，无需刻蚀遮光层，减少了刻蚀步骤，直接获得EAPSM掩模版，减少了制造流程，提高了生产效率，遮光层的缺陷率降低。
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公开(公告)号：CN117270317A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311542929.2
申请日：2023-11-20
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形辅助的干法刻蚀装置及方法，其中，图形辅助的干法刻蚀装置包括基板、光发射器、CCD图像传感器和显示部件，基板包括自上至下依次层叠设置的光阻层、遮光层和透明基底，遮光层包括图形区和辅助区，辅助区上制备有辅助图形；辅助图形包括两个沿第一方向间隔分布的线条区，各线条区朝向另一线条区的一侧设置有多个第一格点组成的第一格点区，两个第一格点区之间设置有多个第二格点组成的第二格点区，第二格点的尺寸小于第一格点的尺寸。本发明通过在基板的辅助区制备辅助图形，将遮光层厚度方向的刻蚀进度转化为二维的透光图像，通过显示部件观察图像，以对刻蚀进度进行实时监控，从而可以精确的控制遮光层的反应终点。
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公开(公告)号：CN118392091B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410841312.9
申请日：2024-06-27
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种掩模版位置精度测量方法、装置、设备、介质以及产品，涉及半导体技术领域，方法包括：接收掩模版位置精度测量请求；根据所述掩模版位置精度测量请求，通过预先构建的位置精度测量系统对待测量掩模版进行测量，得到测量结果，其中，所述位置精度测量系统基于预设的温度监控平台、定位测量平台以及位置数据最大后验概率MAP构建得到。由此，将接收到的掩模版位置精度测量请求发送到由温度监控平台、定位测量平台以及最大后验概率MAP构建得到的位置精度测量系统进行测量，得到测量结果，提高制版位置的精度以及降低制造过程中多种因素导致的异常影响，提高了掩模版位置精度测量的准确性。
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公开(公告)号：CN118392091A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410841312.9
申请日：2024-06-27
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司 , 珠海市龙图光罩科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种掩模版位置精度测量方法、装置、设备、介质以及产品，涉及半导体技术领域，方法包括：接收掩模版位置精度测量请求；根据所述掩模版位置精度测量请求，通过预先构建的位置精度测量系统对待测量掩模版进行测量，得到测量结果，其中，所述位置精度测量系统基于预设的温度监控平台、定位测量平台以及位置数据最大后验概率MAP构建得到。由此，将接收到的掩模版位置精度测量请求发送到由温度监控平台、定位测量平台以及最大后验概率MAP构建得到的位置精度测量系统进行测量，得到测量结果，提高制版位置的精度以及降低制造过程中多种因素导致的异常影响，提高了掩模版位置精度测量的准确性。
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公开(公告)号：CN116088283A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310387417.7
申请日：2023-04-12
申请人： 深圳市龙图光罩股份有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本申请公开了一种掩模版预校准方法、系统、电子设备以及可读存储介质，应用于掩模版预校准系统，掩模版预校准系统包括：掩模版载具预校准装置、掩模台上版装置、曝光支撑装置、掩模版以及机械手臂装置，掩模版预校准方法包括：通过机械手臂装置将曝光支撑装置移动至掩模版载具预校准装置，在掩模版载具预校准装置上校准并固定曝光支撑装置；在固定已校准的曝光支撑装置后，通过机械手臂装置将掩模版置于曝光支撑装置上，校准掩模版，并将掩模版固定在已校准的曝光支撑装置上；通过机械手臂装置，将曝光支撑装置和掩模版共同移动至掩模台上版装置。本申请旨在提高掩模版上版校准的精度以及效率，以提高光刻机的连续生产效率。
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