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公开(公告)号：CN109297927A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810955664.1
申请日：2018-08-21
申请人： 深圳市太赫兹科技创新研究院 , 雄安华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： G01N21/359 , G01J3/42 , G01J3/02
摘要： 一种光谱仪的装调装置及方法，包括如下步骤：观察出射聚焦透镜后的光线不同位置处的光斑，固定准直透镜的位置；根据入射狭缝与线阵相机之间的角度关系，将反射镜与衍射光栅以预定角度进行相互固定；将反射镜及衍射光栅以同一轴线转动设置在壳体中，对反射镜及衍射光栅进行转动调节，直至衍射光栅的检测级所对应的衍射光会聚到线阵相机中；进行会聚透镜装调；及确定线阵相机的波长分布曲线。通过准直光线的主要部分经过反射镜后反射至衍射光栅；转动调节反射镜及衍射光栅，衍射光栅的检测级所对应的衍射光会聚到线阵相机中，从而避免了对反射镜及衍射光栅相对入射狭缝或线阵相机的角度进行重复调整，提高光谱仪在装调效率，有效提升光谱仪的产量。
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公开(公告)号：CN109297927B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201810955664.1
申请日：2018-08-21
申请人： 深圳市太赫兹科技创新研究院 , 雄安华讯方舟科技有限公司
IPC分类号： G01N21/359 , G01J3/42 , G01J3/02
摘要： 一种光谱仪的装调装置及方法，包括如下步骤：观察出射准直透镜后的光线不同位置处的光斑，固定准直透镜的位置；根据入射狭缝与线阵相机之间的角度关系，将反射镜与衍射光栅以预定角度进行相互固定；将反射镜及衍射光栅以同一轴线转动设置在壳体中，对反射镜及衍射光栅进行转动调节，直至衍射光栅的检测级所对应的衍射光会聚到线阵相机中；进行会聚透镜装调；及确定线阵相机的波长分布曲线。通过准直光线的主要部分经过反射镜后反射至衍射光栅；转动调节反射镜及衍射光栅，衍射光栅的检测级所对应的衍射光会聚到线阵相机中，从而避免了对反射镜及衍射光栅相对入射狭缝或线阵相机的角度进行重复调整，提高光谱仪在装调效率，有效提升光谱仪的产量。
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公开(公告)号：CN108775870A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810307361.9
申请日：2018-04-08
申请人： 雄安华讯方舟科技有限公司 , 深圳市太赫兹科技创新研究院
摘要： 本发明涉及一种包衣锅的监控系统。该监控系统包括光源、光分路设备、探头设备、光谱仪及处理器。所述光源发射初始光；所述光分路设备用于将所述初始光分为参考光和样品光；所述探头设备将所述样品光聚焦至所述包衣锅内的包衣上，并探测所述包衣反射的包衣反射光；所述参考光和所述包衣反射光发生干涉，形成干涉光；所述光谱仪采集并分析所述干涉光，得到干涉光谱信号；所述处理器处理所述干涉光谱信号，得到包衣信息数据。本发明还涉及一种包衣锅的监控方法。上述方法及系统可以实时监测包衣的情况，可以应用在包衣制剂生产过程中，给药系统的设计研发、释药制备工艺的优化等方面有着积极的意义。
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公开(公告)号：CN108775870B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810307361.9
申请日：2018-04-08
申请人： 雄安华讯方舟科技有限公司 , 深圳市太赫兹科技创新研究院
摘要： 本发明涉及一种包衣锅的监控系统。该监控系统包括光源、光分路设备、探头设备、光谱仪及处理器。所述光源发射初始光；所述光分路设备用于将所述初始光分为参考光和样品光；所述探头设备将所述样品光聚焦至所述包衣锅内的包衣上，并探测所述包衣反射的包衣反射光；所述参考光和所述包衣反射光发生干涉，形成干涉光；所述光谱仪采集并分析所述干涉光，得到干涉光谱信号；所述处理器处理所述干涉光谱信号，得到包衣信息数据。本发明还涉及一种包衣锅的监控方法。上述方法及系统可以实时监测包衣的情况，可以应用在包衣制剂生产过程中，给药系统的设计研发、释药制备工艺的优化等方面有着积极的意义。
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公开(公告)号：CN108648997B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810488345.4
申请日：2018-05-21
申请人： 雄安华讯方舟科技有限公司 , 深圳市太赫兹科技创新研究院
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及一种共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上依次层叠沉积的第一重掺杂InGaAs层、InP层、第一AlAs势垒层、InGaAs势阱层、第二AlAs势垒层和第二重掺杂InGaAs层；在所述第二重掺杂InGaAs层上沉积金属图形，形成第二欧姆接触；在金属图形以外的区域，先用可刻蚀InGaAs材料和AlAs材料、但不刻蚀InP材料的第一刻蚀液从第二重掺杂InGaAs层刻蚀至InP层，再用可刻蚀InP材料、但不刻蚀InGaAs材料和AlAs材料的第二刻蚀液刻蚀至第一重掺杂InGaAs层；在经刻蚀处理后的第一重掺杂InGaAs层上沉积金属形成第一欧姆接触。
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公开(公告)号：CN108648997A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810488345.4
申请日：2018-05-21
申请人： 雄安华讯方舟科技有限公司 , 深圳市太赫兹科技创新研究院
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及一种共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上依次层叠沉积的第一重掺杂InGaAs层、InP层、第一AlAs势垒层、InGaAs势阱层、第二AlAs势垒层和第二重掺杂InGaAs层；在所述第二重掺杂InGaAs层上沉积金属图形，形成第二欧姆接触；在金属图形以外的区域，先用可刻蚀InGaAs材料和AlAs材料、但不刻蚀InP材料的第一刻蚀液从第二重掺杂InGaAs层刻蚀至InP层，再用可刻蚀InP材料、但不刻蚀InGaAs材料和AlAs材料的第二刻蚀液刻蚀至第一重掺杂InGaAs层；在经刻蚀处理后的第一重掺杂InGaAs层上沉积金属形成第一欧姆接触。
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公开(公告)号：CN108550620A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810316297.0
申请日：2018-04-10
申请人： 雄安华讯方舟科技有限公司 , 深圳市太赫兹科技创新研究院
IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/88
摘要： 一种共振隧穿二极管晶圆结构及制备方法。该共振隧穿二极管晶圆结构，包括层叠设置的收集层、双势垒量子阱结构和发射层，所述双势垒量子阱结构包括依次层叠设置的第一AlAs势垒层、第一InGaAs势阱层、第二InGaAs势阱层和第二AlAs势垒层，且所述第一InGaAs势阱层和所述第二InGaAs势阱层之间设置有InAs亚势阱层；其中，所述第一AlAs势垒层靠近所述收集层，所述第二AlAs势垒层靠近所述发射层；或所述第一AlAs势垒层靠近所述发射层，所述第二AlAs势垒层靠近所述收集层。该共振隧穿二极管晶圆结构在相同工作偏压下，有更多的电子实现迁移，电流响应更大，增加了峰谷电流比值。
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公开(公告)号：CN108593108A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810474131.1
申请日：2018-05-17
申请人： 深圳市太赫兹科技创新研究院 , 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种光谱仪。该光谱仪包括：准直元件，用于将宽带光束转变为平行光；色散设备，用于将平行光按波长分散成多束色散光；聚焦元件，用于将具有相同波长的色散光聚焦，且聚焦元件将具有不同波长的色散光聚焦在其焦平面上的不同位置处，且各色散光的聚焦光斑沿一直线顺序排列；以及探测设备，在焦平面上具有多个探测位置，探测设备用于探测多个不同预设波长的色散光；在平行光射入色散设备的入射角一定时，色散设备和聚焦元件相配合，使得多个不同预设波长的色散光的聚焦位置与多个探测位置一一对应匹配；不同预设波长的色散光中，任意两束相邻的色散光的波数差相等。上述光谱仪的成像过程中运算大大减少，节省了成像时间，提高了成像速度。
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公开(公告)号：CN108493299A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810319725.5
申请日：2018-04-11
申请人： 深圳市太赫兹科技创新研究院 , 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022425 , H01L31/022483
摘要： 本发明提供了一种AZO透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，对所述衬底进行表面清洁处理；提供氧化锌种子溶液，在所述衬底上沉积所述氧化锌种子溶液，制备结合在所述衬底表面的氧化锌种子层；提供氧化锌沉积溶液，将沉积好氧化锌种子层的衬底置于所述氧化锌沉积溶液中，使所述氧化锌沉积溶液浸没所述衬底，且所述衬底中沉积有氧化锌种子层的表面不贴壁，在加热的条件下，在所述氧化锌沉积溶液中连续引入铝离子并搅拌处理，在所述氧化锌种子层表面生长制备AZO预制薄膜；对所述AZO预制薄膜进行紫外照射处理，制备得到AZO透明导电薄膜。
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