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公开(公告)号：CN119836048A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411890312.4
申请日：2024-12-20
Applicant: 深圳市嘉敏利光电有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光电探测器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的光电探测器，包括衬底以及依次设置于衬底上的外延层和电极层，电极层具有接收区域，外延层位于接收区域内的部分上凸形成凸部，以使接收区域的上表面为向外凸出的凸面，接收区域用于接收光束，光束穿透电极层激发外延层形成电信号。本申请提供的光电探测器及其制备方法，能够减小光电探测器接收面占用的平面面积，提高单位面积的产能。
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公开(公告)号：CN118612089A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410425220.2
申请日：2024-04-10
Applicant: 北京理工大学 , 深圳市嘉敏利光电有限公司 , 北京邮电大学
Inventor： 胡善亭 , 忻向军 , 刘博 , 李虎 , 张立永 , 李承远 , 李佳勋 , 李欣颖 , 董泽 , 高然 , 朱磊 , 田博 , 王富 , 常欢 , 潘晓龙 , 赵玺睿 , 张兴臣
IPC: H04L41/147 , H04L41/16 , H04L45/02 , H04L45/12 , H04L47/125 , H04L47/2441 , H04Q11/00
Abstract: 本发明公开的一种数据中心光电混合交换网络动态可重构的方法及系统，属于数据中心网络技术领域。本发明包括历史流量数据收集模块、流量大小预测模块、流量过滤模块、流量调度模块。本发明采集各网络节点的流量负载信息，训练长短期记忆网络得到下一时间节点的流量预测值，预测值作为长短期记忆网络的状态信息提供给分流器训练得到分布式动态阈值，通过动态阈值划分到达流类别和传输开关，在流量数据传输阶段，利用k‑双随机矩阵的性质，最大化单次传输电路工作时间，完成流量传输的最优调度；即使数据传输过程中出现突发性流量，通过更新网络状态信息，快速完成流量卸载，实现高效的网络资源分配，最小化流量传输完成时间，提高光链路利用率。
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公开(公告)号：CN115411616B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211052440.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 深圳市嘉敏利光电有限公司
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、以及依次层叠设置于衬底上的N型布拉格反射镜层、量子阱层和P型布拉格反射镜层，P型布拉格反射镜层包括依次层叠设置的具有电流限制孔的复合式氧化层和子布拉格反射镜层，复合式氧化层包括至少一个混合式氧化层，混合式氧化层包括至少一组交替设置的第一AlGaAs层和第二AlGaAs层，子布拉格反射镜层包括至少一组交替设置的第三AlGaAs层和第四AlGaAs层，第一AlGaAs层中Al的含量和第三AlGaAs层中Al的含量相等，第一AlGaAs层中Al的含量、第四AlGaAs层中Al的含量和第二AlGaAs层中Al的含量依次增大。该垂直腔面发射激光器及其制备方法能够解决现有技术中共振腔的长度随氧化层层数的增多而增大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119471927A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411492310.X
申请日：2024-10-24
Applicant: 北京理工大学 , 深圳市嘉敏利光电有限公司
Abstract: VCSEL阵列与多芯光纤高效率耦合及对准系统，属于半导体激光器领域。VCSEL阵列与多芯光纤高效率耦合系统包括VCSEL阵列、微透镜阵列与多芯光纤。在VCSEL阵列和多芯光纤之间设置一层微透镜阵列，通过微透镜阵列将VCSEL阵列发出的发散光束聚焦，使光束能够分别对准多芯光纤的每个纤芯入射。本发明还公开一种VCSEL阵列与多芯光纤对准系统，在VCSEL阵列与多芯光纤高效率耦合系统基础上，还包括CCD相机、高倍率视觉系统和压电机，VCSEL阵列、微透镜阵列和多芯光纤分别固定在三个压电机中，压电机所在平面为x‑y平面，在平行于x‑y平面的位置放置一个CCD相机，捕获VCSEL阵列、微透镜阵列和多芯光纤的图像信息，进行机器视觉自动对准。
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公开(公告)号：CN115173225B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210839452.3
申请日：2022-07-18
Applicant: 深圳市嘉敏利光电有限公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及光电技术领域，该方法包括：在衬底上依次形成N型欧姆接触层、N型DBR层、MQW层和P型DBR层，并进行台面刻蚀至露出N型欧姆接触层，P型DBR层包括多个交替设置的具有不同折射率的AlGaAs层；对P型DBR层进行侧向氧化以使P型DBR层的多个AlGaAs层分别形成多个氧化层，多个氧化层沿层叠方向依次间隔设置，每个氧化层均包括未氧化区以及沿未氧化区外缘围设的氧化物限制区；在N型欧姆接触层和P型DBR层上分别沉积形成N电极和P电极，远离P电极的氧化层的未氧化区的孔径小于P电极所形成的光窗的孔径，其他任一氧化层的未氧化区的孔径大于或等于P电极所形成光窗的孔径。该方法能够缩短电流由P电极流至MQW层的电流路径。
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公开(公告)号：CN118712882A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410880751.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 北京理工大学 , 深圳市嘉敏利光电有限公司 , 北京邮电大学
Inventor： 胡善亭 , 忻向军 , 刘博 , 李虎 , 张立永 , 李承远 , 李佳勋 , 李欣颖 , 董泽 , 高然 , 朱磊 , 田博 , 王富 , 常欢 , 潘晓龙 , 李至瑞 , 张兴臣
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/065
Abstract: 本发明涉及一种单模激射VCSEL结构与激光横模控制方法属于半导体激光器领域。本发明的目的之一是提供一种单模激射VCSEL结构，通过构建相位范围#imgabs0#的超透镜晶格单元，使其组成对光场有汇聚作用的超表面透镜，将VCSEL基模汇聚至焦点处，并且使高阶横模发散。在单模激射VCSEL结构基础上，本发明目的之二是提供一种单模激光模式选择方法，通过超表面透镜以及介电质DBR反射，能够使得在基模没有损耗的情况下，滤除掉高阶模式，从而实现在不损伤基模功率的情况下，对VCSEL的高阶横模进行抑制，实现基模高功率稳定单模输出。本发明的目的之三是提供一种用于横模控制的VCSEL结构的制备方法，用于制备所述一种激光模式选择的VCSEL。本发明能够减小基模激光的损耗，提高VCSEL功率。
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公开(公告)号：CN119542920A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411714197.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 深圳市嘉敏利光电有限公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域。该垂直腔面发射激光器包括：衬底和设置在衬底上的第一子N型DBR层，第一子N型DBR层背离衬底的表面划分有多个区域，每个区域上均层叠设置第二子N型DBR层、有源层和P型DBR层，第二子N型DBR层的表面的外轮廓位于第二子N型DBR层所在的区域的外轮廓之内，有源层的表面的外轮廓和P型DBR层的表面的外轮廓分别不超出第二子N型DBR层表面的外轮廓。该垂直腔面发射激光器相当于在一片衬底上同时形成了多个子垂直腔面发射激光器，每个子垂直腔面发射激光器均能够释放出一种波段的激光，因此，该垂直腔面发射激光器能够释放出多种波段的激光，且成本较低。
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公开(公告)号：CN119627620A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411728750.0
申请日：2024-11-28
Applicant: 深圳市嘉敏利光电有限公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域。该垂直腔面发射激光器包括：衬底、沿预设方向依次层叠设置在衬底上的N型DBR层、有源层、P型DBR层和出光层，P型DBR层包括多对沿预设方向层叠设置的第一介质层和第二介质层，部分第一介质层和第二介质层之间设有氧化层，氧化层上设有氧化通孔，氧化通孔被第一介质层或第二介质层填充，氧化层的数量为多层，多层氧化层上的氧化通孔位置对应。该垂直腔面发射激光器具有良好的出光质量，可以大幅降低其所在器件的误码率，提升器件的性能。
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