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公开(公告)号：CN119542920A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411714197.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 深圳市嘉敏利光电有限公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域。该垂直腔面发射激光器包括：衬底和设置在衬底上的第一子N型DBR层，第一子N型DBR层背离衬底的表面划分有多个区域，每个区域上均层叠设置第二子N型DBR层、有源层和P型DBR层，第二子N型DBR层的表面的外轮廓位于第二子N型DBR层所在的区域的外轮廓之内，有源层的表面的外轮廓和P型DBR层的表面的外轮廓分别不超出第二子N型DBR层表面的外轮廓。该垂直腔面发射激光器相当于在一片衬底上同时形成了多个子垂直腔面发射激光器，每个子垂直腔面发射激光器均能够释放出一种波段的激光，因此，该垂直腔面发射激光器能够释放出多种波段的激光，且成本较低。
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