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公开(公告)号：CN105226015B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510627108.8
申请日：2015-09-28
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 葛世民
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/027 , H01L27/12
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , G02F2001/136236 , G02F2201/121 , G02F2202/10 , H01L21/027 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板通过同一道光罩工艺将第一金属氧化物半导体层蚀刻成第一半导体图案及第二半导体图案后进行掺杂处理，以将第一半导体图案的两端分别处理成间隔设置的第一导体图案和第二导体图案且将第二半导体图案处理成公共电极，并且处理后剩余的第一半导体图案位于底栅电极上方。从而本发明的TFT阵列基板的制作方法能够减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104752343B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510175711.7
申请日：2015-04-14
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/0274 , H01L21/467 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L51/5206 , H01L2227/323
摘要： 本发明提供一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法使用半色调掩膜板进行一道光罩制程，既能够完成氧化物半导体层的图案化、又能够通过离子掺杂制得氧化物导体层(53’)；通过一道光罩制程同时对底栅绝缘层(31)与顶栅绝缘层(32)进行图案化处理；通过一道光罩制程同时制得第一顶栅极(71)、第一源极(81)、第一漏极(82)、第二顶栅极(72)、第二源极(83)、及第二漏极(84)；通过一道光罩制程同时对平坦层(9)、钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，光罩制程减少至五道，缩短了制作工序流程，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN104752343A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510175711.7
申请日：2015-04-14
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/0274 , H01L21/467 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L51/5206 , H01L2227/323 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1214
摘要： 本发明提供一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法使用半色调掩膜板进行一道光罩制程，既能够完成氧化物半导体层的图案化、又能够通过离子掺杂制得氧化物导体层(53’)；通过一道光罩制程同时对底栅绝缘层(31)与顶栅绝缘层(32)进行图案化处理；通过一道光罩制程同时制得第一顶栅极(71)、第一源极(81)、第一漏极(82)、第二顶栅极(72)、第二源极(83)、及第二漏极(84)；通过一道光罩制程同时对平坦层(9)、钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，光罩制程减少至五道，缩短了制作工序流程，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN104867959B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510175517.9
申请日：2015-04-14
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法使用半色调掩膜板进行一道光罩制程既能够完成氧化物半导体层的图案化，又能够通过离子掺杂得到氧化物导体层(53’)；通过一道光罩制程同时对底栅绝缘层(31)与顶栅绝缘层(32)进行图案化处理；通过一道光罩制程同时对第二、第三金属层进行图案化处理，得到第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)、第二漏极(84)、第一顶栅极(71)、及第二顶栅极(72)；通过一道光罩制程同时对第二平坦层(9)、钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，光罩制程减少至九道，有效简化了制程，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN106409842A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610979889.1
申请日：2016-11-08
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/66742 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制作方法及顶栅薄膜晶体管，所述制作方法包括如下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区及沟道区；在所述氧化物半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极表面、所述氧化物半导体层表面及玻璃基板表面采用化学气相沉积的方法沉积层间介质，所述源区及漏区表面导体化；形成源极及漏极，所述源极及漏极分别与所述氧化物半导体层的源区及漏区电连接。本发明的优点在于，能够在沉积层间介质时便可导体化，可以保证较高的迁移率及开态电流。
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公开(公告)号：CN105720012A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610089516.7
申请日：2016-02-18
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 葛世民
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/4908 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/0653 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L27/124
摘要： 本发明提供了一种双栅极TFT阵列基板及其制作方法。本发明通过将源极和漏极设置在公共电极层之上，制作时可以通过一道光罩同时形成公共电极层上的公共电极以及源极和漏极，因此，本发明提供的双栅极TFT阵列基板及制作方法具有减少光罩次数，缩短工艺流程，提高生产效率的有益效果。
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公开(公告)号：CN105304643A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510629393.7
申请日：2015-09-28
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 葛世民
CPC分类号： H01L29/78663 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板通过同一道光罩工艺在基板上形成底栅电极及公共电极，其中底栅电极为金属层与金属氧化物导体层的叠层结构，公共电极为金属氧化物导体层的单层结构。从而本发明的TFT阵列基板的制作方法能够减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105226015A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510627108.8
申请日：2015-09-28
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 葛世民
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/027 , H01L27/12
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , G02F2001/136236 , G02F2201/121 , G02F2202/10 , H01L21/027 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L21/0274
摘要： 本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板通过同一道光罩工艺将第一金属氧化物半导体层蚀刻成第一半导体图案及第二半导体图案后进行掺杂处理，以将第一半导体图案的两端分别处理成间隔设置的第一导体图案和第二导体图案且将第二半导体图案处理成公共电极，并且处理后剩余的第一半导体图案位于底栅电极上方。从而本发明的TFT阵列基板的制作方法能够减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105068335A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510493112.X
申请日：2015-08-12
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
发明人： 葛世民
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2202/10 , H01L21/426 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种FFS阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在玻璃基板上形成栅极与公共电极，所述栅极形成在所述公共电极的一部分上面；在所述栅极与所述公共电极上形成一层栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉淀一层透明金属氧化物半导体层并对所述透明金属氧化物半导体层进行一次图案化处理，以形成半导体有源层前体与像素电极前体；对所述半导体有源层前体的没留有光阻层的两端及所述像素电极前体进行离子注入处理以使它们形成透明导体；最后在所述半导体有源层上形成源极与漏极。本发明的制造方法能够减少FFS阵列基板制造所需光罩次数，提高FFS阵列基板的制造效率。
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公开(公告)号：CN104952879B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510224511.6
申请日：2015-05-05
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
CPC分类号： H01L27/1248 , G02F1/1368 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/32 , H01L27/322 , H01L27/3262 , H01L29/786 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/78663 , H01L29/78672 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种采用COA技术的双栅极TFT基板结构，包括：基板(1)、设于基板(1)上的底栅极(2)、覆盖底栅极(2)与基板(1)的底栅绝缘层(3)、于底栅极(2)上方设于底栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、设于有源层(4)与底栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(5)、设于蚀刻阻挡层(5)上并分别与所述有源层(4)的两端相接触的源/漏极(6)、设于源/漏极(6)与蚀刻阻挡层(5)上的彩色滤光片(8)、及设于彩色滤光片(8)上并与所述底栅极(2)相接触的顶栅极(9)；所述彩色滤光片(8)同时作为钝化层、及顶栅绝缘层，能够有效保护有源层(4)及前制程薄膜，保证有源层(4)及前制程薄膜的原始特性和稳定性。
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