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公开(公告)号：CN106094366B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610711928.X
申请日：2016-08-23
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种IPS型阵列基板的制作方法及IPS型阵列基板。本发明的IPS型阵列基板的制作方法，利用一半色调掩模板同时制得纵向交错的公共电极与像素电极，使公共电极位于绝缘保护层的公共电极沟道内，像素电极位于绝缘保护层的上表面上，所得到的IPS型阵列基板与传统的IPS型阵列基板相比，公共电极与像素电极之间能够产生电场的纵向分量，所以在液晶面板内像素电极上方的液晶也能被驱动和利用，液晶不仅能水平转动，还能产生一定的纵向倾角，从而提高了液晶的利用效率和光线的透过率，与同样能利用像素电极上方液晶的FFS型阵列基板相比，可以节省一道光罩和制程，从而节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN105390507B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510882175.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 周志超
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，该制备方法包括：通过构图工艺在衬底上形成栅极；在形成栅极的衬底之上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上沉积IGZO层；通过构图工艺在IGZO层上形成蚀刻阻挡层；通过构图工艺在蚀刻阻挡层上形成源、漏极图案层，源漏极图案层与IGZO层连接，源极和漏极之间的位置对应的IGZO层为沟道区；通过构图工艺在源、漏极图案层之上以及沟道区对应的位置处形成钝化层；通过构图工艺将IGZO层图案化以保留沟道区和源、漏极图案层对应的IGZO层以形成IGZO图案层，本步骤与形成源、漏极图案层的步骤采用的是同一道光罩。本发明能够节省一道光罩，因而降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN107154408A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710363613.5
申请日：2017-05-22
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 周志超
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法。该制备方法包括在一阵列基板上形成数据线、石墨烯源极以及栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成扫描线和栅极；在所述数据线、扫描线和栅极上形成钝化层，并对所述石墨烯源极进行离子注入，以将部分所述石墨烯源极转换为半导体有源层；在所述半导体有源层及所述钝化层上分别形成漏极和ITO像素电极。通过上述方式，利用石墨烯制备石墨烯源极以及半导体有源层，能够利用石墨烯高导电率的特性，提高阵列基板中导电效率。
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公开(公告)号：CN106597813A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611200363.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 周志超
CPC classification number: G03F7/2045 , G03F7/016
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光层图案化的方法，包括步骤：在基板上排布功能量子点，形成量子点层；对所述量子点层进行曝光显影，在所述基板上获得图案化的量子点发光层；其中，所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成。根据本发明的量子点发光层图案化的方法工艺简单，便于量产图案化的量子点发光层。本发明还公开了一种包括根据上述方法制备获得的量子点发光层的量子点彩膜、以及具有该量子点彩膜的显示装置。
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公开(公告)号：CN106390850A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611020639.1
申请日：2016-11-17
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
CPC classification number: B01L9/50 , B01F7/00016 , B01F7/001 , B01F7/0015 , B01F7/0025 , B01F7/00433 , B01F7/161 , B01F7/18 , B01F13/0827 , B01F13/089 , B01F15/00175 , B01F15/065 , B01F2215/0037 , B01L7/02 , F16B5/06 , B01F15/00 , B01F7/24 , B01F13/08
Abstract: 本发明提供了一种搅拌系统、搅拌器及其夹持装置；该夹持装置包括：支撑连杆以及夹持机构；所述支撑连杆的一端与搅拌器机身的顶部连接，另一端与所述夹持机构连接；所述夹持机构包括驱动单元、连接组件以及夹持板，所述驱动单元通过所述连接组件与所述夹持板固定连接，所述夹持板用于夹持实验品，所述驱动单元用于驱动所述夹持板转动，进而带动夹持在所述夹持板上的实验品转动。相对于现有技术，本发明提供的搅拌系统、搅拌器及其夹持装置，通过设置简单的夹持装置结构，可以实现在搅拌过程中对实验品进行固定和转动的功能，其结构可靠且容易操作，减少了实验过程中对人力的耗费。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106094366A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610711928.X
申请日：2016-08-23
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/1343 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136236 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种IPS型阵列基板的制作方法及IPS型阵列基板。本发明的IPS型阵列基板的制作方法，利用一半色调掩模板同时制得纵向交错的公共电极与像素电极，使公共电极位于绝缘保护层的公共电极沟道内，像素电极位于绝缘保护层的上表面上，所得到的IPS型阵列基板与传统的IPS型阵列基板相比，公共电极与像素电极之间能够产生电场的纵向分量，所以在液晶面板内像素电极上方的液晶也能被驱动和利用，液晶不仅能水平转动，还能产生一定的纵向倾角，从而提高了液晶的利用效率和光线的透过率，与同样能利用像素电极上方液晶的FFS型阵列基板相比，可以节省一道光罩和制程，从而节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN105931991A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610436577.6
申请日：2016-06-17
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L21/0425 , G02F1/13439 , H01L21/28123 , H01L21/82 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/78603 , H01L27/1259
Abstract: 本发明公开一种电极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层的远离所述衬底的表面上形成图案化的光阻，所述光阻具有相对设置的底面和顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的侧面，所述底面贴合所述缓冲层；通过干蚀刻，将所述缓冲层的未被所述光阻覆盖的部分去除，以形成容纳区；沉积导电膜层，所述导电膜层包括形成在所述顶面上的废料和填充于所述容纳区的电极；以及剥离所述废料和所述光阻。本发明所述电极的制备方法的良品率高。
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公开(公告)号：CN105679714A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610055888.8
申请日：2016-01-27
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 周志超
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法。本发明的阵列基板的制作方法，通过采用一半色调光罩、及一道光刻制程对钝化层及刻蚀阻挡层进行图案化处理，在钝化层上形成对应于源极上方的第一过孔，在刻蚀阻挡层上形成位于源极与漏极之间的第二过孔与第三过孔，之后通过一道光刻制程在钝化层、源极、漏极、及刻蚀阻挡层上方形成经由第一过孔与源极相连的像素电极、经由第二过孔连接源极与有源层的第一连接层、以及经由第三过孔连接漏极与有源层的第二连接层，通过以上制程来减少具有刻蚀阻挡层结构的IGZO阵列基板的光刻制程数，将现有技术的6道光刻制程减少为5道光刻制程，从而节省一道光刻制程，减少了一道光罩的使用，降低了IGZO阵列基板的生产成本。
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公开(公告)号：CN105097557A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510621779.3
申请日：2015-09-25
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L27/12 , H01L29/06
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G02F2202/16 , G02F2203/01 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41733 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种TFT基板、TFT开关管及其制造方法。该方法包括：提供一基板；在基板上设置栅极；在栅极上方设置一半导体层；在半导体层上设置与半导体层电连的源极；在源极上设置一第一绝缘层，并在第一绝缘层上设置像素电极，像素电极进一步作为漏极通过设置在第一绝缘层上的第一通孔与半导体层电连。通过上述方式，本发明能够在保证TFT开关管的电阻较低的情况下，降低源极和漏极蚀刻过程中短路风险。
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公开(公告)号：CN105977262B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610368409.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种显示装置、阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括：基底以及设置在基底上的两个栅极、源极、漏极、有源层以及像素电极，其中，漏极与像素电极连接，源极和漏极分别与有源层接触，两个栅极用于控制有源层的导通和截止，从而控制源极和漏极之间的连通和断开。通过上述方式，本发明能够有效防止阈值电压的变动。
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