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公开(公告)号：CN107907251A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711020901.7
申请日：2017-10-27
申请人： 深圳先进技术研究院
摘要： 本发明提供一种压力传感器及其制备方法，压力传感器包括薄膜晶体管及设于薄膜晶体管上的敏感层，薄膜晶体管包括半导体层和金属电极，所述金属电极包括设于所述半导体层顶部的栅极，敏感层包括上敏感层，上敏感层的下表面具有微结构阵列，微结构阵列包括多个阵列设置的微结构，敏感层还包括覆盖于微结构阵列表面的第一导电层，第一导电层与栅极电性连接。本发明提供的压力传感器包括薄膜晶体管和敏感层，敏感层包括具有微结构阵列的上敏感层和覆盖于微结构阵列表面的第一导电层，通过在敏感层上设置微结构阵列，使得所述压力传感器具有高灵敏度的同时兼顾具有大的测量范围，且所述压力传感器的结构简单，简化了制备工艺、降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN110218970A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810175981.1
申请日：2018-03-02
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： C23C14/06
摘要： 本发明公开了一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束的形式喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。本发明利用了分子束外延工艺对生长产物可控的特点，实现了可控地制备出如片状等特定形貌结构的二硒化锡薄膜。且相对于化学气相沉积法，本发明利用分子束外延工艺的制备方法的操作更简单，制备二硒化锡薄膜所需的时长相对较短，有利于二硒化锡薄膜的生产。
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公开(公告)号：CN109244096B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811099303.8
申请日：2018-09-20
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了X射线平板探测器及其制作方法，所述X射线平板探测器包括衬底、多个光电转换部、多个透光的第一电极以及第二电极。其中，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面凹陷形成多个槽孔；所述光电转换部设置于对应的槽孔内；所述第一电极设置于对应的光电转换部上，并且第一电极与对应的光电转换部电连接；所述第二电极设置于第二表面上。所述X射线平板探测器利用开设有槽孔的衬底作为模板，形成对应各个像素的光电转换部，每个光电转换部的大小取决于槽孔的孔径，而所述槽孔能通过刻蚀等工艺达到极小的尺寸水平，因此相比于现有技术，所述X射线平板探测器生成的图像的像素能进一步缩小，以提高图像的分辨率。
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公开(公告)号：CN110311163A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810231205.9
申请日：2018-03-20
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/0562
摘要： 本发明公开了一种基于锂磷氧氮电解质的锂离子电池及其制备方法，所述锂离子电池包括衬底和依次叠层设置在衬底上的第一电极层、电解质层和第二电极层。其中，所述电解质层为富锂掺杂的锂磷氧氮电解质。所述制备方法包括步骤：S1、提供一个衬底，在衬底上制备第一电极层；S2、在第一电极层上制备富锂掺杂的锂磷氧氮电解质，以形成电解质层；S3、在电解质层上制备第二电极层。本发明以富锂掺杂的锂磷氧氮电解质作为锂离子电池的电解质，不但提高了锂离子的离子电导率，并使得所述基于锂磷氧氮电解质的锂离子电池的倍率性能和容量保持率也受到了较大的提升，解决了制约基于锂磷氧氮电解质的全固态薄膜锂电池等锂离子电池发展的重要问题。
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公开(公告)号：CN110277354A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810214123.3
申请日：2018-03-15
申请人： 深圳先进技术研究院
摘要： 本发明公开了一种抗拉应力作用的封装组件及其制备方法，所述封装组件通过采用周期性起伏的弹性基底作为承载阻隔层的结构，使得覆设于弹性基底上的阻隔层形成周期性起伏的波浪形结构。当所述封装组件受到拉应力作用时，该阻隔层的波浪形结构能将其受到的拉应力转化为弯曲应力，能够有效减少所述封装组件因为受到拉应力的作用而产生裂纹等缺陷的情况发生，所述阻隔层的周期性起伏结构在保证封装组件对氧气和水等外界物质的阻隔性能的前提下，大幅提高了封装组件的抗拉伸性能。
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公开(公告)号：CN110218970B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810175981.1
申请日：2018-03-02
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： C23C14/06
摘要： 本发明公开了一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束的形式喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。本发明利用了分子束外延工艺对生长产物可控的特点，实现了可控地制备出如片状等特定形貌结构的二硒化锡薄膜。且相对于化学气相沉积法，本发明利用分子束外延工艺的制备方法的操作更简单，制备二硒化锡薄膜所需的时长相对较短，有利于二硒化锡薄膜的生产。
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公开(公告)号：CN107907251B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711020901.7
申请日：2017-10-27
申请人： 深圳先进技术研究院
摘要： 本发明提供一种压力传感器及其制备方法，压力传感器包括薄膜晶体管及设于薄膜晶体管上的敏感层，薄膜晶体管包括半导体层和金属电极，所述金属电极包括设于所述半导体层顶部的栅极，敏感层包括上敏感层，上敏感层的下表面具有微结构阵列，微结构阵列包括多个阵列设置的微结构，敏感层还包括覆盖于微结构阵列表面的第一导电层，第一导电层与栅极电性连接。本发明提供的压力传感器包括薄膜晶体管和敏感层，敏感层包括具有微结构阵列的上敏感层和覆盖于微结构阵列表面的第一导电层，通过在敏感层上设置微结构阵列，使得所述压力传感器具有高灵敏度的同时兼顾具有大的测量范围，且所述压力传感器的结构简单，简化了制备工艺、降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN109244096A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811099303.8
申请日：2018-09-20
申请人： 深圳先进技术研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了X射线平板探测器及其制作方法，所述X射线平板探测器包括衬底、多个光电转换部、多个透光的第一电极以及第二电极。其中，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面凹陷形成多个槽孔；所述光电转换部设置于对应的槽孔内；所述第一电极设置于对应的光电转换部上，并且第一电极与对应的光电转换部电连接；所述第二电极设置于第二表面上。所述X射线平板探测器利用开设有槽孔的衬底作为模板，形成对应各个像素的光电转换部，每个光电转换部的大小取决于槽孔的孔径，而所述槽孔能通过刻蚀等工艺达到极小的尺寸水平，因此相比于现有技术，所述X射线平板探测器生成的图像的像素能进一步缩小，以提高图像的分辨率。
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公开(公告)号：CN109031884A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810864075.2
申请日：2018-08-01
申请人： 深圳先进技术研究院
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/70025
摘要： 本发明提供了微纳结构的制作方法及用于该制作方法中的系统，所述制作方法包括步骤：提供一衬底，并在所述衬底上制作形成相变薄膜；在所述相变薄膜上覆设非线性饱和吸收膜；利用激光穿过所述非线性饱和吸收膜，并按照预定图案对所述相变薄膜进行曝光；利用显影液对曝光后的相变薄膜进行显影，同时将所述非线性饱和吸收膜去除。所述方法一方面通过在相变薄膜上覆设非线性饱和吸收膜，使激光穿过所述非线性饱和吸收膜，对相变薄膜进行曝光以制作微纳结构，使激光光束更为集中，缩小了光斑，提高了制得的微纳结构的精度；另一方面选用飞秒激光作为激光源，避免激光的热效应影响非曝光区域，从而进一步提高了微纳结构的精度。
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