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公开(公告)号：CN113627733B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110808878.8
申请日：2021-07-16
IPC分类号： G06Q10/063 , G06Q50/06 , G06N3/092 , G06N3/006
摘要： 本发明提供一种灾后配电网动态抢修方法及系统，其中方法包括：通过环境侧获取待动态抢修的灾后配电网的状态信息；将所述待动态抢修的灾后配电网的状态信息输入至包括强化学习模型的智能体侧，得到智能体输出的灾后配电网动态抢修结果；其中，所述智能体侧从环境侧获取强化学习状态，基于策略选择动作作用于配电网上，并接收相应的奖励值及下一状态进行迭代训练，不断更新网络参数后得到所述强化学习模型。本发明实施例实现了配电网的灾后抢修在多抢修队伍协同调配、抢修恢复和转供复电的深度耦合及灾情不确定性情况下的高效率和高准确率的抢修效果。
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公开(公告)号：CN113627733A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110808878.8
申请日：2021-07-16
摘要： 本发明提供一种灾后配电网动态抢修方法及系统，其中方法包括：通过环境侧获取待动态抢修的灾后配电网的状态信息；将所述待动态抢修的灾后配电网的状态信息输入至包括强化学习模型的智能体侧，得到智能体输出的灾后配电网动态抢修结果；其中，所述智能体侧从环境侧获取强化学习状态，基于策略选择动作作用于配电网上，并接收相应的奖励值及下一状态进行迭代训练，不断更新网络参数后得到所述强化学习模型。本发明实施例实现了配电网的灾后抢修在多抢修队伍协同调配、抢修恢复和转供复电的深度耦合及灾情不确定性情况下的高效率和高准确率的抢修效果。
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公开(公告)号：CN113627655B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202110808856.1
申请日：2021-07-16
IPC分类号： G06Q10/04 , G06Q10/067 , G06Q50/06 , G06F18/23
摘要： 本发明提供一种配电网灾前故障场景模拟预测方法及装置，包括：建立配电网故障概率模型；根据预设灾害信息及预设生成场景总数，生成配电网故障场景集合；在配电网故障场景集合中进行拓扑重构建立故障拓扑重构模型；处理得到每个故障场景的故障损失，以及各故障场景之间的场景拓扑相似度；根据故障损失对故障场景聚类，得到多个第一场景聚类结果；在每个第一场景聚类结果根据拓扑相似度聚类，得到多个第二场景聚类结果；根据第二场景聚类结果得到配电网灾前故障场景模拟预测结果。根据灾害预报信息进行场景生成，并利用场景的故障损失和拓扑相似度进行场景聚类，为基于场景进行的优化决策提供基础，以在灾前分析灾害对配电网的影响。
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公开(公告)号：CN113627655A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110808856.1
申请日：2021-07-16
摘要： 本发明提供一种配电网灾前故障场景模拟预测方法及装置，包括：建立配电网故障概率模型；根据预设灾害信息及预设生成场景总数，生成配电网故障场景集合；在配电网故障场景集合中进行拓扑重构建立故障拓扑重构模型；处理得到每个故障场景的故障损失，以及各故障场景之间的场景拓扑相似度；根据故障损失对故障场景聚类，得到多个第一场景聚类结果；在每个第一场景聚类结果根据拓扑相似度聚类，得到多个第二场景聚类结果；根据第二场景聚类结果得到配电网灾前故障场景模拟预测结果。根据灾害预报信息进行场景生成，并利用场景的故障损失和拓扑相似度进行场景聚类，为基于场景进行的优化决策提供基础，以在灾前分析灾害对配电网的影响。
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公开(公告)号：CN118281896A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410280128.1
申请日：2024-03-12
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种交直流系统的频率协调控制方法、装置及电子设备，其中的方法包括：建模线性预测系统，线性预测系统至少接入切负荷控制资源和直流调制资源；基于线性预测系统，预测直流调制资源上限对应的系统最低暂态频率；根据系统最低暂态频率，确定频率协调控制策略；根据频率协调控制策略，控制交直流系统的频率。该方法通过建模含切负荷控制资源和直流调制资源的线性预测系统，能够在保证系统频率安全的情况下，有效协调控制切负荷量和直流调制量，还能够更好地适应于非预想运行方式和非预想故障。
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公开(公告)号：CN118270183A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211732130.5
申请日：2022-12-30
申请人： 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
摘要： 本发明涉及一种仿生水面机器人，包括移动平台、柔性电路板和包覆层，移动平台包括承载部和驱动部，承载部包括第一薄膜和第一形状记忆骨架，第一形状记忆骨架设在第一薄膜上，驱动部包括第二薄膜和第二形状记忆骨架，第二薄膜为光热膜，第二薄膜与第一薄膜相连，第二形状记忆骨架设在第二薄膜上，第二形状记忆骨架与第一形状记忆骨架相连；柔性电路板设在承载部在其厚度方向上的一侧；所述包覆层设在所述承载部上，所述柔性电路板被所述承载部和所述包覆层包裹。本发明的仿生水面机器人实现了无电机驱动的非机械式的仿生水面机器人的设计，具有轻量化、可变形的特点，可实现仿生水面机器人的微型化。
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公开(公告)号：CN118258530A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211693507.0
申请日：2022-12-28
申请人： 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
摘要： 本发明提供了一种柔性硅基压力传感器及其制造方法，其能够具有超薄结构，便于实现窄间隙接触力的监测。该柔性硅基压力传感器包括：压力传感芯片，该压力传感芯片包括减薄硅片和惠斯通电桥，该惠斯通电桥设置于该减薄硅片的上表面，该减薄硅片是通过研磨硅片基材的背面制成的；基底层，该基底层粘接于该减薄硅片的下表面；电路层，该电路层包括柔性膜和设置于该柔性膜的电路主体，该柔性膜的厚度大于该压力传感芯片的厚度，其中该压力传感芯片嵌入该柔性膜，并且该电路主体电连接于该惠斯通电桥；以及封装层，该封装层被设置于该电路层的上表面以覆盖该电路主体；其中该柔性硅基压力传感器的整体厚度小于等于五十微米。
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公开(公告)号：CN116344575B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111580138.X
申请日：2021-12-22
申请人： 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请涉及一种VDMOS器件，包括衬底层，设有第一导电柱；设置在衬底层上的外延层，衬底层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；设置在外延层上的栅极；设置在外延层的源极；外延层在靠近衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，绝缘区与第一导电柱位置相对应，掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。本申请通过在外延层中设置较高掺杂浓度的掺杂区，可以降低VDMOS器件正向导通时的外延电阻，同时还在衬底层和外延层之间形成MIS结构，使VDMOS器件维持较高的反向击穿电压，能有效提高VDMOS器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN113435113B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110693997.3
申请日：2021-06-22
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06Q50/06 , G06F119/02
摘要： 本发明提供一种电力系统暂态稳定评估方法及装置，包括：构建暂态稳定评估模型；其中，暂态稳定评估模型包括高阶特征提取器及分类器；其中，高阶特征提取器用于对量测序列进行高阶特征提取，得到高阶特征提取结果；分类器用于对高阶特征提取结果进行分类降维得到暂态稳定评估结果；将待评估的量测序列输入暂态稳定评估模型，得到暂态稳定评估结果。针对不同类别的电力系统特征建立独立的高阶特征提取器，先对系统中不同类别的特征量进行高阶特征表达，不同的高阶特征提取器得到的信息形成互补，再通过分类器进行不同类别之间的特征交叉，经过非线性映射后形成最终的模型输出；充分考虑了电力系统的领域知识，降低了模型的参数复杂度。
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公开(公告)号：CN117954352A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311651051.6
申请日：2023-12-04
申请人： 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本申请公开了一种晶圆处理方法及晶圆处理装置，用于处理外缘具有倒角部分的晶圆，方法包括：S1，将晶圆的背面正对支撑件，并将晶圆水平地固定在支撑件上；S2，将转移环粘接在晶圆上，其中转移环的内径小于晶圆的直径，而外径大于晶圆的直径。本申请通过在晶圆的正面粘设转移环，由于转移环的内径小于晶圆的直径，而外径大于晶圆的直径，以使得转移环贴设在晶圆的正面上时能够起到固定晶圆的同时，还能将晶圆的边缘处的倒角部分进行保护，减少转移过程中的碎片率，避免倒角悬空发生崩边，整个流程步骤中无需特殊的加工设备，不影响晶圆的原有结构，相较于Taiko工艺的成本更低，可推广性高。
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