公开(公告)号：CN108807587B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201810584916.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  种海宁 ,  王哲玮 ,  徐泽民 ,  伍科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。

公开(公告)号：CN108807587A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810584916.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  种海宁 ,  王哲玮 ,  徐泽民 ,  伍科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。

公开(公告)号：CN104409600A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410648043.0

申请日：2014-11-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  方旭 ,  王哲玮 ,  张诗雨

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明公开了一种近红外发光器件及其制备方法，本发明的近红外发光器件包括具有锗量子点的硅片以及位于所述硅片上的纳米柱阵列，所述的纳米柱由透明导电材料制备得到。通过如下步骤制备：(1)在硅片上依次形成透明导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜；(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属；(3)去除多孔氧化铝薄膜，然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的透明导电薄膜和SiO2薄膜；(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与透明导电薄膜脱离，即在硅片上形成纳米柱阵列，进而得到近红外发光器件。本发明的近红外发光器件在硅片上设置纳米柱阵列，大大提高了发光效率，且制备工艺简单，成本低廉，易于实现商业化应用。

公开(公告)号：CN104370269A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410647763.5

申请日：2014-11-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  王哲玮 ,  方旭 ,  夏亮

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米柱阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)在衬底上依次形成导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜；(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属；(3)去除多孔氧化铝薄膜，然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的导电薄膜和SiO2薄膜；(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与导电薄膜脱离，即在衬底上形成纳米柱阵列。本发明的利用多孔氧化铝薄膜的多孔结构，制备金属掩膜，进而能够一次制备包含多个纳米柱的阵列，能够一次性制备阵列，大大降低了制备时长，且制备工艺简单，成本低廉，有利于投入商业化生产。