公开(公告)号：CN108807587B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201810584916.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  种海宁 ,  王哲玮 ,  徐泽民 ,  伍科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。

公开(公告)号：CN108807587A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810584916.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  种海宁 ,  王哲玮 ,  徐泽民 ,  伍科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。