公开(公告)号：CN108807587B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201810584916.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  种海宁 ,  王哲玮 ,  徐泽民 ,  伍科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。

公开(公告)号：CN108807587A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810584916.4

申请日：2018-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶辉 ,  种海宁 ,  王哲玮 ,  徐泽民 ,  伍科

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。

公开(公告)号：CN108768164B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201810576183.X

申请日：2018-06-06

Applicant: 上海跃盛信息技术有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 江水东 ,  徐志伟 ,  刘嘉冰 ,  方厚菲 ,  侯仰青 ,  伍科 ,  兰澜

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明公开一种一驱多充放电电路，其包括充放电结构和一驱多MODEL两部分，该电路结构简单，能够在充电、放电和保持电压三种状态中高速切换，不同于传统电压控制器一驱一的控制模式，本发明的一驱多充放电结构就能够同时为多个负载提供不同电压，大大降低了阵列控制所需求的电压控制器的数量，节约了成本。

公开(公告)号：CN108768164A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810576183.X

申请日：2018-06-06

Applicant: 上海跃盛信息技术有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 江水东 ,  徐志伟 ,  刘嘉冰 ,  方厚菲 ,  侯仰青 ,  伍科 ,  兰澜

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明公开一种一驱多充放电电路，其包括充放电结构和一驱多MODEL两部分，该电路结构简单，能够在充电、放电和保持电压三种状态中高速切换，不同于传统电压控制器一驱一的控制模式，本发明的一驱多充放电结构就能够同时为多个负载提供不同电压，大大降低了阵列控制所需求的电压控制器的数量，节约了成本。