-
公开(公告)号:CN104617178B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201510055267.5
申请日:2015-02-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/076 , H01L31/032 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法,以及一种用作紫外探测器光激活层的非晶氧化物薄膜。该紫外探测器包含衬底、光激活层及一对电极,且光激活层为非晶氧化物薄膜,该非晶氧化物薄膜的化学式为Zn4AlxSn7O1.5x+18,其中0≦x≦1.0。制备本发明的紫外探测器的步骤包括衬底准备步骤、光激活层形成步骤以及形成金属电极步骤,其中光激活层形成步骤为通过低温化学反应法形成化学式为Zn4AlxSn7O1.5x+18的非晶氧化物薄膜。本发明制得的紫外探测器,暗电流为10‑9~10‑6 A、光电流为10‑8~10‑5 A,响应灵敏度为10~50。本发明使用的制备方法操作简单、成本低,制得的紫外探测器具有探测灵敏度高等优点,在军事、民用等领域具有重要的应用价值。
-
-
公开(公告)号:CN104561928A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410811446.2
申请日:2014-12-24
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积法领域,具体涉及一种在玻璃基底上二氧化硅薄膜的低压化学气相法(LPCVD)沉积。本发明在CVD沉积过程中,将硅源和氧气分开通入反应腔,先利用硅源在玻璃基底上沉积一层硅膜,然后再利用氧气将硅膜氧化从而获得二氧化硅薄膜;具体步骤包括1)化学清洗玻璃基底;2)CVD设备抽真空;3)沉积硅膜;4)氧化硅膜;5)室温冷却,最后在玻璃基底上制得二氧化硅薄膜。其中,在步骤3)、4)沉积过程中,石英管内压强一直处于150Pa-250Pa的低压环境中。通过该技术在玻璃基底上制备出致密、稳定的、均匀的纯SiO2薄膜,其具有致密均匀、牢固耐磨损、抗侵蚀性能高、耐酸碱性能强、无色透明、光透过率高等优越性能。
-
-
公开(公告)号:CN104617178A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201510055267.5
申请日:2015-02-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/076 , H01L31/032 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/095 , H01L31/032 , H01L31/20 , H01L31/208
Abstract: 本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法,以及一种用作紫外探测器光激活层的非晶氧化物薄膜。该紫外探测器包含衬底、光激活层及一对电极,且光激活层为非晶氧化物薄膜,该非晶氧化物薄膜的化学式为Zn4AlxSn7O1.5x+18,其中0≦x≦1.0。制备本发明的紫外探测器的步骤包括衬底准备步骤、光激活层形成步骤以及形成金属电极步骤,其中光激活层形成步骤为通过低温化学反应法形成化学式为Zn4AlxSn7O1.5x+18的非晶氧化物薄膜。本发明制得的紫外探测器,暗电流为10-9~10-6A、光电流为10-8~10-5A,响应灵敏度为10~50。本发明使用的制备方法操作简单、成本低,制得的紫外探测器具有探测灵敏度高等优点,在军事、民用等领域具有重要的应用价值。
-
-
-
-