-
公开(公告)号：CN114800253B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210627321.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明具体涉及硅晶圆加工技术领域，具体为一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法，所述碳化硅晶圆的研磨装置包括：研磨机构，所述研磨机构包括研磨驱动机构和研磨基座，所述研磨驱动机构为碳化硅晶圆片的旋转研磨提供动力；研磨液供给源，所述研磨液供给源包括研磨液、磁流变液和磁场，通过磁场使磁流变液形成磁簇，从而控制研磨液中研磨颗粒的运动轨迹；磨粒回收机构，所述磨粒回收机构包括磁力控制设备，通过磁力控制设备对研磨颗粒和磁流变液分离，之后对研磨颗粒进行回收。本发明使研磨液中的研磨颗粒分布均匀，使碳化硅晶圆片的表面研磨均匀，研磨结束后，通过磁力控制设备的表面可控的产生磁性，对研磨颗粒集中收集，对磁流变液进行循环使用。
-
公开(公告)号：CN114078692B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210013373.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备，所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗，然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态，使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面，实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质，将其引入晶圆清洗流程，替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物，突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。
-
公开(公告)号：CN117253787A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311216623.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET一体化实现沟槽刻蚀的工艺方法。该方法在同一ICP硅刻蚀机中，以光刻胶为掩膜，采用CF4气体对硬掩模层进行干法刻蚀，采用C4F8气体对硬掩膜层进行过刻蚀；氧等离子体去除光刻胶；采用CHF3气体干法去除硅外延层表面的氧化层；以硬掩模层为掩膜，采用SF6气体刻蚀外延层，形成沟槽，直至被刻蚀的外延层沟槽深度为预设值；选择湿法刻蚀机去除硬掩模层，清洗残留物。本发明减少了切换机台的排队时间与额外的暖机时间，提高生产效率，避免了切换机台时在大气中暴露而可能生成自然氧化层、表面缺陷、聚合物颗粒等的情况，减少了机台宕机导致生产流程停止事故的发生，简化了工艺流程。
-
公开(公告)号：CN114940886B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210470448.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3，该磨粒按以下制备方法制得：将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液；将溶液转移至坩埚内，将坩埚置于马弗炉内，将马弗炉按10～20℃/min升温速率加热至预定温度，保温，冷却，获得球形α‑Al2O3，碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成：纳米氧化铝磨粒1～50％、表面活性剂0.05％～5％、氧化剂0.2～10％、pH调节剂0.02％～2％和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小，有较好的表面精度，提高抛光效率和精度，氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。
-
公开(公告)号：CN114800253A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210627321.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明具体涉及硅晶圆加工技术领域，具体为一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法，所述碳化硅晶圆的研磨装置包括：研磨机构，所述研磨机构包括研磨驱动机构和研磨基座，所述研磨驱动机构为碳化硅晶圆片的旋转研磨提供动力；研磨液供给源，所述研磨液供给源包括研磨液、磁流变液和磁场，通过磁场使磁流变液形成磁簇，从而控制研磨液中研磨颗粒的运动轨迹；磨粒回收机构，所述磨粒回收机构包括磁力控制设备，通过磁力控制设备对研磨颗粒和磁流变液分离，之后对研磨颗粒进行回收。本发明使研磨液中的研磨颗粒分布均匀，使碳化硅晶圆片的表面研磨均匀，研磨结束后，通过磁力控制设备的表面可控的产生磁性，对研磨颗粒集中收集，对磁流变液进行循环使用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078692A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202210013373.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备，所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗，然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态，使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面，实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质，将其引入晶圆清洗流程，替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物，突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。
-
公开(公告)号：CN118098951A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410228098.X
申请日：2024-02-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种优化半导体结构底部平整度的回刻方法。在衬底上通过沉积刻蚀工艺形成待填充结构，在待填充结构之间以及待填充结构上层生长填充待回刻膜层，以实现包裹待填充结构；在已经生长完成的待回刻膜层上旋涂上具有流动性的平整化材料，形成平整化膜层；加热固化上述流动性的材料，使其最终形成平整的膜层平面；通过干法刻蚀工艺对上述平面进行刻蚀。本发明采用旋涂含硅的抗反射层Si‑ARC来进行回刻平整度的调整，相比采用化学机械研磨来优化回刻平整度降低的工艺成本，且Si‑ARC是光刻步骤中会使用到的材料，不需要额外的引入新材料，简单易行。
-
公开(公告)号：CN114940886A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210470448.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3，该磨粒按以下制备方法制得：将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液；将溶液转移至坩埚内，将坩埚置于马弗炉内，将马弗炉按10～20℃/min升温速率加热至预定温度，保温，冷却，获得球形α‑Al2O3，碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成：纳米氧化铝磨粒1～50％、表面活性剂0.05％～5％、氧化剂0.2～10％、pH调节剂0.02％～2％和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小，有较好的表面精度，提高抛光效率和精度，氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。
-
公开(公告)号：CN119277811A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411352040.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开一种富硅的ONO结构，包括电荷隧穿层、电荷俘获层、电荷阻挡层；电荷俘获层包括第一电荷俘获层、第二电荷俘获层、第三电荷俘获层；其中第二电荷俘获层为富硅氮化硅；第一电荷俘获层、第二电荷俘获层、第三电荷俘获层根据卷积神经网络预测沉积厚度，进而反推最优沉积工艺参数；本发明通可以实现对于非挥发性存储器器件中氮化硅层厚度的精准控制，从而提高器件性能和可靠性。同时，本发明旨在克服传统制程中存在的高成本、低效率和复杂参数调整等问题，为半导体制造行业提供一种更为先进、高效和可靠的工艺优化方案，从而提高生产效率、降低制程成本，并推动半导体制造技术的进一步发展和应用。
-
公开(公告)号：CN119049968A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410959456.4
申请日：2024-07-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种提高铝金属刻蚀速率的方法，采用高浓度氮气和其他刻蚀气体一起进行刻蚀，具体是在衬底上沉积金属铝层，并在表面涂覆光刻胶；采用BCl3、Cl2、N2的混合气体作为刻蚀气体对未覆盖光刻胶部分的金属铝层进行干法刻蚀，其中N2浓度为40～100sccm。经本发明实验验证，在氮气浓度超过常规实现钝化作用的10～20sccm后，进一步提高氮气浓度反而能够显著提升刻蚀速率，进而降低生产成本。本发明突破了以低浓度氮气作为钝化气体的常规认知，在金属铝层刻蚀中具有良好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.017 seconds)
