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公开(公告)号：CN117253787A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311216623.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET一体化实现沟槽刻蚀的工艺方法。该方法在同一ICP硅刻蚀机中，以光刻胶为掩膜，采用CF4气体对硬掩模层进行干法刻蚀，采用C4F8气体对硬掩膜层进行过刻蚀；氧等离子体去除光刻胶；采用CHF3气体干法去除硅外延层表面的氧化层；以硬掩模层为掩膜，采用SF6气体刻蚀外延层，形成沟槽，直至被刻蚀的外延层沟槽深度为预设值；选择湿法刻蚀机去除硬掩模层，清洗残留物。本发明减少了切换机台的排队时间与额外的暖机时间，提高生产效率，避免了切换机台时在大气中暴露而可能生成自然氧化层、表面缺陷、聚合物颗粒等的情况，减少了机台宕机导致生产流程停止事故的发生，简化了工艺流程。
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