公开(公告)号：CN116474800B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310411735.2

申请日：2023-04-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 史国普 ,  魏郁林 ,  冀珺 ,  王志 ,  李庆刚 ,  梁福鑫 ,  王红磊

IPC: B01J27/185 ,  B01J23/58 ,  C07C1/12 ,  C07C9/04 ,  C01B32/50

Abstract: 本发明属于催化剂技术领域，具体涉及一种具有花状团簇的介孔催化剂涂层及其制备的催化剂。涂层，包括改性组分和主催化组分；改性组分包括非金属元素改性的γ‑Al2O3和变价金属氧化物或其他具备丰富活性位点的碱土、稀土金属氧化物；主催化组分为具有某种高效催化作用的金属氧化物。采用多步浸渍、一次焙烧的方法，利用多元金属氧化物对应的硝酸盐和氨水等完成涂层成分转换，实现了涂料合成和涂层沉积过程的结合。且利用铵根与弱酸根调控纳米氧化铝形貌获得花状团簇，使涂层具有均匀介孔和大量气体通道。相对于直接用氧化物涂覆，原料成本降低，无需考虑喷涂固化，合成的涂层更薄，时间和经济成本较低，耗能减少。

公开(公告)号：CN109734452B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201910196116.X

申请日：2019-03-15

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴俊彦 ,  王志浩 ,  张学谦 ,  王志 ,  李庆刚 ,  吴昊

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种无压烧结制备高致密Ti2AlN陶瓷的方法，属于高纯高致密陶瓷的无压制备技术领域。其特征是以Ti和AlN作为原料，IIIA族和IVA族单质（如单质Si、Sn、In等）作为添加剂，利用少量添加剂夺取金属Ti中固溶的O元素从而使Ti更易和AlN中的Al发生反应，促进Ti2AlN的生成；同时加入添加剂促进烧结体中形成液相，促进物质传递从而促进Ti2AlN陶瓷的致密化。具体步骤包括：以一定含量比的市售钛粉、氮化铝粉和添加剂粉为原料，将研磨球和原料粉加入到球磨罐中，以酒精或水作为球磨介质；一定球磨时间后将上述粉料取出、烘干，采用一定压力的冷等静压成型；将成型后的试块置于无压气氛烧结炉或真空烧结炉中，通以烧结气氛或抽真空，随后以一定的升温速率升至一定温度并保温。本发明为促进Ti2AlN陶瓷的进一步发展应用提供了技术支持，具有重要的实用意义和广泛的社会价值。

公开(公告)号：CN109369194B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201811331959.8

申请日：2018-11-09

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  王志 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: H01B3/10 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B38/00 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β‑Si3N4的转化率，在浆料中添加硼化锆促进α‑Si3N4向β‑Si3N4的转化，可以形成高长径比β‑Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架，提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低，工艺简单，所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%，介电常数3.3±0.1，抗弯性能在99.89～131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。

公开(公告)号：CN111518550A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010147328.1

申请日：2020-03-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 赵丕琪 ,  鲍兴源 ,  芦令超 ,  李金凯 ,  李庆刚 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/80 ,  C09D5/22 ,  C09D133/00

Abstract: 本发明涉及荧光发光材料制备技术领域，尤其涉及一种兼具胶凝与长余辉发光特性的功能性填料及其制备方法和应用。本发明中功能性填料是稀土离子掺杂激发碱土铝酸盐发光材料，采用固相合成法，相较于其他荧光材料而言，其优点是获得了荧光强度高、余辉时间长、化学性质稳定、耐候性好。同时，本发明通过赋予发光材料新的胶凝特性，解决了传统的铝酸盐荧光材料易吸潮丧失荧光性能的缺点，因为硫铝酸锶钙相具有极易水化的特点，消耗了进入材料中的水分，并且其水化产物为铝胶、硫酸锶等，会包裹在材料表面，阻止水分与铝酸锶的进一步接触。同时，在制备涂层等产品时，优异的凝胶性能够有效增强产品的力学性能。

公开(公告)号：CN109650852A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811608753.5

申请日：2018-12-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 于金满 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  吴昊 ,  张柳

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅|氧化铝复相陶瓷的制备方法，属于复相陶瓷的制备领域。本发明采用纳米级碳化硅粉和微米级氧化铝粉为原料，首先称取若干组分的原料，混合后以无水乙醇为分散介质，高纯氧化铝球为磨球进行球磨混料。将混合后的料浆在冷冻干燥机中冷干燥，再将干燥后的粉体研磨并过筛，获得混合均匀的粉料，将其装在石墨模具内，使用真空热压炉烧结，制备出圆饼状碳化硅|氧化铝复相陶瓷。该方法的制备工艺操作简便，所制备的碳化硅|氧化铝复相陶瓷，具有相对密度高，弯曲强度高，断裂韧性好，维氏硬度高等优点，且分别超过99.47%，507.82 MPa，4.75 MPa·m1/2，1824.96 Hv。

公开(公告)号：CN107498057B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710604050.4

申请日：2017-07-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  吴昊

IPC: B22F7/02 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明公开了一种层状铝碳化硼复合材料及其制备方法，包括分布在中轴面一侧的n层层状结构，以及，对称分布在中轴面另一侧的n层层状结构，n≥2；层状结构由铝粉和碳化硼粉制成，按照原料的体积百分比计，层状结构中铝粉的含量由内向外逐层递增，由50vol.%递增至100vol.%；碳化硼粉的含量由内向外逐层递减，由50vol.%递减至0vol.%；中轴面两侧原料变化一致。该层状铝碳化硼复合材料当外层遭到破坏，这种变形也会扩大裂纹的传播路径，吸收更多的断裂能，从而保证了材料整体的强度和韧性。

公开(公告)号：CN108315629A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810148011.2

申请日：2018-02-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  史国普 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C22C29/06 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明涉及一种Al/SiC金属陶瓷复合材料的制备方法，属于金属陶瓷复合材料制备技术领域。具体步骤为：分别称取铝粉和碳化硅粉，放置于研磨体中，采用行星式球磨机对混合物料进行球磨，球磨后物料在真空干燥箱内进行干燥，干燥后物料研磨后使粉料全部过100目筛备用；将粉磨好的物料置于放电等离子烧结所用的石墨模具中按进行烧结。本发明利用放电等离子烧结技术，在高温高压下制备Al/SiC金属陶瓷复合材料，打破了Al/SiC金属陶瓷复合材料传统制备方法；制备的Al/SiC金属陶瓷复合材料体系相对于铝基金属来说，它有更高的使用温度，而且铝/碳化硅有更好的耐磨性能、断裂韧性、耐腐蚀性能，拓宽了铝/碳化硅的应用范围。

公开(公告)号：CN106119583A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610500096.7

申请日：2016-06-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 徐菡卿 ,  王志 ,  吴俊彦 ,  李庆刚

IPC: C22C1/05 ,  B22F3/00 ,  B22F7/02

CPC classification number: C22C1/05 ,  B22F3/004 ,  B22F7/02

Abstract: 本发明涉及一种无压烧结钛/氧化铝梯度复合材料的制备方法。本发明通过改变钛和氧化铝粉料的配比，经球磨混合得到不同配比的钛/氧化铝粉料，粉料过筛后分别将不同配比的粉料以设定厚度逐层填充在石墨模具中进行初压，初压成型后的坯体经冷等静压处理使用真空烧结炉无压烧结。本发明通过控制不同钛和氧化铝的配比，以及单层粉料的填充厚度得到不同强度和断裂韧性的钛/氧化铝梯度复合材料；对最上层和最下层钛和氧化铝的配比的控制，实现制备出上下底面导电性有差异的材料，以满足实际使用要求。

公开(公告)号：CN103288454A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310222890.6

申请日：2013-06-06

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  王志 ,  马妍 ,  史国普 ,  黄世峰 ,  程新 ,  吴超

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法，所述方法是一种原位反应法，即，首先将酚醛树脂、锆盐、硅粉加入有机溶剂中，球磨使混合均匀；然后干燥除去有机溶剂，制得先驱体粉末；再将先驱体粉末在800～1000℃进行裂解处理；裂解处理后，再在惰性气氛下，于1500～1800℃进行热处理。本发明提供的ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法，作为锆源的锆盐价格低廉且分布广泛，容易保存。制备方法具有操作简单，成本低，可规模化实施等优点，有助于实现ZrC-SiC复相陶瓷材料的低成本快速制备。所述复合材料的制备方法简单，制备周期短，易于规模化实施，具有实用价值。

公开(公告)号：CN115353401A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210861944.2

申请日：2022-07-22

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  杜宇航 ,  马德礼 ,  王志 ,  史国普

IPC: C04B35/81 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明具体涉及一种复合刚玉陶瓷及其制备方法，属于高温结构材料领域。该复合刚玉陶瓷通过以下原料制备而成：锆英粉、白刚玉、氧化铝晶须和粘结剂。本发明以白刚玉为基体，添加不同质量分数的锆英粉作为复合刚玉陶瓷体系，突破了传统高温陶瓷体系。本发明利用白刚玉和锆英粉作为原料，利用干压成型工艺，制备工艺简单，节约成本，制备过程绿色环保无污染。本发明利用马弗炉低温共烧结技术，在高温有氧条件下制备复合刚玉陶瓷，打破了传统高温陶瓷的制备方法；制备的复合刚玉陶瓷具有更高的使用温度，耐烧蚀性能好、使用寿命长、拓宽了材料的应用范围。