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公开(公告)号:CN104820006B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201510245145.2
申请日:2015-05-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于功能化纳米材料、传感分析及环境分析领域,其提供了一种基于ZnO和CdS复合半导体材料的灵敏检测Cd2+的光电化学传感器的制备方法及检测。所述传感器制作方案是:以ITO电极为基板,将ZnO晶种接种到ITO电极上,通过使用NaS2SO3作为硫源,环境样品中的Cd2+作为镉源,EDTA作为稳定剂,通过电沉积方法将CdS沉积到ZnO晶化的ITO电极上,使光电信号得到大幅增强,检测范围为0.01~5.0mmol/L,检测限可达5μmol/L。
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公开(公告)号:CN104833806B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201510241947.6
申请日:2015-05-13
Applicant: 济南大学
IPC: G01N33/574 , G01N33/58 , G01N21/76
Abstract: 本发明涉及一种恶性肿瘤特异性生长因子TSGF抗原电致化学发光传感器的制备方法及应用。具体涉及一种氮掺杂碳量子点作为发光材料,氨基化石墨烯GS-NH2与检测抗体Ab2的孵化物作为检测抗体标记物的电致化学发光免疫传感器的制备与应用,提供一种简单、快速、无污染的氮掺杂碳量子点电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用,其线性范围为0.01ng/mL~100ng/mL,检测限为3.3pg/mL,从而实现对恶性肿瘤特异性生长因子TSGF抗原的快速灵敏检测。
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公开(公告)号:CN104820006A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201510245145.2
申请日:2015-05-14
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于功能化纳米材料、传感分析及环境分析领域,其提供了一种基于ZnO和CdS复合半导体材料的灵敏检测Cd2+的光电化学传感器的制备方法及检测。所述传感器制作方案是:以ITO电极为基板,将ZnO晶种接种到ITO电极上,通过使用NaS2SO3作为硫源,环境样品中的Cd2+作为镉源,EDTA作为稳定剂,通过电沉积方法将CdS沉积到ZnO晶化的ITO电极上,使光电信号得到大幅增强,检测范围为0.01~5.0mmol/L,检测限可达5μmol/L。
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公开(公告)号:CN104833806A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510241947.6
申请日:2015-05-13
Applicant: 济南大学
IPC: G01N33/574 , G01N33/58 , G01N21/76
CPC classification number: G01N33/57423 , G01N21/76 , G01N33/588 , G01N2033/57453 , G01N2800/7028
Abstract: 本发明涉及一种恶性肿瘤特异性生长因子TSGF抗原电致化学发光传感器的制备方法及应用。具体涉及一种氮掺杂碳量子点作为发光材料,氨基化石墨烯GS-NH2与检测抗体Ab2的孵化物作为检测抗体标记物的电致化学发光免疫传感器的制备与应用,提供一种简单、快速、无污染的氮掺杂碳量子点电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用,其线性范围为0.01ng/mL~100ng/mL,检测限为3.3pg/mL,从而实现对恶性肿瘤特异性生长因子TSGF抗原的快速灵敏检测。
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