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公开(公告)号：CN110451511B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910790996.3
申请日：2019-08-26
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , C30B28/14 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉及其启炉方法，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本发明的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热，整个系统属于密闭系统，同时气体纯度能够保证，操作简便，安全可靠。
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公开(公告)号：CN111072033A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010060402.6
申请日：2020-01-19
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/035 , C01B9/02 , C01C1/16 , C01B21/087 , B01D36/00 , B01D53/00
摘要： 本发明公开了一种氯硅烷残液的预处理系统和方法，其中，所述系统包括：氯硅烷残液设备、氮气储罐和液氨供给单元，所述氯硅烷残液设备内自上而下形成排气区、反应区和进料区，并且所述进料区和所述反应区之间设有滤网，所述排气区设有氮气入口和尾气出口，所述进料区设有液态料出口；所述氮气储罐通过第一输气管道与所述氮气入口相连，并且所述第一输气管道上设有第一阀门；所述液氨供给单元包括依次相连的液氨储罐、气化器和减压阀，所述减压阀通过第二输气管道与所述进料区相连，并且所述第二输气管道上设有第二阀门。采用该系统可以解决现有氯硅烷残液设备在检修时氯硅烷残液氮气置换时间长、检修作业烟雾大和残渣处理烟雾大的问题。
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公开(公告)号：CN110436467A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910760915.5
申请日：2019-08-16
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/027
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉供料系统，包括雾化装置和管道式挥发器，雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口，雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化，产生雾气并经过雾出口排出；管道式挥发器包括内管和加热组件，内管一端与雾化装置的雾出口连通，另一端与还原炉连通；加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸；加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气，以向还原炉供入混合气。本发明的多晶硅还原炉供料系统稳定性高，配比精度高，配比调节灵活，多晶硅产品质量高。
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公开(公告)号：CN111072033B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010060402.6
申请日：2020-01-19
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/035 , C01B9/02 , C01C1/16 , C01B21/087 , B01D36/00 , B01D53/00
摘要： 本发明公开了一种氯硅烷残液的预处理系统和方法，其中，所述系统包括：氯硅烷残液设备、氮气储罐和液氨供给单元，所述氯硅烷残液设备内自上而下形成排气区、反应区和进料区，并且所述进料区和所述反应区之间设有滤网，所述排气区设有氮气入口和尾气出口，所述进料区设有液态料出口；所述氮气储罐通过第一输气管道与所述氮气入口相连，并且所述第一输气管道上设有第一阀门；所述液氨供给单元包括依次相连的液氨储罐、气化器和减压阀，所述减压阀通过第二输气管道与所述进料区相连，并且所述第二输气管道上设有第二阀门。采用该系统可以解决现有氯硅烷残液设备在检修时氯硅烷残液氮气置换时间长、检修作业烟雾大和残渣处理烟雾大的问题。
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公开(公告)号：CN111498853B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010351447.9
申请日：2020-04-28
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明提供了一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺。该裂解工艺包括：对多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物；利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解，得到裂解产物体系，其中催化剂包括大孔树脂和负载在大孔树脂上的有机胺，有机胺选自三正丁胺、三正辛胺和N、N‑二甲基苯胺、双十八烷基仲胺和全氟三乙胺中的任意一种或多种。催化剂中作为载体的大孔树脂的骨架与氯硅烷高沸物相容性高提供更多的反应界面，骨架上负载的有机胺在微孔内富集，使树脂内外表面反应更彻底，可提高转化率，降低热解温度。该催化剂可循环使用。进入大孔树脂前过滤将多晶硅生产副产中的无定形硅去除，避免堵塞树脂孔隙。
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公开(公告)号：CN111498853A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010351447.9
申请日：2020-04-28
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明提供了一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺。该裂解工艺包括：对多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物；利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解，得到裂解产物体系，其中催化剂包括大孔树脂和负载在大孔树脂上的有机胺，有机胺选自三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺、双十八烷基仲胺和全氟三乙胺中的任意一种或多种。催化剂中作为载体的大孔树脂的骨架与氯硅烷高沸物相容性高提供更多的反应界面，骨架上负载的有机胺在微孔内富集，使树脂内外表面反应更彻底，可提高转化率，降低热解温度。该催化剂可循环使用。进入大孔树脂前过滤将多晶硅生产副产中的无定形硅去除，避免堵塞树脂孔隙。
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公开(公告)号：CN106882808B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710113038.3
申请日：2017-02-28
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/107
摘要： 本发明提供了一种氯硅化物的纯化方法和纯化系统。氯硅化物为含有硼磷杂质的二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，纯化方法包括：步骤S1，对氯硅化物进行第一次精馏，得到精馏液相氯硅化物；步骤S2，利用吸附剂对精馏液相氯硅化物进行处理，得到吸附后液相氯硅化物，其中，吸附剂具有自由水或结晶水，自由水或结晶水与硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，部分高沸物存在于吸附后液相氯硅化物中；以及步骤S3，对吸附后液相氯硅化物进行第二次精馏，得到纯化的氯硅化物。吸附剂中的水与硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，易于和氯硅化物分离，分离效率较高，该纯化方法的分离效果较好，能够使纯化的氯硅化物中硼磷杂质含量在0.05～0.5ppb。
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公开(公告)号：CN111076555A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010060335.8
申请日：2020-01-19
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： F27D9/00
摘要： 本发明公开了一种高温炉循环水冷却系统，包括高位水箱、冷却塔、低位水箱和应急放水阀；高位水箱高于高温炉的布置位置；高位水箱通过第一管与高温炉相连；冷却塔通过第二管与高温炉相连，第二管上设有循环泵，循环泵使高温炉输出的热水经过第二管输送至冷却塔；冷却塔通过第三管与高位水箱相连；低位水箱的布置位置低于高位水箱及高温炉布置的位置，低位水箱通过第四管与第二管相连，第四管和第二管相连的连接部位位于高温炉与循环泵之间；应急放水阀设置在第四管上，应急放水阀在循环泵跳停或者水循环断流时自动打开。本发明的高温炉循环水冷却系统能够在循环泵跳停或者断流时对高温炉进行延时冷却降温，保证了故障状态下高温炉的安全。
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公开(公告)号：CN110436467B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910760915.5
申请日：2019-08-16
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/027
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉供料系统，包括雾化装置和管道式挥发器，雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口，雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化，产生雾气并经过雾出口排出；管道式挥发器包括内管和加热组件，内管一端与雾化装置的雾出口连通，另一端与还原炉连通；加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸；加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气，以向还原炉供入混合气。本发明的多晶硅还原炉供料系统稳定性高，配比精度高，配比调节灵活，多晶硅产品质量高。
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公开(公告)号：CN114311348A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210020029.0
申请日：2022-01-10
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本发明的实施例提出一种区熔硅棒的切割装置和切割方法。其中，本发明的实施例的区熔硅棒的切割装置包括支撑架、旋转固定机构和切割机构。所述旋转固定机构包括固定套筒组件和驱动支撑组件，所述固定套筒组件通过所述驱动支撑组件可转动地设置在所述支撑架上；所述切割机构沿第一预设方向在切割位置和空挡位置之间可移动地设置。因此，本发明实施例的区熔硅棒的切割装置具有降低切割过程中因应力集中出现炸裂的技术问题，具有提高区熔硅棒的切割时成品的合格率、降低切割成本的优点。
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