高纯三甲硅烷基胺的制备方法及装置

    公开(公告)号:CN115636846B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202211367203.5

    申请日:2022-11-02

    IPC分类号: C07F7/10 C07F7/20

    摘要: 本发明提供一种高纯三甲硅烷基胺的制备方法及装置,通过先将一氯硅烷和烷烃溶剂进行低温混合后,采用将智能控温、搅拌、加热和闭式过滤进行集成的四合一反应器进行反应获得粗三甲硅烷基胺,最后利用精馏塔进行减压精馏获得高纯三甲硅烷基胺。本发明通过先将一氯硅烷和烷烃溶剂进行低温混合后,然后在四合一反应器中进行低温搅拌反应,有效避免了局部热集聚,减少了合成副反应;闭式过滤单元是四合一反应器的一部分,减少了物料在空气中的转移环节,从而降低了引入杂质的风险;通过采用将智能控温、搅拌、加热和闭式过滤进行集成的四合一反应器,有效缩短制备流程,降低了安全风险和环保风险。

    电子级正硅酸乙酯的制备装置及制备方法

    公开(公告)号:CN113121583B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202110432044.1

    申请日:2021-04-21

    IPC分类号: C07F7/04

    摘要: 本发明提供了一种电子级正硅酸乙酯的制备装置及制备方法。该制备装置包括工业级正硅酸乙酯供应单元、多级微孔膜耦合吸附柱、脱轻精馏塔和脱重精馏塔;多级微孔膜耦合吸附柱包括柱状中空壳体,柱状中空壳体中填充有螯合吸附树脂,中空壳体的两端设置有微孔膜;各级微孔膜耦合吸附柱按物料流动顺序串联和/或并联设置,且位于第一级的微孔膜耦合吸附柱的进口与工业级正硅酸乙酯供应单元相连;本发明将微孔膜与液相吸附耦合工艺应用到电子级正硅酸乙酯制备中,并进一步结合脱轻、脱重精馏除杂,取得了很好的除杂效果,能够提纯制备电子级正硅酸乙酯,且生产成本较低。

    用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置

    公开(公告)号:CN111115637B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202010113277.0

    申请日:2020-02-24

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置。其中,该方法包括以下步骤:S1,将三氯氢硅原料在精馏装置中脱去高沸点组分和低沸点组分,得到精馏三氯氢硅;S2,将精馏三氯氢硅送入吸附装置中去除甲基氯硅烷,得到高纯氯硅烷;其中,吸附装置中填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂。应用本发明的技术方案是利用与甲基氯硅烷具备亲和力的富含氨基的树脂型吸附剂,在铂系催化剂作用下,将甲基氯硅烷杂质去通过吸附工艺去除掉,从而将多晶硅生产过程中精馏产品的总含甲基氯硅烷杂质含量降低到50ppb以下,生产出高纯度4N以上,含碳杂质<50ppb的高纯氯硅烷。

    电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置及合成方法

    公开(公告)号:CN113797568A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110963725.0

    申请日:2021-08-20

    IPC分类号: B01D3/00 C07F7/02

    摘要: 本发明提供了一种电子级三(二甲氨基)硅烷的合成装置及合成方法。电子级三硅烷的合成装置包括:原料预混合装置、反应单元、加压装置和纯化单元,原料预混合装置设置有氯接收剂入口、氯化二甲氨入口、溶剂入口和混合液出口;反应单元设置有惰性气氛入口、混合液入口、三氯氢硅入口和粗产品出口,混合液入口与混合液出口连通设置;加压装置用于调节反应单元中的压力;及纯化单元设置有纯化入口和排料口,纯化入口与粗产品出口通过粗产品输送管路连通设置。采用上述合成装置对反应原料种类和加料方式进行改变,同时设置加压装置能够降低反应装置中反应温度的波动性,并降低工艺成本。

    四氯化硅尾气的处理装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113289468A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202010113131.6

    申请日:2020-02-24

    摘要: 本发明提供了一种四氯化硅尾气的处理装置。该处理装置包括:第一反应器,用于使四氯化硅尾气与过量碱液反应得到含有硅酸盐和次氯酸盐的第一反应产物;固液分离器,与第一反应器的出口连通,用于将第一反应产物固液分离以得到分离液;第二反应器,与固液分离器的出口连通,用于使次氯酸盐与还原剂发生氧化还原反应转化为氯盐以得到第二反应产物;酸碱中和装置,与第二反应器的出口连通,用于将酸液与第二反应产物混合以中和过量的碱液。采用上述装置对四氯化硅尾气进行处理时,能够利用亚硫酸钠等还原剂处理掉淋洗后废碱液中的次氯酸盐,从而避免了次氯酸盐在酸性环境下生成的氯气在设备或者管道低处的聚集,降低了生产安全隐患的发生。

    氯硅烷充装系统和充装方法

    公开(公告)号:CN112944205A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110270910.1

    申请日:2021-03-12

    摘要: 本发明公开了一种氯硅烷充装系统和氯硅烷充装方法,氯硅烷充装系统包括充装管、保护气源、氯硅烷储罐、气液分离装置、真空泵和冷却装置,充装管具有保护气口、氯硅烷进口、抽真空口和充装接口,保护气源与保护气口连通,氯硅烷储罐与氯硅烷进口连通,气液分离装置设在充装管上,气液分离装置位于氯硅烷进口和充装接口之间,真空泵与抽真空口连通,冷却装置设在充装管上且位于气液分离装置和充装接口之间,冷却装置用于将气态氯硅烷冷却为液态氯硅烷并分离和排出氯硅烷中的不凝气体。本发明的氯硅烷充装系统,避免了氯硅烷中杂质和颗粒度超标的情况,提升了氯硅烷的充装品质。

    提纯三氯氢硅的方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108946743B

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN201811141132.0

    申请日:2018-09-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种提纯三氯氢硅的方法。该方法包括以下步骤:S1,将三氯氢硅原料与氯气和氧气在光源催化下进行反应,得到的反应产物;S2,对反应产物进行精密过滤,将反应产物中的固体和反应液体产物分离;以及S3,将反应液体产物输入精馏塔脱除杂质、轻组分和重组分后得到三氯氢硅产品。应用本发明的技术方案,采用反应精馏工艺,将原料中的低氯含量的甲基氯硅烷通过反应转化为高氯含量的甲基氯硅烷,同时,将B、P等转化为高沸点络合物,再通过精馏进行分离,最终得到高纯的三氯氢硅。

    提纯三氯氢硅的装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109179425A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811141131.6

    申请日:2018-09-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种提纯三氯氢硅的装置。该装置包括:反应器,用于三氯氢硅原料与氯气和氧气在光源催化下进行反应,精密过滤器,用于将从反应器中排出的反应产物进行精密过滤,以及精馏塔,用于将从精密过滤器中排出的反应液体产物脱除杂质、轻组分和重组分。应用本发明的技术方案,采用反应精馏工艺,将原料中的低氯含量的甲基氯硅烷通过反应转化为高氯含量的甲基氯硅烷,同时,将B、P等转化为高沸点络合物,再通过精馏进行分离,最终得到高纯的三氯氢硅。

    提纯三氯氢硅的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108892143A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201811139932.9

    申请日:2018-09-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种提纯三氯氢硅的方法。该方法包括以下步骤:S1,将含甲基二氯硅烷的三氯氢硅原料与四氯化硅和氧气在催化剂的催化下进行歧化反应,得到的反应产物;S2,对反应产物进行液固分离将催化剂和反应液体产物分离;以及S3,将反应液体产物输入精馏塔脱除杂质、轻组分和重组分后得到三氯氢硅产品。应用本发明的技术方案反应精馏工艺,将原料中的甲基二氯硅烷通过与四氯化硅进行反歧化反应转化为甲基三氯硅烷,同时,引入微量氧与B、P等转化为高沸点络合物,再通过精馏进行分离,最终得到高纯的三氯氢硅。