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公开(公告)号：CN114180578A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210141190.3
申请日：2022-02-16
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , C07F7/04 , C01B33/107 , C01B3/56
摘要： 本发明提出一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统，通过开发吸附络合‑高效精馏三氯氢硅纯化技术制备电子级三氯氢硅，以电子级三氯氢硅为原料进一步制备电子级二氯二氢硅，开发光催化反应‑高效精馏纯化技术制备光纤四氯化硅，并以光纤四氯化硅为原料进一步制备电子级正硅酸乙酯。本发明以高纯区熔级多晶硅制造为中心，将物料流进行内循环和再利用，实现副产物的减量化和资源化，形成协同产品链，发挥协同效应，对公辅系统进行集成，相关产品制造装置实现共享，减少装置数量和系统投资。
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公开(公告)号：CN110436467A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910760915.5
申请日：2019-08-16
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/027
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉供料系统，包括雾化装置和管道式挥发器，雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口，雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化，产生雾气并经过雾出口排出；管道式挥发器包括内管和加热组件，内管一端与雾化装置的雾出口连通，另一端与还原炉连通；加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸；加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气，以向还原炉供入混合气。本发明的多晶硅还原炉供料系统稳定性高，配比精度高，配比调节灵活，多晶硅产品质量高。
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公开(公告)号：CN110451511B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910790996.3
申请日：2019-08-26
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , C30B28/14 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉及其启炉方法，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本发明的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热，整个系统属于密闭系统，同时气体纯度能够保证，操作简便，安全可靠。
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公开(公告)号：CN110436467B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910760915.5
申请日：2019-08-16
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/027
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉供料系统，包括雾化装置和管道式挥发器，雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口，雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化，产生雾气并经过雾出口排出；管道式挥发器包括内管和加热组件，内管一端与雾化装置的雾出口连通，另一端与还原炉连通；加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸；加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气，以向还原炉供入混合气。本发明的多晶硅还原炉供料系统稳定性高，配比精度高，配比调节灵活，多晶硅产品质量高。
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公开(公告)号：CN114311348A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210020029.0
申请日：2022-01-10
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本发明的实施例提出一种区熔硅棒的切割装置和切割方法。其中，本发明的实施例的区熔硅棒的切割装置包括支撑架、旋转固定机构和切割机构。所述旋转固定机构包括固定套筒组件和驱动支撑组件，所述固定套筒组件通过所述驱动支撑组件可转动地设置在所述支撑架上；所述切割机构沿第一预设方向在切割位置和空挡位置之间可移动地设置。因此，本发明实施例的区熔硅棒的切割装置具有降低切割过程中因应力集中出现炸裂的技术问题，具有提高区熔硅棒的切割时成品的合格率、降低切割成本的优点。
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公开(公告)号：CN113061988A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110259705.5
申请日：2021-03-10
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种硅芯制备方法和硅芯制备设备，硅芯制备方法包括以下步骤：A)将硅芯原料棒和籽晶安装在硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；B)对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉腔内的压强小于标准大气压；和C)加热所述硅芯原料棒产生熔区，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。因此，通过利用根据本发明实施例的硅芯制备方法，从而可以有效地降低硅芯中的P元素的含量，有效地提高硅芯的电阻率。
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公开(公告)号：CN110451511A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910790996.3
申请日：2019-08-26
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , C30B28/14 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种多晶硅还原炉及其启炉方法，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本发明的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热，整个系统属于密闭系统，同时气体纯度能够保证，操作简便，安全可靠。
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公开(公告)号：CN114180578B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210141190.3
申请日：2022-02-16
申请人： 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
IPC分类号： C01B33/035 , C07F7/04 , C01B33/107 , C01B3/56
摘要： 本发明提出一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统，通过开发吸附络合‑高效精馏三氯氢硅纯化技术制备电子级三氯氢硅，以电子级三氯氢硅为原料进一步制备电子级二氯二氢硅，开发光催化反应‑高效精馏纯化技术制备光纤四氯化硅，并以光纤四氯化硅为原料进一步制备电子级正硅酸乙酯。本发明以高纯区熔级多晶硅制造为中心，将物料流进行内循环和再利用，实现副产物的减量化和资源化，形成协同产品链，发挥协同效应，对公辅系统进行集成，相关产品制造装置实现共享，减少装置数量和系统投资。
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公开(公告)号：CN111151504A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010062867.5
申请日：2020-01-19
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
摘要： 本发明公开了多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法，其中，多晶硅清洗机包括：本体和惰性气体喷吹装置，本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置包括输气管道和多个风刀喷口，输气管道伸入本体内并延伸至酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口设在输气管道上并沿输气管道的走向间隔分布，且多个风刀喷口分别独立地朝向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域。该多晶硅清洗机结构简单、安装方便、投资小、见效快，能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果。
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公开(公告)号：CN217047023U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202220079960.1
申请日：2022-01-10
申请人： 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC分类号： B28D5/00
摘要： 本实用新型的实施例提出一种区熔硅棒切割装置。该区熔硅棒的切割装置包括支撑架、旋转固定机构和切割机构。所述旋转固定机构包括固定套筒组件和驱动支撑组件，所述固定套筒组件通过所述驱动支撑组件可转动地设置在所述支撑架上，所述切割机构沿第一预设方向在切割位置和空挡位置之间可移动地设置。因此，本实用新型实施例的区熔硅棒的切割装置具有降低切割过程中因应力集中出现炸裂的技术问题，具有提高区熔硅棒的切割时成品的合格率、降低切割成本的优点。
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