-
公开(公告)号：CN118745590A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410796975.3
申请日：2024-06-20
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种实验型薄型卷材连续卷对卷阳极氧化装置，阳极氧化装置包括架体、放卷机构、阳极氧化机构、烘干机构和收卷机构，放卷机构和架体紧固连接，放卷机构和阳极氧化机构紧固连接，放卷机构和阳极氧化机构连通，阳极氧化机构和烘干机构紧固连接，烘干机构和阳极氧化机构连通，收卷机构和烘干机构连通，收卷机构和烘干机构紧固连接，放卷机构通过张力调节和纠偏组件确保材料平稳输送到阳极氧化机构，阳极氧化机构进行加热、超声清洗和电解氧化处理，使材料表面形成致密的氧化膜，材料进入烘干机构，通过冷风和热风干燥，材料由收卷机构卷收，纠正组件确保收卷平整，均匀的阳极氧化处理。
-
公开(公告)号：CN118478139A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410658314.4
申请日：2024-05-27
申请人： 上海富乐华半导体科技有限公司 , 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明涉及电子封装焊接领域，具体公开了一种基于银烧结用Ag‑In复合焊片连接体及其制备方法。包括以下步骤：步骤一：Ag‑In焊片的制备：S1:将银薄片依次经过醇洗、碱洗、酸洗，得到预处理银薄片；S2:将预处理银薄片置于装有镀铟液的镀铟槽中，电镀，得到Ag‑In焊片；步骤二：将芯片、Ag‑In焊片、覆铜陶瓷基板依次复合，得到Ag‑In复合焊片连接体。有益效果：本技术方案中，制备了一种新型Ag‑In焊片，使芯片和覆铜陶瓷基板的连接更为牢固，避免了脱落现象，且能够满足低温连接，高温服役的效果，同时能够满足一些电学性能。
-
公开(公告)号：CN117334795A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311276320.5
申请日：2023-09-30
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明涉及LED高功率封装领域，具体为一种基于陶瓷围坝的高功率LED封装结构的制备及应用。本发明将最上层瓷片经过激光切割，切割出阵列通孔，在最上层瓷片的下表面或非最上层瓷片的上下表面涂敷焊料或焊片；按照瓷片通孔层‑铜层‑瓷片层‑铜层的顺序，将瓷片和铜片从上往下排列，制得待烧结件；采用AMB工艺进行真空活性钎焊烧结，再进行线切割处理，制得陶瓷围坝覆铜基板；将基板内贴附焊片、芯片，经热压烧结、灌注环氧树脂进行固化，最后在下一层铜片两端焊接导线，接通电源，LED芯片发光。通过以上制备步骤，本发明能够提高LED封装结构的性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN115831894A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211699021.8
申请日：2022-12-28
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/427 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种电路元件的散热模块，涉及水冷散热领域，旨在解决芯片发热即时温度过高的问题，其技术方案要点是：一种电路元件的散热模块，包括整体形成密封结构的顶部盖板、中间热缓冲层以及底板，所述顶部盖板为平面结构用于直接与电路元件接触接收热量，所述中间热缓冲层具有若干凹槽结构，所述底板与中间热缓冲层之间形成冷却通道，所述冷却通道两端设置有出入口用于进行水循环冷却流动；所述凹槽内置有固液相变材料，所述固液相变材料由固态到液体相互转变，伴随相变潜热，固液相变材料温度在完全溶解前保持不变。本发明的一种电路元件的散热模块，能够先对局部进行降温，平缓温度梯度。
-
公开(公告)号：CN115394689A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211077210.1
申请日：2022-09-05
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件热压烧结装置，包括电控柜，所述压合结构由压合板和形变元件组成，所述形变元件位于压合板内部，所述可形变元件一侧设有隔热层，所述可形变元件外壁固定连接有限位点，所述隔热层顶部固定连接有第一压力传感器，所述压合板顶部固定连接有金属层。本发明通过在压合板内部设置形变元件，在压合板内部设置隔热层，在形变元件底端设置冷却层，在载物台内部设置冷区槽，在冷区槽内部设置可拔插式导热支撑柱，使冷区槽内部温度可传导到可拔插式导热支撑柱上，本发明中，可以实现烧结过程中施加均匀、稳定的压力，并实现加热、冷却功能。设备一体化，简化了烧结流程，提高了作业效率。
-
公开(公告)号：CN117334655B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311276313.5
申请日：2023-09-30
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , B82Y30/00
摘要： 本发明属于电子封装领域，公开了一种应用银烧结焊片的低孔隙率界面结构及制备方法。本发明涉及低孔隙率和高导热率焊接界面的制备，首先进行对焊片的溅射反应，使得到表面具有微纳结构的银焊片，将其连接覆铜陶瓷基板与芯片的中间产物，具有可靠性、贴合效果更好的特点，此外，本发明制备得到了纳米银浆，将其在因焊片表面进行涂覆，极大增强了焊接体系的可靠性，避免了传统焊膏焊接易脱落的问题产生，低温低压烧结的方式避免银粉颗粒聚合，提高了器件的稳定性和使用寿命。
-
公开(公告)号：CN115394689B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202211077210.1
申请日：2022-09-05
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件热压烧结装置，包括电控柜，所述压合结构由压合板和形变元件组成，所述形变元件位于压合板内部，所述可形变元件一侧设有隔热层，所述可形变元件外壁固定连接有限位点，所述隔热层顶部固定连接有第一压力传感器，所述压合板顶部固定连接有金属层。本发明通过在压合板内部设置形变元件，在压合板内部设置隔热层，在形变元件底端设置冷却层，在载物台内部设置冷区槽，在冷区槽内部设置可拔插式导热支撑柱，使冷区槽内部温度可传导到可拔插式导热支撑柱上，本发明中，可以实现烧结过程中施加均匀、稳定的压力，并实现加热、冷却功能。设备一体化，简化了烧结流程，提高了作业效率。
-
公开(公告)号：CN116042085A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310139432.X
申请日：2023-02-20
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C09D179/08 , C04B41/87 , C09D7/61 , C09D7/62
摘要： 本发明公开了一种改善陶瓷基板局放性能的复合材料及制备工艺及应用方法，涉及陶瓷覆铜基板加工领域，旨在解决陶瓷基板容易发生局部放电的问题，其技术方案要点是：一种改善陶瓷基板局放性能的复合材料，其特征在于：其包括BaTiO3质量份含量为10份～50份，纳米片高岭石质量份含量为1份～10份；聚酰亚胺质量份含量为50份～90份。本发明的一种改善陶瓷基板局放性能的复合材料及制备工艺及应用方法，能够有效改善陶瓷基板的局放性能。
-
公开(公告)号：CN117753690B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311737636.X
申请日：2023-12-18
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种自定位式陶瓷基板缺陷检测装置及方法，属于陶瓷基板缺陷检测技术领域。包括检测平台、视觉检测装置、标记装置、搬运装置、基座、第一电机、检测料箱、不合格料箱、合格料箱；本发明检测平台使用针‑板电极结构在高压电场下快速检测陶瓷内部缺陷，通过视觉检测装置在空气环境下直接观测陶瓷基板缺陷位置产生的辉光、电晕、拉弧等漏电现象，并记录陶瓷基板发生漏电现象的位置；利用电流表保护针电极，避免陶瓷基板失效电压过大，烧毁针电极；之后，再利用标记装置将缺陷位置标记定位；最后，通过搬运装置和传送装置相互配合，使陶瓷基板自动上料送检，并自动筛分合格与不合格的陶瓷基板。
-
公开(公告)号：CN117334795B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311276320.5
申请日：2023-09-30
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明涉及LED高功率封装领域，具体为一种基于陶瓷围坝的高功率LED封装结构的制备及应用。本发明将最上层瓷片经过激光切割，切割出阵列通孔，在最上层瓷片的下表面或非最上层瓷片的上下表面涂敷焊料或焊片；按照瓷片通孔层‑铜层‑瓷片层‑铜层的顺序，将瓷片和铜片从上往下排列，制得待烧结件；采用AMB工艺进行真空活性钎焊烧结，再进行线切割处理，制得陶瓷围坝覆铜基板；将基板内贴附焊片、芯片，经热压烧结、灌注环氧树脂进行固化，最后在下一层铜片两端焊接导线，接通电源，LED芯片发光。通过以上制备步骤，本发明能够提高LED封装结构的性能和可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.049 秒)
