本发明涉及LED高功率封装领域，具体为一种基于陶瓷围坝的高功率LED封装结构的制备及应用。本发明将最上层瓷片经过激光切割，切割出阵列通孔，在最上层瓷片的下表面或非最上层瓷片的上下表面涂敷焊料或焊片；按照瓷片通孔层‑铜层‑瓷片层‑铜层的顺序，将瓷片和铜片从上往下排列，制得待烧结件；采用AMB工艺进行真空活性钎焊烧结，再进行线切割处理，制得陶瓷围坝覆铜基板；将基板内贴附焊片、芯片，经热压烧结、灌注环氧树脂进行固化，最后在下一层铜片两端焊接导线，接通电源，LED芯片发光。通过以上制备步骤，本发明能够提高LED封装结构的性能和可靠性。