一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法

    公开(公告)号:CN117305969A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311055377.2

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法,包括炉体、坩埚、保温层、托杆以及加热装置;所述保温层在炉体内壁,所述坩埚设置在炉体内部中心,所述托杆的上端与坩埚连接,下端穿过炉体;所述加热装置包括筒状加热器、底座以及高度调节装置,所述底座上设有石墨电极,所述筒状加热器通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上,所述底座通过高度调节装置可调节的设置在炉体内;所述筒状加热器从上至下包括第一环形段、锥面段以及第二环形段,三段式筒状加热器降低了热场中的温度梯度、结晶液位温度平稳,通过液位检测仪实时监测液位高度,从而调节筒状加热器保持液位中心处于热应力中心,保持单晶低位错生长。

    一种从废CRT荧光粉中回收稀土的方法

    公开(公告)号:CN114854990A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210459810.8

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 一种从废CRT荧光粉中回收稀土的方法,包括以下步骤:(1)将废CRT荧光粉加入浓硫酸中,然后水浴反应;(2)将步骤(1)后得到的反应物进行水浸,得到富铕渣和含稀土钇和少量铕的浸出液;(3)将步骤(2)得到富铕渣加水继续水浸,得到浸出渣和含铕的浸出液。本发明采用浓硫酸预处理废CRT荧光粉,可使废CRT荧光粉中稀土转化成可溶性的硫酸盐,同时钝化杂质铝,减少杂质的干扰,在一定程度上实现了稀土元素的选择性浸出;同时荧光粉中的主要杂质硫化锌与浓硫酸反应,生成二氧化硫气体,避免了有毒气体硫化氢的产生,二氧化硫可以通过收集制备硫酸,可再次用于废CRT荧光粉回收过程的预处理,实现硫元素的循环利用。

    一种等离子氧化装置及废锗处理方法

    公开(公告)号:CN118028630A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202311869750.8

    申请日:2023-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种等离子氧化装置及废锗处理方法,等离子氧化装置包括炉体,进料仓;炉体由上至下依次包括排气段、第二等离子加热段、进料段、第一等离子加热段,所述第二等离子加热段与进料段之间设有隔板;回收处理工艺污染小,经过等离子氧化装置处理之后得到的二氧化锗纯度较高,等离子氧化装置对粉料进行两次等离子加热,第一次加热是将锗与其他杂质进行分离,并在粉料不飞扬的情况下进行初步氧化,第二次加热并通入足量氧气保证充分氧化,气态的二氧化锗含有大量的热量,直接冷却收集造成热量浪费,本发明将气态二氧化锗的热量进行余热回收对进料仓内的粉料经常预热,预热后的粉料进行第一次等离子加热时加热速度快,提高反应速率。

    一种锗挥发炉渣金属回收装置及回收方法

    公开(公告)号:CN117920456A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311809660.X

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种锗挥发炉渣金属回收装置及回收方法,涉及金属回收技术领域,包括炉渣箱,炉渣箱上设置有透视窗;炉渣箱上设置有进渣口,炉渣箱上设置有平铺设备,炉渣箱上设置有手拉门,炉渣箱上设置有实时装置,实时装置包括:电机。本发明通过将矿渣从进渣口的内部,随后开启平铺设备将矿渣进行均匀平铺,同时开启电机使转杆转动,转杆转动带动冠齿转动,冠齿转动带动齿轮转动,齿轮转动带动往复丝杆转动,往复丝杆转动带动滑动板移动,滑动板移动带动安装架移动,安装架移动带动吸磁设备移动,使吸磁设备通过刮板将炉渣金属进行实时刮除至收集箱内部,便于对矿渣平铺过程中进行实时磁选金属矿渣及刮除收集。

    一种低锗废渣快速检测锗的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117007764A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310752664.2

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本发明涉及低锗废渣检测技术领域,且公开了一种低锗废渣快速检测锗的方法,包括以下步骤:S1、将含有低锗的废渣通过粉碎设备对其废渣块进行粉碎,并将粉碎后得到的低锗废渣粉粒与煤粉和氧化铁矿粉进行搅拌混合一端时间,使其混合均匀,混合均匀后在混捏机内压制成渣块。该一种低锗废渣快速检测锗的方法,通过先将低锗废渣粉碎并与一些促进燃烧的物质结合,使其在焙烧的过程中被焙烧的更加充分,提高焙烧的效率,避免了低锗废渣正常焙烧时间长和焙烧不充分的问题,同时通过将焙烧残渣进行取出,对其进行除杂和磁选,使其焙烧后的残渣中的锗被提取出,在缩短了锗回收检测时间的同时也提高了对低锗废渣中锗含量检测的精准性。

    一种锗高温熔融-沸腾侧吹计算机模型建立方法

    公开(公告)号:CN116910978A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310655425.5

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种锗高温熔融‑沸腾侧吹计算机模型建立方法,涉及计算机模型建立方法技术领域。包括以下步骤:S1、获取高温熔融沸腾侧吹过程中影响因素;S2、对各个影响因素的权重进行评价;S3、多因素模拟模型的建立。通过设置的多因素模型建立方法可以将多个影响因子配合自身权重进行模型的建立,从而降低了模型建立过程中产生的计算误差,通过设置的模型建立方法将机理模型与灰色预测模型进行结合,对侧吹熔炼相关参数进行在线实时控制,具有较好的全局拟合能力,同时结合侧吹工艺专家知识及现场操作经验,深度挖掘生产大数据库中的信息价值,实现对生产过程的优化控制。

    超高纯二氧化锗的制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119240780A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411166099.2

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明涉及二氧化锗的制备技术领域,具体为超高纯二氧化锗的制备方法,包括对锗锭进行研磨,得到锗粉;将锗粉转移至密闭反应器中,向其中通入高纯氯气,充分反应,得到四氯化锗;将四氯化锗进行蒸馏提纯;向提纯后的四氯化锗中加入超纯水,充分搅拌后静置,过滤得到二氧化锗沉淀;将二氧化锗沉淀进行清洗、干燥、煅烧,得到7N以上超高纯二氧化锗。本发明的超高纯二氧化锗的制备方法得到的二氧化锗纯度高,产率高,含氯量低于0.003%,满足BGO晶体的制备需求。

    一种含锗废料氯化回收装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117926039A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311872120.6

    申请日:2023-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种含锗废料氯化回收装置,包括外部罐体、内部蒸馏主体,所述内部蒸馏主体通过可升降装置可升降的设置在外部罐体内;内部罐体侧壁上端设有第一温度传感器,所述蒸汽管道上设有第一阀门,所述外部罐体侧壁上设有第一液位检测仪,所述内部蒸馏主体侧壁上设有第二液位检测仪,将热水作为加热媒介,通过蒸汽持续加热热水保持加热温度,控制其加热温度低于100摄氏度,避免对反应液过度加热导致的三氯化砷蒸发;通过对内部蒸发主体液位检测、热水液位控制,保持热水的液位与蒸馏主体内部液位一致,液位保持一致可保证蒸馏主体内反应液完全与热水完全接触,充分加热。

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