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公开(公告)号：CN106226865B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610802133.X
申请日：2016-09-06
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法，该方法可以快速实现纳米级光子晶体中直孔阵列的自定位周期性制备。该方法包括以下步骤：首先选择材料，接着制备样品，在硅片上PECVD淀积氮化硅，接着进行光刻，再用离子束轰击去除图形区的氮化硅，然后进行第一次电化学腐蚀，氧化形成多孔硅衬底POPS，化学机械抛光、KOH溶液腐蚀形成倒金字塔尖端，最后进行第二次电化学腐蚀制备具有周期性且具有自定位功能的纳米直孔阵列。上该方法易于操作，处理简单，适合大批量快速纳米级周期性孔制备，该方法制备的纳米孔定位更精确。
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公开(公告)号：CN106883841A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710070580.5
申请日：2017-02-09
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/59 , C23C16/26 , C25F3/12
Abstract: 本发明提供了一种高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料及制备方法，制备步骤如下：1、通过CVD法在铜箔上制备单层石墨烯，得到有石墨烯覆盖的铜箔；2、选择n型单晶硅片，进行双面抛光；3、将步骤2中处理好的n型单晶硅片依次在无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗后吹干；将吹干的n型单晶硅片在氢氟酸/无水乙醇混合溶液中进行电化学腐蚀，电化学腐蚀完成后用去离子水清洗，并吹干得到多孔硅；4、将石墨烯处理后，使多孔硅表面与石墨烯复合；最后将石墨烯与多孔硅复合的材料置于丙酮中去胶，得到所述的高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料。本发明制备的石墨烯‑多孔硅材料，显著提高了多孔硅的光学性能指标，拓宽了其光学应用前景。
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公开(公告)号：CN106883841B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710070580.5
申请日：2017-02-09
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供了一种高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料及制备方法，制备步骤如下：1、通过CVD法在铜箔上制备单层石墨烯，得到有石墨烯覆盖的铜箔；2、选择n型单晶硅片，进行双面抛光；3、将步骤2中处理好的n型单晶硅片依次在无水乙醇、去离子水中超声清洗，清洗后吹干；将吹干的n型单晶硅片在氢氟酸/无水乙醇混合溶液中进行电化学腐蚀，电化学腐蚀完成后用去离子水清洗，并吹干得到多孔硅；4、将石墨烯处理后，使多孔硅表面与石墨烯复合；最后将石墨烯与多孔硅复合的材料置于丙酮中去胶，得到所述的高光致发光性能的石墨烯‑多孔硅材料。本发明制备的石墨烯‑多孔硅材料，显著提高了多孔硅的光学性能指标，拓宽了其光学应用前景。
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公开(公告)号：CN106226865A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610802133.X
申请日：2016-09-06
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: G02B6/138 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02B2006/1213
Abstract: 本发明提供一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法，该方法可以快速实现纳米级光子晶体中直孔阵列的自定位周期性制备。该方法包括以下步骤：首先选择材料，接着制备样品，在硅片上PECVD淀积氮化硅，接着进行光刻，再用离子束轰击去除图形区的氮化硅，然后进行第一次电化学腐蚀，氧化形成多孔硅衬底POPS，化学机械抛光、KOH溶液腐蚀形成倒金字塔尖端，最后进行第二次电化学腐蚀制备具有周期性且具有自定位功能的纳米直孔阵列。上该方法易于操作，处理简单，适合大批量快速纳米级周期性孔制备，该方法制备的纳米孔定位更精确。
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