公开(公告)号：CN118588633A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202310239676.5

申请日：2023-03-03

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 廉玉波 ,  凌和平 ,  刘海军 ,  王垚 ,  张海星

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种功率模块组件的制造方法及功率模块组件。制造方法包括：提供第一基板，在第一基板上设置直流正极导电区和直流负极导电区；提供第二基板，在第二基板上设置交流导电区，多个交流导电区包括第一交流导电区、第二交流导电区和第三交流导电区；在第一基板设置第一芯片；在第二基板设置第二芯片；将第一芯片与第二基板的交流导电区电连接；将第二芯片与第一基板的直流负极导电区电连接；根据本发明的制造方法将第一基板和第二基板之间通过第一芯片和第二芯片实现电连接，通过在第一基板和第二基板上进行分区设置的形式，使第一基板与第二基板之间形成了全桥结构。根据本发明的制造方法，加工效率高，产品的稳定性好，良品率高。

公开(公告)号：CN219642815U

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202320473551.4

申请日：2023-03-03

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 刘海军 ,  张海星 ,  王垚 ,  朱嘉宁 ,  秦嗣涛

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/14 ,  H01L23/04 ,  H01L25/065

Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块，包括第一基板、第二基板、上桥芯片组和下桥芯片组。第一基板包括第一金属层。第二基板与第一基板间隔设置，第二基板包括第二金属层，且第二金属层与第一金属层相对设置。上桥芯片组设置于第一金属层，且上桥芯片组中的上桥芯片导通第一金属层与第二金属层。下桥芯片组设置于第二金属层，且下桥芯片组中的下桥芯片导通第一金属层与第二金属层。根据本实用新型的功率模块采用双面封装，上桥芯片与下桥芯片分别设置在第一基板和第二基板上，避免了上桥芯片和下桥芯片在单一基板上的热量累积，有利于散热。

公开(公告)号：CN219842983U

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202320516686.4

申请日：2023-03-03

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 刘海军 ,  张家欣 ,  张海星 ,  王垚 ,  阳振敏

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: 本实用新型提供一种功率半导体模块组件及车辆，涉及功率半导体技术领域，功率半导体模块组件包括：相对间隔设置的第一基板和第二基板；设置在第一基板和第二基板之间且与第一基板和第二基板连接的芯片组；第一散热板和第二散热板，第一散热板贴合设置在第一基板背向第二基板的一面，第二散热板贴合设置在第二基板背向第一基板的一面，第一散热板和第二散热板上分别开设有液体流道，液体流道配置为供换热工质流动以带走所述芯片组的热量。本实用新型还提供一种车辆。本实用新型提供的功率半导体模块组件和车辆，解决了现有技术中的功率半导体模块的散热速度慢的问题，提高了功率半导体模块组件的散热效率。