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公开(公告)号:CN114497517A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111611452.X
申请日:2021-12-27
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明公开了一种WXC_W_CNT复合材料的制备方法,属于锂离子电池电极材料技术领域,包括以下步骤:S1:制备吡咯管;S2:制备含钨源和碳源的前驱体粉末;S3:制备WXC/W/CNT复合材料;本发明还公开了一种WXC_W_CNT复合材料的应用;本发明使用十六烷基三甲基溴化铵处理吡咯管,让吡咯管表面带有丰富的阳离子,后经多巴胺聚合,将钨酸根阴离子紧紧的吸附于吡咯管表面,再经高温处理得到碳化钨/金属钨均匀包覆碳纳米管的复合材料,解决了碳化钨/金属钨包覆量少、不均匀、易脱落以及与碳基底接触不充分的问题,能够满足现有的智能手机、笔记本电脑等便携式设备以及电动汽车的需求。
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公开(公告)号:CN108052948B
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201711122348.8
申请日:2017-11-14
Applicant: 武汉科技大学
IPC: G06K9/46
Abstract: 本发明属于图像识别技术领域,公开了一种提取图像特征的编码方法,包括:将图像划分为NⅹN的图像块矩阵;获取第一图像块的像素值V0,以及与所述第一图像块相邻的8个图像块的像素值V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7以及V8;分别求取9个像素值的中值V med以及均值Vmean;求出差值δ;逐一将Vi(i=1,2,3,4,5,6,7,8)与V0的差值αi与所述差值δ比较,如果αi≥δ,则Vi赋值为二进制码1,否则Vi赋值为二进制码0;将上述二进制码进行编码,并将获得的二进制编码转换为十进制数值,作为第一图像块的图像特征编码值;重复上述步骤,直至获取所述NⅹN的图像块矩阵中的所有图像块的图像特征编码值;其中,N大于3。本发明提供一种提升识别准确度的特征提取编码方法。
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公开(公告)号:CN108717183A
公开(公告)日:2018-10-30
申请号:CN201810485834.4
申请日:2018-05-21
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于RANSAC的Toeplitz声源定位方法,首先对一段声音信号X(t)进行通过窗函数w(t)进行分帧处理,得到一帧声音信号Xw(t);计算数据协方差矩阵R;然后对数据协方差矩R阵进行奇异值分解,获得信号子空间Us及信号子空间奇异值组成的对角阵 利用旋转不变子空间思想构建矩阵选取矩阵B的前M-1行和后M-1行,分别记为B1和B2,B1和B2满足关系式:B1D=B2,其中D是含有信号方向信息的对角阵;求解含有位置参数的对角矩阵D,得到该帧声音信号的位置参数;最后在获得了每一帧的声源位置参数后,利用RANSAC算法消除这些参数中的不可靠数据,获得最优的样本集合然后拟合出精确的位置参数。本发明能够定位参数的拟合效果更好,提高Toeplitz定位算法的准确度与鲁棒性。
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公开(公告)号:CN107560567A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201710604718.5
申请日:2017-07-24
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明属于材料检测技术领域,公开了一种基于图像分析的材料表面质量检测方法,包括:通过强度为K的检测光照射在待检测材料表面;获取自所述待检测材料表面反射的检测光信号,得到图像;计算所述图像的像素值I,并计算其与理论像素值IC的差值E;其中,理论像素值IC=KR,R为待检测材料表面反射率。本发明提供的检测方法,基于图像分析的方法实现表面质量分析判断,高效可靠。
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公开(公告)号:CN107133986A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710284292.X
申请日:2017-04-26
Applicant: 武汉科技大学
IPC: G06T7/80
Abstract: 本发明提出一种基于二维标定物的相机标定方法,在进行标定图像优选的基础上实现相机标定,包括准备平面标定板,用相机采集平面标定板每个角度的图像,对每幅图像进行角点提取,计算每幅图像对应的单应性矩阵,初始化随机抽取一致性的参数,从所有的单应性矩阵中随机选取单应性矩阵,计算IAC,并判断每幅图像对应的单应性矩阵与IAC之间的距离,根据判断得到内点集和内点数的总和,并进行局部优化;最后根据所有内点估计IAC,去除外点对应的图像集,完成标定图像优选;根据标定图像优选结果进一步得到标定结果。本发明可以提升张正友二维平面的标定方法,获得更稳定可靠的标定精度。
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公开(公告)号:CN118326448A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410572602.8
申请日:2024-05-09
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/02 , C25B1/04
Abstract: 本申请提供一种表面含氧的镍/碳空心球催化剂及其制备方法和应用。所述制备方法如下:分别称取镍盐、均苯三甲酸和聚乙烯吡咯烷酮,加入溶剂后混合搅拌均匀得到前驱体混合溶液;将前驱体混合溶液进行水热反应;待水热反应完成后,离心获取沉淀物,将沉淀物烘干得到前驱体;最后热解前驱体。本申请制备的表面含氧的镍/碳空心球催化剂的空心结构可暴露更多活性位点,使催化剂具有较高的可接触活性面积,加快传质传荷过程;其微观结构为碳包覆镍结构,镍晶体表面有部分O嵌入,原子级的Ni‑O配位可以调节催化剂表面的电子结构,并与内部金属镍协同作用以提供位点促进反应动力学,使其能够同时驱动大电流下的电解水HER及OER反应。
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公开(公告)号:CN112746285B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202110053970.8
申请日:2021-01-15
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/091 , C25B11/061
Abstract: 本发明公开了一种焦磷酸氧钒‑磷化镍纳米复合催化剂及其制备方法和应用,涉及纳米复合催化剂领域。本发明通过步骤1.将镍基底依次浸入盐酸、蒸馏水、无水乙醇中分别进行超声处理;步骤2.将钒源、镍源及尿素溶解在蒸馏水中,搅拌,转移至水热釜中,加入镍基底,冲洗,干燥;步骤3.将步骤2得到的双金属氢氧化物前驱体与次磷酸钠在保护气氛下于400‑600℃保温,得到焦磷酸氧钒‑磷化镍纳米复合催化剂。本发明利用高温磷化法制备出的焦磷酸氧钒‑磷化镍纳米复合催化剂,尺寸均一,比表面积较大,电化学活性高,在电催化析氢中能够有效地提高析氢反应的效率。
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公开(公告)号:CN107133986B
公开(公告)日:2019-08-20
申请号:CN201710284292.X
申请日:2017-04-26
Applicant: 武汉科技大学
IPC: G06T7/80
Abstract: 本发明提出一种基于二维标定物的相机标定方法,在进行标定图像优选的基础上实现相机标定,包括准备平面标定板,用相机采集平面标定板每个角度的图像,对每幅图像进行角点提取,计算每幅图像对应的单应性矩阵,初始化随机抽取一致性的参数,从所有的单应性矩阵中随机选取单应性矩阵,计算IAC,并判断每幅图像对应的单应性矩阵与IAC之间的距离,根据判断得到内点集和内点数的总和,并进行局部优化;最后根据所有内点估计IAC,去除外点对应的图像集,完成标定图像优选;根据标定图像优选结果进一步得到标定结果。本发明可以提升张正友二维平面的标定方法,获得更稳定可靠的标定精度。
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公开(公告)号:CN108052948A
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201711122348.8
申请日:2017-11-14
Applicant: 武汉科技大学
IPC: G06K9/46
Abstract: 本发明属于图像识别技术领域,公开了一种提取图像特征的编码方法,包括:将图像划分为NⅹN的图像块矩阵;获取第一图像块的像素值V0,以及与所述第一图像块相邻的8个图像块的像素值V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7以及V8;分别求取9个像素值的中值V med以及均值Vmean;求出差值δ;逐一将Vi(i=1,2,3,4,5,6,7,8)与V0的差值αi与所述差值δ比较,如果αi≥δ,则Vi赋值为二进制码1,否则Vi赋值为二进制码0;将上述二进制码进行编码,并将获得的二进制编码转换为十进制数值,作为第一图像块的图像特征编码值;重复上述步骤,直至获取所述NⅹN的图像块矩阵中的所有图像块的图像特征编码值;其中,N大于3。本发明提供一种提升识别准确度的特征提取编码方法。
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公开(公告)号:CN116314719A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310404918.1
申请日:2023-04-14
Applicant: 武汉科技大学 , 山东圣泉新材料股份有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及锂离子电池负极材料技术领域,公开了一种硅碳复合负极材料及其制备方法和应用、锂离子电池。所述硅碳复合负极材料为粉体,包括石墨、被酚醛树脂衍生碳形成的无定形碳层包覆的纳米硅和无定形碳基体,其中,纳米硅融合镶嵌于石墨表面和片层中,石墨分布在无定形碳基体中。本发明还提供了该硅碳复合负极材料的制备方法、该硅碳复合负极材料在制备锂离子电池中的应用以及包括该硅碳复合负极材料的锂离子电池。本发明通过结合机械融合和辊炼技术所制备的硅碳复合负极材料具有相对较高的首次库伦效率和长循环稳定性,且在优化的原料配比条件下,表现出更好的电化学综合性能。
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